公开(公告)号：CN116982160A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202180095877.1

申请日：2021-03-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 泷口雄贵 ,  柳生荣治 ,  西村邦彦 ,  斋藤尚史 ,  山田高宽 ,  津波大介 ,  中村茉里香 ,  伊藤正尚

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明的目的在于提供一种降低鳍式晶体管的特性偏差的半导体装置。半导体装置具备基板、半导体层、元件区域以及多个鳍式晶体管。基板包括主面。半导体层作为构成基板的主面的表层而设置，或者设置在基板的主面上。半导体层具有在与基板的主面处于对应关系的晶面上具有相互等价的关系的多个晶体取向中的两个晶体取向所成的角度为60度或120度的晶体结构。元件区域由设置于基板的主面的多个单位元件区域构成。多个鳍式晶体管分别形成于多个单位元件区域中的半导体层。多个鳍式晶体管从元件区域的中央部朝向外周部呈放射状地延伸。多个鳍式晶体管中的彼此相邻的两个鳍式晶体管的间隔为60度或120度。

公开(公告)号：CN119404609A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202280097195.9

申请日：2022-06-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 泷口雄贵 ,  西村邦彦 ,  吹田宗义 ,  山田高宽

IPC: H10D30/47 ,  H10D30/87 ,  H10D30/01

Abstract: 抑制埋入栅极电极所引起的装置的特性偏差。氮化物半导体装置具备基板、第1氮化物半导体层、第2氮化物半导体层、源极电极、漏极电极、从第2氮化物半导体层的上表面到达至第1氮化物半导体层的内部的至少1个盲孔、设置于盲孔内的埋入栅极电极以及跨越埋入栅极电极的上表面以及第2氮化物半导体层的上表面地设置的栅指电极，盲孔的侧面沿着第1氮化物半导体层的{1‑100}面。

公开(公告)号：CN117461141A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202180099164.2

申请日：2021-06-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山田高宽 ,  中村茉里香 ,  伊藤正尚 ,  泷口雄贵

IPC: H01L29/778

Abstract: 半导体装置(100)具备：第1氮化物半导体层(3)；和在第1氮化物半导体层(3)的上方设置、在与第1氮化物半导体层(3)之间形成二维电子气的第2氮化物半导体层(4)。在第2氮化物半导体层(4)的上方，设置与二维电子气电连接的源电极(5)和漏电极(7)、和在源电极(5)与漏电极(7)之间配置的栅电极(6)。在栅电极(6)与源电极(5)之间，形成有第1氧化物层(11)、和在第1氧化物层(11)的上方设置的第2氧化物层(12)。