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公开(公告)号：CN117116967A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310567999.7
申请日：2023-05-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06
Abstract: 提供一种半导体装置，即使向半导体基板形成1层质子缓冲层，也不会出现载流子浓度分布的形成异常，能够使漏电流降低。还涉及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：第1导电型的漂移区域，其形成于具有表面及背面的半导体基板；第1导电型的氢缓冲区域，其配置于漂移区域的背面侧，包含氢作为杂质，杂质浓度比漂移区域高；第1导电型的平坦区域，其配置于氢缓冲区域的背面侧，杂质浓度比漂移区域高；以及第1导电型或第2导电型的载流子注入层，其配置于平坦区域的背面侧，杂质浓度比氢缓冲区域及平坦区域高，氢缓冲区域及平坦区域的氧浓度大于或等于1E16atoms/cm3而小于或等于6E17atoms/cm3，并且是恒定的。
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公开(公告)号：CN116547788B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202080107673.0
申请日：2020-12-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供能够降低硅晶片之间的氧浓度的偏差的技术。半导体装置的制造方法具备：第1工序，在硅晶片的氧浓度小于预先决定的阈值的情况下，进行增大硅晶片的氧浓度的氧的导入，在硅晶片的氧浓度大于阈值的情况下，进行减小硅晶片的氧浓度的氧的导出；第2工序，形成第1面构造；第3工序，从第2面对硅晶片进行研磨；以及第4工序，形成第2面构造。
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公开(公告)号：CN110582851A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201780090213.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 目的在于提供不增加IGBT等半导体装置的厚度而能够抑制关断时的浪涌电压的技术。半导体装置具备按照从第1半导体层至第4半导体层的顺序层叠的、分别具有第1导电类型的第1至第4半导体层，还具备基极层、发射极层、栅极电极、集电极层以及集电极电极。在第1至第4半导体层中，第2半导体层的第1导电类型的杂质浓度最低，第3半导体层的第1导电类型的杂质浓度高于第4半导体层的第1导电类型的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN110892514B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201880037604.X
申请日：2018-04-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 清井明
IPC: H01L21/336 , H01L21/329 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/868
Abstract: 在步骤(T1)中，从半导体基板的背面进行受主离子的注入。在步骤(T2)中，通过进行将半导体基板浸渍到含氢氟酸的药液的湿处理，对半导体基板导入氢原子。在步骤(T3)中，通过对半导体基板的背面照射质子，对半导体基板导入氢原子，并且形成照射缺陷。在步骤(T4)中，通过对半导体基板进行退火处理，氢原子和照射缺陷反应而形成氢关联施主，并且照射缺陷减少。
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公开(公告)号：CN106663615B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201480081636.1
申请日：2014-08-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/288
Abstract: 本发明涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，具有下述工序：催化剂工序，在由例如硅等形成的半导体衬底的表面析出催化剂金属；氧化物去除工序，将在该催化剂工序中形成于该半导体衬底的表面处的氧化物去除；追加催化剂工序，在通过该氧化物去除工序而露出的该半导体衬底的表面处析出催化剂金属；以及镀敷工序，在该追加催化剂工序之后，通过无电解镀敷法，在该半导体衬底的表面形成金属膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116547788A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202080107673.0
申请日：2020-12-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/336
Abstract: 目的在于提供能够降低硅晶片之间的氧浓度的偏差的技术。半导体装置的制造方法具备：第1工序，在硅晶片的氧浓度小于预先决定的阈值的情况下，进行增大硅晶片的氧浓度的氧的导入，在硅晶片的氧浓度大于阈值的情况下，进行减小硅晶片的氧浓度的氧的导出；第2工序，形成第1面构造；第3工序，从第2面对硅晶片进行研磨；以及第4工序，形成第2面构造。
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公开(公告)号：CN106663615A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201480081636.1
申请日：2014-08-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/288
Abstract: 本发明涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，具有下述工序：催化剂工序，在由例如硅等形成的半导体衬底的表面析出催化剂金属；氧化物去除工序，将在该催化剂工序中形成于该半导体衬底的表面处的氧化物去除；追加催化剂工序，在通过该氧化物去除工序而露出的该半导体衬底的表面处析出催化剂金属；以及镀敷工序，在该追加催化剂工序之后，通过无电解镀敷法，在该半导体衬底的表面形成金属膜。
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公开(公告)号：CN110582851B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201780090213.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 目的在于提供不增加IGBT等半导体装置的厚度而能够抑制关断时的浪涌电压的技术。半导体装置具备按照从第1半导体层至第4半导体层的顺序层叠的、分别具有第1导电类型的第1至第4半导体层，还具备基极层、发射极层、栅极电极、集电极层以及集电极电极。在第1至第4半导体层中，第2半导体层的第1导电类型的杂质浓度最低，第3半导体层的第1导电类型的杂质浓度高于第4半导体层的第1导电类型的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN114597249A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111457673.6
申请日：2021-12-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明的目的在于提供能够容易地提高栅极耐压的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：第1导电型的硅基板，其具有单元部和在俯视观察时将该单元部包围的末端部；第1导电型的发射极层，其设置于单元部的硅基板的表面；第2导电型的集电极层，其设置于单元部的硅基板的背面；第1导电型的漂移层，其设置于发射极层和集电极层之间；沟槽栅极，其是以从发射极层的表面到达漂移层的方式设置的；以及第2导电型的阱层，其设置于末端部的硅基板的表面，在单元部处晶体缺陷所包含的空位比在末端部处晶体缺陷所包含的空位少。
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公开(公告)号：CN110892514A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201880037604.X
申请日：2018-04-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 清井明
IPC: H01L21/336 , H01L21/329 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/868
Abstract: 在步骤(T1)中，从半导体基板的背面进行受主离子的注入。在步骤(T2)中，通过进行将半导体基板浸渍到含氢氟酸的药液的湿处理，对半导体基板导入氢原子。在步骤(T3)中，通过对半导体基板的背面照射质子，对半导体基板导入氢原子，并且形成照射缺陷。在步骤(T4)中，通过对半导体基板进行退火处理，氢原子和照射缺陷反应而形成氢关联施主，并且照射缺陷减少。
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