公开(公告)号：CN116913767A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310398499.5

申请日：2023-04-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三神和章 ,  石井智洋 ,  中村胜光 ,  金田和德

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 提供半导体装置的制造方法及制造装置，即使对于产生了裂缝的基板，也能够对不良情况进行抑制，并且进行激光退火处理。对在基板的主面产生的裂缝进行检测，以向包含检测出的裂缝的裂缝区域内的单位面积照射的退火用的激光的光量的时间积分小于向与裂缝区域不同的区域内的单位面积照射的激光的光量的时间积分的方式，使激光在基板的主面之上扫描，对基板进行激光退火处理。

公开(公告)号：CN113764264A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110593866.8

申请日：2021-05-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三神和章 ,  南竹春彦 ,  金田和德

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/66 ,  H01L21/331 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法及半导体制造装置。提供在进行激光退火处理时针对多个半导体基板进行厚度的测定的情况下，利用进行厚度测定的半导体基板有多个这一点的半导体装置的制造方法。针对多个半导体基板中的至少1个半导体基板，各自基于该半导体基板的厚度的测定结果的数据即自身厚度数据、多个半导体基板中的该半导体基板之外的至少1个半导体基板的厚度的测定结果的数据即参考厚度数据，对照射至该半导体基板的激光进行控制而进行激光退火处理。