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公开(公告)号：CN115315818B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202080098843.3
申请日：2020-03-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H10F30/227 , H10F39/10
Abstract: 电磁波检测器(100A)具备：半导体基板(1)；第1绝缘膜(2)，配置于半导体基板上，并且以使半导体基板的一部分露出的方式形成；第1电极(3)，配置于第1绝缘膜上；二维材料层(5)，具有在半导体基板的一部分与半导体基板肖特基接合的接合部(12)，从接合部经由第1绝缘膜之上而延伸至第1电极；第2电极(6)，与半导体基板接触；以及控制电极(7)，在俯视时配置于接合部的周围的至少一部分，并且与半导体基板肖特基接合。
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公开(公告)号：CN118383026A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202180104951.1
申请日：2021-12-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H04N7/18
Abstract: 热图像取得部(2)拍摄阳台(1)来取得热图像。设定部(11)设定热图像中的与阳台(1)的外侧对应的屋外区域(15)和与阳台(1)的内部对应的阳台内区域(16)。热源检测部(9)在热图像中检测热源(14)。闯入判定部(12)当在热图像中具有阈值以上的像素数和温度的热源(14)的中心位置从屋外区域(15)向阳台内区域(16)移动时判定为“有闯入”。判定结果输出部(13)输出基于闯入判定部(12)的判定结果。由此，在监控有无向阳台的闯入的防犯系统中能够实施判定装置的小型化而减少耗电。
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公开(公告)号：CN117063298A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202180096342.6
申请日：2021-03-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/08
Abstract: 电磁波检测器(100)具备：半导体层(1)；绝缘层(5)，所述绝缘层(5)配置在半导体层上，并形成有开口部(6)；二维材料层(2)，所述二维材料层(2)从开口部上延伸至绝缘层上，并包含与面向开口部的绝缘层的周缘部(5A)相接的连接部，且与半导体层电连接；第一电极部(3)，所述第一电极部(3)配置在绝缘层上，且与二维材料层电连接；第二电极部(4)，所述第二电极部(4)与半导体层电连接；以及单极阻挡层(7)，所述单极阻挡层(7)配置在半导体层与二维材料层的连接部之间，分别与半导体层及二维材料层电连接。
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公开(公告)号：CN115803897A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202180038946.5
申请日：2021-03-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/108 , G01J1/02
Abstract: 电磁波检测器(100)具备半导体层(4)、第1绝缘膜(3a)、二维材料层(1)、第1电极(2a)、第2电极(2b)、第2绝缘膜(3b)和控制电极(2c)。第1绝缘膜(3a)配置于半导体层(1)上。在第1绝缘膜(3a)形成有开口部(OP)。二维材料层(1)在开口部(OP)电连接于半导体层(4)。二维材料层(1)从开口部(OP)上延伸直至第1绝缘膜(3a)。第2绝缘膜(3b)与二维材料层(1)相接。控制电极(2c)隔着第2绝缘膜(3b)连接于二维材料层(1)。
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公开(公告)号：CN110392933B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201780085842.3
申请日：2017-10-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 电磁波检测器包括并排设置于绝缘层之上的p型以及n型的石墨烯、隔着石墨烯而对置配置的第一电极和第二电极、向p型以及n型的石墨烯施加动作电压的栅极电极以及连接于2个第二电极之间的平衡电路和检测电路，p型的石墨烯具有比动作电压高的狄拉克点电压，n型的石墨烯具有比动作电压低的狄拉克点电压，在电磁波未入射于石墨烯的状态下，平衡电路使第一电极和第二电极具有相同电位，在电磁波入射于p型以及n型的石墨烯的状态下，检测电路检测第二电极间的电信号，输出电磁波入射后的状态的电信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109417106A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780040692.4
申请日：2017-04-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/111
Abstract: 对入射到石墨烯层的电磁波进行光电变换而检测的电磁波检测器包括：基板，具有表面和背面；下部绝缘层，设置于基板的表面上；设置于下部绝缘层上的铁电体层、及隔着铁电体层相向配置的一对电极；上部绝缘层，设置于铁电体层上；以及石墨烯层，在下部绝缘层及上部绝缘层上以连接2个电极的方式设置，或者，包括：石墨烯层，设置于下部绝缘层上；以及在石墨烯层上经由上部绝缘层设置的铁电体层、及隔着该铁电体层相向配置的一对电极，与下部绝缘层相反的一侧的石墨烯层的表面是电磁波入射面，由于电磁波，铁电体层的极化值变化，对石墨烯层施加电压。
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公开(公告)号：CN114041210B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202080047788.5
申请日：2020-03-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/10
Abstract: 检测灵敏度高并且能够进行关断动作的使用二维材料层的电磁波检测器具备受光元件(4)、绝缘膜(3)、二维材料层(1)、第1电极部(2a)以及第2电极部(2b)。受光元件(4)包括第1导电类型的第1半导体部分(4a)和第2半导体部分(4b)。第2半导体部分(4b)与第1半导体部分(4a)接合。第2半导体部分(4b)是第2导电类型。绝缘膜(3)配置于受光元件(4)上。在绝缘膜(3)形成有开口部(3a)。二维材料层(1)在开口部(3a)与第1半导体部分(4a)电连接。二维材料层(1)从开口部(3a)上延伸至绝缘膜(3)上。第1电极部(2a)配置于绝缘膜(3)上。第1电极部(2a)与二维材料层(1)电连接。第2电极部(2b)与第2半导体部分(4b)电连接。
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公开(公告)号：CN111954931B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201980018090.8
申请日：2019-01-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739
Abstract: 提高高温动作时的栅极电阻元件的可靠性。半导体装置具备漂移层(1)、基底层(5)、发射极层(9)、栅极绝缘膜(7)、栅极电极(6A)、栅极焊盘电极(13)、第一电阻层(200)以及第一氮化物层(300)，第一电阻层的电阻具有负的温度系数，第一电阻层由掺杂有氢的非晶硅形成，第一氮化物层由氮化硅层或氮化铝层形成。
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公开(公告)号：CN110582851B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201780090213.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 目的在于提供不增加IGBT等半导体装置的厚度而能够抑制关断时的浪涌电压的技术。半导体装置具备按照从第1半导体层至第4半导体层的顺序层叠的、分别具有第1导电类型的第1至第4半导体层，还具备基极层、发射极层、栅极电极、集电极层以及集电极电极。在第1至第4半导体层中，第2半导体层的第1导电类型的杂质浓度最低，第3半导体层的第1导电类型的杂质浓度高于第4半导体层的第1导电类型的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN109417106B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201780040692.4
申请日：2017-04-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/111
Abstract: 对入射到石墨烯层的电磁波进行光电变换而检测的电磁波检测器包括：基板，具有表面和背面；下部绝缘层，设置于基板的表面上；设置于下部绝缘层上的铁电体层、及隔着铁电体层相向配置的一对电极；上部绝缘层，设置于铁电体层上；以及石墨烯层，在下部绝缘层及上部绝缘层上以连接2个电极的方式设置，或者，包括：石墨烯层，设置于下部绝缘层上；以及在石墨烯层上经由上部绝缘层设置的铁电体层、及隔着该铁电体层相向配置的一对电极，与下部绝缘层相反的一侧的石墨烯层的表面是电磁波入射面，由于电磁波，铁电体层的极化值变化，对石墨烯层施加电压。
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