公开(公告)号：CN113764264A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110593866.8

申请日：2021-05-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三神和章 ,  南竹春彦 ,  金田和德

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/66 ,  H01L21/331 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法及半导体制造装置。提供在进行激光退火处理时针对多个半导体基板进行厚度的测定的情况下，利用进行厚度测定的半导体基板有多个这一点的半导体装置的制造方法。针对多个半导体基板中的至少1个半导体基板，各自基于该半导体基板的厚度的测定结果的数据即自身厚度数据、多个半导体基板中的该半导体基板之外的至少1个半导体基板的厚度的测定结果的数据即参考厚度数据，对照射至该半导体基板的激光进行控制而进行激光退火处理。

公开(公告)号：CN117637809A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311045986.X

申请日：2023-08-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宫田祐辅 ,  铃木健司 ,  原口友树 ,  南竹春彦 ,  星泰晖 ,  纐缬英典

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L21/225 ,  H02M1/00 ,  H02M1/08

Abstract: 提供能够抑制能量损耗恶化的半导体装置及其制造方法。还涉及电力变换装置。半导体装置的特征在于具有：第1导电型的漂移层，其设置于具有第1主面和与所述第1主面相对的第2主面的半导体基板的所述第1主面和所述第2主面之间；以及第1导电型的场阻断层，其具有比所述漂移层的杂质浓度高的杂质浓度，设置于所述漂移层与所述第2主面之间，所述场阻断层从所述第2主面朝向所述第1主面在室温下的实质的载流子浓度分布中具有至少大于或等于1个峰值，在氢原子浓度的分布中具有至少大于或等于2个峰值，所述氢原子浓度的分布中的峰值的数量比所述实质的载流子浓度分布中的峰值的数量多。

公开(公告)号：CN117316996A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202310741424.2

申请日：2023-06-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木健司 ,  原口友树 ,  南竹春彦 ,  星泰晖 ,  纐缬英典 ,  宫田祐辅

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 提供能够有效地防止截止时的振荡的半导体装置。半导体衬底(101)的第1主面(MS1)与n型漂移层(190)之间的n型第1缓冲层(110)包含：第1区域(111)，其包含质子，与漂移层接触；第2区域(112)，其包含质子，位于第1区域与第1主面之间，与第1区域接触；以及第3区域(113)，其位于第1缓冲层的第2区域与第1主面之间。第1缓冲层的杂质浓度分布具有：作为其最大值的第2区域中的最大值；从最大值起的减小得到缓和或停止的第1区域与第2区域之间的边界点(KN)处的弯折部；大于或等于最大值的80％的边界点处的值；作为第3区域的、以大于或等于5μm的范围呈比边界点处的值低且小于或等于5.0×1014/cm3的杂质浓度的分布。

公开(公告)号：CN117116967A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310567999.7

申请日：2023-05-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 星泰晖 ,  铃木健司 ,  原口友树 ,  南竹春彦 ,  纐缬英典 ,  宫田祐辅 ,  清井明

IPC: H01L29/06

Abstract: 提供一种半导体装置，即使向半导体基板形成1层质子缓冲层，也不会出现载流子浓度分布的形成异常，能够使漏电流降低。还涉及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：第1导电型的漂移区域，其形成于具有表面及背面的半导体基板；第1导电型的氢缓冲区域，其配置于漂移区域的背面侧，包含氢作为杂质，杂质浓度比漂移区域高；第1导电型的平坦区域，其配置于氢缓冲区域的背面侧，杂质浓度比漂移区域高；以及第1导电型或第2导电型的载流子注入层，其配置于平坦区域的背面侧，杂质浓度比氢缓冲区域及平坦区域高，氢缓冲区域及平坦区域的氧浓度大于或等于1E16atoms/cm3而小于或等于6E17atoms/cm3，并且是恒定的。

公开(公告)号：CN108701594A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780014830.1

申请日：2017-02-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 物种武士 ,  川濑佑介 ,  凑忠玄 ,  竹野祥瑞 ,  永山贵久 ,  南竹春彦 ,  金田和德 ,  巽裕章

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0823 ,  B23K26/0869 ,  B23K26/0876 ,  B23K26/352 ,  B23K26/705 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/26513

Abstract: 热处理装置具备振荡得到激光的激光振荡器(1)、使从激光振荡器(1)振荡得到的激光向被处理物(5)照射的一个以上的光学系统(2)、以及供被处理物(5)搭载的旋转台(3)，在将通过激光的一次照射得到的被处理物(5)的激活率达到目标值的被处理物(5)的达到温度设为第1温度时，将比第1温度低的第2温度设定为被处理物(5)的达到温度的目标值，从光学系统(2)对被处理物(5)反复进行两次以上激光的照射。

公开(公告)号：CN114597249A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202111457673.6

申请日：2021-12-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木健司 ,  原口友树 ,  南竹春彦 ,  星泰晖 ,  吉田拓弥 ,  纐缬英典 ,  宫田祐辅 ,  清井明

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明的目的在于提供能够容易地提高栅极耐压的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：第1导电型的硅基板，其具有单元部和在俯视观察时将该单元部包围的末端部；第1导电型的发射极层，其设置于单元部的硅基板的表面；第2导电型的集电极层，其设置于单元部的硅基板的背面；第1导电型的漂移层，其设置于发射极层和集电极层之间；沟槽栅极，其是以从发射极层的表面到达漂移层的方式设置的；以及第2导电型的阱层，其设置于末端部的硅基板的表面，在单元部处晶体缺陷所包含的空位比在末端部处晶体缺陷所包含的空位少。

公开(公告)号：CN110214364A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201880007204.4

申请日：2018-01-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 物种武士 ,  川濑佑介 ,  南竹春彦 ,  巽裕章 ,  金田和德

IPC: H01L21/268 ,  C21D1/34 ,  G01K11/12

Abstract: 热处理装置(21)具备：振荡出激光(L)的激光振荡部(1)、保持被激光(L)照射的照射对象物(31)的工件台、将从激光振荡部(1)振荡出的激光(L)引导至照射对象物(31)的光学系统(2)、以及使光学系统(2)与照射对象物(31)的位置关系相对地变化的移动部。另外，热处理装置(21)具备：检测部(9)，检测激光(L)在照射对象物(31)的表面被反射后的第一反射光(R1)的功率；以及判定部(10)，基于由检测部(9)检测出的第一反射光(R1)的功率的检测值，判定在照射对象物(31)中被激光(L)照射的区域的表面温度有无变化。