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公开(公告)号：CN116913767A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310398499.5
申请日：2023-04-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/268 , H01L21/66 , H01L21/67
Abstract: 提供半导体装置的制造方法及制造装置，即使对于产生了裂缝的基板，也能够对不良情况进行抑制，并且进行激光退火处理。对在基板的主面产生的裂缝进行检测，以向包含检测出的裂缝的裂缝区域内的单位面积照射的退火用的激光的光量的时间积分小于向与裂缝区域不同的区域内的单位面积照射的激光的光量的时间积分的方式，使激光在基板的主面之上扫描，对基板进行激光退火处理。
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