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公开(公告)号：CN116745890A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202180090503.0
申请日：2021-01-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/288
Abstract: 将具有GaN表面(2)的基板(1)一边照射紫外光一边浸渍于包含氢氧化钾和镀敷催化剂金属盐的催化剂金属溶液(4)中，而在GaN表面(2)析出催化剂金属(5)。通过无电镀而在析出了催化剂金属(5)的基板(1)的GaN表面(2)形成金属膜(7)。
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公开(公告)号：CN111656498A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201880087810.1
申请日：2018-02-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 津波大介
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 具有：源极电极(13)，其形成于半导体基板(11)的表面，通过处于欧姆接触的区域处的第一接触区域的源极电极(13a)和处于非欧姆接触等的接触的区域处的第二接触区域的源极电极(13b)这两者与半导体基板(11)接合；背面电极(16)，其形成于半导体基板(11)的背面；以及贯通孔(17)，在贯通孔(17)设置有将源极电极(13)的第二接触区域的源极电极(13b)与背面电极(16)连接的配线，由此，得到不仅能够提高耐腐蚀性，还能够降低泄漏电流，适于高频工作的可靠性高的半导体装置。
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公开(公告)号：CN104868360B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201410708671.3
申请日：2014-11-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/34
CPC classification number: H01S5/34313 , G02B6/122 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/0421 , H01S5/1007 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/1028 , H01S5/2086 , H01S5/2201 , H01S5/2222 , H01S5/2275 , H01S5/3202 , H01S5/34306
Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，其能够一边抑制活性层的露出以及上部半导体层的蚀刻量，一边将化合物半导体层的凸部去除，而不会产生问题，该半导体装置的制造方法具有：激光部形成工序，该工序在衬底的一部分处形成激光部，该激光部具有活性层、在该成活性层上形成的上部半导体层、以及在该上部半导体层上形成的掩模；半导体层形成工序，该工序由含有In的材料形成化合物半导体层，该化合物半导体层与该激光部的侧面接触，在与该激光部接触的部分处具有凸部；以及湿蚀刻工序，该工序通过包含氢溴酸和醋酸在内的蚀刻剂，将该凸部去除，并将该化合物半导体层平坦化。而且，通过该湿蚀刻工序，在该掩模下的该上部半导体层形成(111)A面。
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公开(公告)号：CN104868360A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201410708671.3
申请日：2014-11-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/34
CPC classification number: H01S5/34313 , G02B6/122 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/0421 , H01S5/1007 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/1028 , H01S5/2086 , H01S5/2201 , H01S5/2222 , H01S5/2275 , H01S5/3202 , H01S5/34306
Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，其能够一边抑制活性层的露出以及上部半导体层的蚀刻量，一边将化合物半导体层的凸部去除，而不会产生问题，该半导体装置的制造方法具有：激光部形成工序，该工序在衬底的一部分处形成激光部，该激光部具有活性层、在该成活性层上形成的上部半导体层、以及在该上部半导体层上形成的掩模；半导体层形成工序，该工序由含有In的材料形成化合物半导体层，该化合物半导体层与该激光部的侧面接触，在与该激光部接触的部分处具有凸部；以及湿蚀刻工序，该工序通过包含氢溴酸和醋酸在内的蚀刻剂，将该凸部去除，并将该化合物半导体层平坦化。而且，通过该湿蚀刻工序，在该掩模下的该上部半导体层形成(111)A面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116982160A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202180095877.1
申请日：2021-03-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明的目的在于提供一种降低鳍式晶体管的特性偏差的半导体装置。半导体装置具备基板、半导体层、元件区域以及多个鳍式晶体管。基板包括主面。半导体层作为构成基板的主面的表层而设置，或者设置在基板的主面上。半导体层具有在与基板的主面处于对应关系的晶面上具有相互等价的关系的多个晶体取向中的两个晶体取向所成的角度为60度或120度的晶体结构。元件区域由设置于基板的主面的多个单位元件区域构成。多个鳍式晶体管分别形成于多个单位元件区域中的半导体层。多个鳍式晶体管从元件区域的中央部朝向外周部呈放射状地延伸。多个鳍式晶体管中的彼此相邻的两个鳍式晶体管的间隔为60度或120度。
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公开(公告)号：CN110447091B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201780088667.3
申请日：2017-03-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 津波大介
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供即使基板材料为难蚀刻材料，也适于形成单段锥形槽的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法具备金属掩模形成工序、干蚀刻工序、金属掩膜去除工序。金属掩模形成工序是在基板的背面形成具备开口的锥形金属掩模。所述开口使所述背面的一部分露出，且所述开口的缘部朝向所述背面具有正锥形。干蚀刻工序是通过从所述锥形金属掩模之上对所述开口的所述缘部及从所述开口露出的所述基板进行干蚀刻，从而在所述基板形成锥形槽。金属掩膜去除工序是将所述锥形金属掩模去除。
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公开(公告)号：CN110447091A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201780088667.3
申请日：2017-03-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 津波大介
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供即使基板材料为难蚀刻材料，也适于形成单段锥形槽的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法具备金属掩模形成工序、干蚀刻工序、金属掩膜去除工序。金属掩模形成工序是在基板的背面形成具备开口的锥形金属掩模。所述开口使所述背面的一部分露出，且所述开口的缘部朝向所述背面具有正锥形。干蚀刻工序是通过从所述锥形金属掩模之上对所述开口的所述缘部及从所述开口露出的所述基板进行干蚀刻，从而在所述基板形成锥形槽。金属掩膜去除工序是将所述锥形金属掩模去除。
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公开(公告)号：CN103789764A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310518846.X
申请日：2013-10-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: C23C28/00 , C25D7/12 , H01L21/288 , H01L21/768 , H01L29/45
CPC classification number: H01L21/76874 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/31 , C23C18/34 , C23C18/36 , C23C18/54 , C25D3/16 , C25D3/18 , C25D3/38 , C25D3/50 , C25D5/10 , C25D7/123 , C25D15/00 , H01L21/288 , H01L21/4875 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76898 , H01L23/36 , H01L23/49811 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体元件的制造方法、半导体元件。本发明的目的在于提供一种在基板与金属层之间具有覆盖性好的层并且用该层能抑制作为金属层的成分的Cu等向基板扩散的半导体元件的制造方法及半导体元件。具备：将基板（10）浸渍在包含金属离子的液体中，使金属催化剂（12a）附着在该基板的表面的工序；将附着有该金属催化剂的该基板浸渍在无电解电镀液中以在该基板形成无电解电镀层（14）的工序；将该基板浸渍在电解电镀液中，将该无电解电镀层作为供电层在该无电解电镀层上形成电解电镀层（16）的工序；以及在该电解电镀层上用Cu或Ag形成金属层（18）的工序。该电解电镀层用与该金属层不同的材料形成。
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