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公开(公告)号：CN113474881B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN201980089376.5
申请日：2019-03-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/02
Abstract: 在器件基板(1)的上表面形成有器件(2)。由无电解电镀反应的催化剂金属构成的密封框(16)在器件基板(1)的上表面形成为包围器件(2)。经由密封框(16)将器件基板(1)的上表面与盖基板(10)的下表面以中空状态接合。多个电极(8、11、12)与器件(2)连接并引出至器件基板(1)以及盖基板(10)的外侧。金属膜(20)形成于密封框(16)的外侧面，未形成于器件基板(1)以及盖基板(10)。
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公开(公告)号：CN103789764A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310518846.X
申请日：2013-10-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: C23C28/00 , C25D7/12 , H01L21/288 , H01L21/768 , H01L29/45
CPC classification number: H01L21/76874 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/31 , C23C18/34 , C23C18/36 , C23C18/54 , C25D3/16 , C25D3/18 , C25D3/38 , C25D3/50 , C25D5/10 , C25D7/123 , C25D15/00 , H01L21/288 , H01L21/4875 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76898 , H01L23/36 , H01L23/49811 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体元件的制造方法、半导体元件。本发明的目的在于提供一种在基板与金属层之间具有覆盖性好的层并且用该层能抑制作为金属层的成分的Cu等向基板扩散的半导体元件的制造方法及半导体元件。具备：将基板（10）浸渍在包含金属离子的液体中，使金属催化剂（12a）附着在该基板的表面的工序；将附着有该金属催化剂的该基板浸渍在无电解电镀液中以在该基板形成无电解电镀层（14）的工序；将该基板浸渍在电解电镀液中，将该无电解电镀层作为供电层在该无电解电镀层上形成电解电镀层（16）的工序；以及在该电解电镀层上用Cu或Ag形成金属层（18）的工序。该电解电镀层用与该金属层不同的材料形成。
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公开(公告)号：CN103050460A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210383347.X
申请日：2012-10-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/3192 , H01L23/564 , H01L24/05 , H01L2224/02331 , H01L2224/05008 , H01L2224/0508 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/05583 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供能提高针对来自外部的杂质等的耐性的半导体装置及其制造方法。在GaAs衬底(1)上设置有下层布线(2)。在GaAs衬底(1)及下层布线(2)上设置有树脂膜(4)。树脂膜(4)在下层布线(2)上具有开口(5)。在下层布线(2)及树脂膜(4)上设置有SiN膜(6)。SiN膜(6)在开口(5)内具有开口(7)。在下层布线(2)及树脂膜(4)的一部分上设置有上层布线(8)。上层布线(8)具有经由开口(5)、(7)与下层布线(2)连接的Ti膜(8a)和设置在Ti膜(8a)上的Au膜(8b)。在上层布线(8)及树脂膜(4)上设置有SiN膜(9)。SiN膜(9)在树脂膜(4)上附着于SiN膜(6)。SiN膜(6)、(9)保护Ti膜(8a)的周围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109863590B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201680090274.1
申请日：2016-10-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的半导体装置的特征在于，具备：基板；发热部，其形成于基板之上；盖基板，其在基板的上方以在盖基板与基板之间具有中空部的方式形成；以及反射膜，其在发热部的上方对红外线进行反射。反射膜对由于发热部的温度上升而经由中空部向盖基板侧辐射的红外线进行反射，从而具有抑制盖基板侧的温度上升的作用。由于该作用，即使在模塑树脂存在于盖基板之上的情况下，也产生抑制模塑树脂的温度上升的效果。
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公开(公告)号：CN116745890A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202180090503.0
申请日：2021-01-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/288
Abstract: 将具有GaN表面(2)的基板(1)一边照射紫外光一边浸渍于包含氢氧化钾和镀敷催化剂金属盐的催化剂金属溶液(4)中，而在GaN表面(2)析出催化剂金属(5)。通过无电镀而在析出了催化剂金属(5)的基板(1)的GaN表面(2)形成金属膜(7)。
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公开(公告)号：CN106663615B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201480081636.1
申请日：2014-08-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/288
Abstract: 本发明涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，具有下述工序：催化剂工序，在由例如硅等形成的半导体衬底的表面析出催化剂金属；氧化物去除工序，将在该催化剂工序中形成于该半导体衬底的表面处的氧化物去除；追加催化剂工序，在通过该氧化物去除工序而露出的该半导体衬底的表面处析出催化剂金属；以及镀敷工序，在该追加催化剂工序之后，通过无电解镀敷法，在该半导体衬底的表面形成金属膜。
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公开(公告)号：CN107919856A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710909111.8
申请日：2017-09-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及具有场效应晶体管的半导体装置，其目的在于得到能够抑制基板的面积的增加的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有：晶体管，其设置于第1基板；栅极焊盘，其与该晶体管的栅极电极连接；导电性凸块，其设置于该栅极焊盘之上；第2基板，其设置于该第1基板的上方，具有第1面和第2面；第1电极，其从该第1面贯穿至该第2面，在该第2面侧与该导电性凸块连接；电阻，其一端连接于该第1电极的该第1面侧，另一端连接于输入端子；以及第2电极，其与该第1电极相邻设置在该第1面，以不经由该电阻的状态连接于该输入端子，该晶体管的栅极泄漏电流从该第1电极通过该第2基板的该母材及该第2电极而流动至该输入端子。
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公开(公告)号：CN103050460B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210383347.X
申请日：2012-10-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/3192 , H01L23/564 , H01L24/05 , H01L2224/02331 , H01L2224/05008 , H01L2224/0508 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/05583 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供能提高针对来自外部的杂质等的耐性的半导体装置及其制造方法。在GaAs衬底(1)上设置有下层布线(2)。在GaAs衬底(1)及下层布线(2)上设置有树脂膜(4)。树脂膜(4)在下层布线(2)上具有开口(5)。在下层布线(2)及树脂膜(4)上设置有SiN膜(6)。SiN膜(6)在开口(5)内具有开口(7)。在下层布线(2)及树脂膜(4)的一部分上设置有上层布线(8)。上层布线(8)具有经由开口(5)、(7)与下层布线(2)连接的Ti膜(8a)和设置在Ti膜(8a)上的Au膜(8b)。在上层布线(8)及树脂膜(4)上设置有SiN膜(9)。SiN膜(9)在树脂膜(4)上附着于SiN膜(6)。SiN膜(6)、(9)保护Ti膜(8a)的周围。
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