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公开(公告)号：CN114597249A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111457673.6
申请日：2021-12-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明的目的在于提供能够容易地提高栅极耐压的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：第1导电型的硅基板，其具有单元部和在俯视观察时将该单元部包围的末端部；第1导电型的发射极层，其设置于单元部的硅基板的表面；第2导电型的集电极层，其设置于单元部的硅基板的背面；第1导电型的漂移层，其设置于发射极层和集电极层之间；沟槽栅极，其是以从发射极层的表面到达漂移层的方式设置的；以及第2导电型的阱层，其设置于末端部的硅基板的表面，在单元部处晶体缺陷所包含的空位比在末端部处晶体缺陷所包含的空位少。
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公开(公告)号：CN112038392B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202010475223.9
申请日：2020-05-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 目的在于提供能够降低半导体装置的泄漏电流的技术。半导体装置具有：第4杂质层，其在末端部中的最外周的第2杂质层与第1杂质层之间，以与最外周的第2杂质层连接，但与第1杂质层分离的状态配置，第4杂质层具有第2导电型，杂质浓度比第2杂质层低；绝缘膜，其配置于末端部的至少一部分之上，在第1杂质层之上具有第1开口部；以及电极，其配置于绝缘膜之上，经由第1开口部而与第1杂质层连接。
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公开(公告)号：CN109817697A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811367746.0
申请日：2018-11-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供能够兼顾恢复损耗(EREC)及反向恢复电流(Irr)的降低和在导线键合时产生的裂纹的影响的抑制的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：n型半导体衬底(1)；p型阳极层，其设置于n型半导体衬底(1)的表面；阳极电极(4)，其设置于p型阳极层之上；以及导线(8)，其与阳极电极(4)连接，p型阳极层包含p+型阳极层(3)和p－型阳极层(2)，该p+型阳极层(3)包含导线(8)的连接位置正下方，该p－型阳极层(2)不包含连接位置正下方，p+型阳极层(3)的杂质浓度与p－型阳极层(2)的杂质浓度相比为高浓度。
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公开(公告)号：CN114388611B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202111203053.X
申请日：2021-10-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H10D62/10
Abstract: 本发明的技术的目的在于抑制电力用半导体装置的耐压下降。半导体基体(11)具有：n‑型的半导体基板(3)；以及至少1个p型扩散层(4)，其在终端区域(2)处的半导体基板(3)的第1主面(S1)侧的表层彼此分离地形成。电力用半导体装置(101)具有在绝缘膜(5、15)之间的半导体基体(11)的第1主面(S1)之上形成的至少1个绝缘膜(25)。半绝缘膜(8)在绝缘膜(25)之上与绝缘膜(25)接触，在绝缘膜(5、15)之间的未形成绝缘膜(25)的至少大于或等于2个区域与第1主面(S1)接触。
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公开(公告)号：CN114566536A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202111385011.2
申请日：2021-11-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/762 , H01L27/06 , H01L29/739 , H01L29/861
Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。提供改善能量损耗的半导体装置。半导体装置包含半导体基板、第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、二极管沟槽栅极及电极层。第1半导体层是作为半导体基板的上表面侧的表层而设置的。第2半导体层设置于第1半导体层的下方。二极管沟槽栅极的二极管沟槽绝缘膜是沿沟槽的内壁中的位于上部侧壁的下方的下部侧壁和底部形成的，该上部侧壁位于沟槽的上端侧。二极管沟槽栅极的二极管沟槽电极设置于沟槽内部。电极层将沟槽的上部侧壁覆盖。第1半导体层在沟槽的上部侧壁处与电极层接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117316996A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310741424.2
申请日：2023-06-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 提供能够有效地防止截止时的振荡的半导体装置。半导体衬底(101)的第1主面(MS1)与n型漂移层(190)之间的n型第1缓冲层(110)包含：第1区域(111)，其包含质子，与漂移层接触；第2区域(112)，其包含质子，位于第1区域与第1主面之间，与第1区域接触；以及第3区域(113)，其位于第1缓冲层的第2区域与第1主面之间。第1缓冲层的杂质浓度分布具有：作为其最大值的第2区域中的最大值；从最大值起的减小得到缓和或停止的第1区域与第2区域之间的边界点(KN)处的弯折部；大于或等于最大值的80％的边界点处的值；作为第3区域的、以大于或等于5μm的范围呈比边界点处的值低且小于或等于5.0×1014/cm3的杂质浓度的分布。
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公开(公告)号：CN117116967A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310567999.7
申请日：2023-05-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06
Abstract: 提供一种半导体装置，即使向半导体基板形成1层质子缓冲层，也不会出现载流子浓度分布的形成异常，能够使漏电流降低。还涉及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：第1导电型的漂移区域，其形成于具有表面及背面的半导体基板；第1导电型的氢缓冲区域，其配置于漂移区域的背面侧，包含氢作为杂质，杂质浓度比漂移区域高；第1导电型的平坦区域，其配置于氢缓冲区域的背面侧，杂质浓度比漂移区域高；以及第1导电型或第2导电型的载流子注入层，其配置于平坦区域的背面侧，杂质浓度比氢缓冲区域及平坦区域高，氢缓冲区域及平坦区域的氧浓度大于或等于1E16atoms/cm3而小于或等于6E17atoms/cm3，并且是恒定的。
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公开(公告)号：CN112038392A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010475223.9
申请日：2020-05-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 目的在于提供能够降低半导体装置的泄漏电流的技术。半导体装置具有：第4杂质层，其在末端部中的最外周的第2杂质层与第1杂质层之间，以与最外周的第2杂质层连接，但与第1杂质层分离的状态配置，第4杂质层具有第2导电型，杂质浓度比第2杂质层低；绝缘膜，其配置于末端部的至少一部分之上，在第1杂质层之上具有第1开口部；以及电极，其配置于绝缘膜之上，经由第1开口部而与第1杂质层连接。
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公开(公告)号：CN117637809A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311045986.X
申请日：2023-08-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L21/225 , H02M1/00 , H02M1/08
Abstract: 提供能够抑制能量损耗恶化的半导体装置及其制造方法。还涉及电力变换装置。半导体装置的特征在于具有：第1导电型的漂移层，其设置于具有第1主面和与所述第1主面相对的第2主面的半导体基板的所述第1主面和所述第2主面之间；以及第1导电型的场阻断层，其具有比所述漂移层的杂质浓度高的杂质浓度，设置于所述漂移层与所述第2主面之间，所述场阻断层从所述第2主面朝向所述第1主面在室温下的实质的载流子浓度分布中具有至少大于或等于1个峰值，在氢原子浓度的分布中具有至少大于或等于2个峰值，所述氢原子浓度的分布中的峰值的数量比所述实质的载流子浓度分布中的峰值的数量多。
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公开(公告)号：CN109817697B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201811367746.0
申请日：2018-11-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供能够兼顾恢复损耗(EREC)及反向恢复电流(Irr)的降低和在导线键合时产生的裂纹的影响的抑制的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：n型半导体衬底(1)；p型阳极层，其设置于n型半导体衬底(1)的表面；阳极电极(4)，其设置于p型阳极层之上；以及导线(8)，其与阳极电极(4)连接，p型阳极层包含p+型阳极层(3)和p－型阳极层(2)，该p+型阳极层(3)包含导线(8)的连接位置正下方，该p－型阳极层(2)不包含连接位置正下方，p+型阳极层(3)的杂质浓度与p－型阳极层(2)的杂质浓度相比为高浓度。
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