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公开(公告)号：CN119213571A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202380041010.7
申请日：2023-03-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/812 , H01L21/28 , H01L21/338 , H01L29/778
Abstract: 本公开涉及半导体装置，半导体装置具备：半导体基板；沟道层，设置于半导体基板上，由第1氮化物半导体构成；阻挡层，设置于沟道层上，由具有比第1氮化物半导体的带隙大的带隙的第2氮化物半导体构成；金属膜，选择性地形成于阻挡层的上方；复合层，以与金属膜相接的方式设置，至少具有导电性材料和绝缘性材料；以及绝缘膜，形成于阻挡层上的未形成有金属膜以及所述复合层的区域。
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公开(公告)号：CN110313071B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201780084467.0
申请日：2017-02-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 基板(1)包括氮化镓系材料。n型层(2)设置于基板(1)的第1面上。p型层(31)设置于n型层(2)上，在基板(1)的第1面上，与n型层(2)一起，构成设置有具有底面(41b)、侧面(41s)、以及顶面(41t)的台面形状(41)的半导体层。阳电极(71)设置于p型层(31)上。阴电极(6)设置于基板(1)的第2面上。绝缘膜(8)通过从底面(41b)上延伸到顶面(41t)上而覆盖侧面(41s)。在顶面(41t)中设置有至少1个沟槽(51)。上述至少1个沟槽(51)包括被绝缘膜(8)填充的沟槽(51)。
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公开(公告)号：CN109478571B
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN201780040477.4
申请日：2017-06-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/47
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公开(公告)号：CN104810415B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510038981.3
申请日：2015-01-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开太阳能电池以及太阳能电池的制造方法。得到遮光损失少且具有低电阻的电极的太阳能电池。其特征在于，具备：太阳能电池单元，具有pn结；受光面侧电极，在太阳能电池单元的受光面以按照一定的间隔在一个方向上伸长的方式设置，对光电变换的电荷进行集电，具有多个栅格电极(7)；以及背面电极(8)，设置于太阳能电池单元的与受光面(A)相向的背面(B)，栅格电极(7)包括与太阳能电池单元的受光面(A)抵接的第1籽晶面(6A)、相对第1籽晶面(6A)立起且与第1籽晶面(6A)连接的第2籽晶面(6B)、以及与第1及第2籽晶面(6A、6B)抵接的镀覆层。
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公开(公告)号：CN117941041A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202180101847.7
申请日：2021-09-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/365
Abstract: 目的在于提供一种能够提高器件特性的技术。晶体层叠构造体具备具有第1主面的Ga2O3单晶体基板。另外，晶体层叠构造体具备设置于Ga2O3单晶体基板的第1主面上并在与Ga2O3单晶体基板相反的一侧具有第2主面的作为外延生长层的Ga2O3单晶体层。Ga2O3单晶体基板的第1主面的面取向是(011)面。另外，Ga2O3单晶体层的第2主面是(011)面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111954931B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201980018090.8
申请日：2019-01-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739
Abstract: 提高高温动作时的栅极电阻元件的可靠性。半导体装置具备漂移层(1)、基底层(5)、发射极层(9)、栅极绝缘膜(7)、栅极电极(6A)、栅极焊盘电极(13)、第一电阻层(200)以及第一氮化物层(300)，第一电阻层的电阻具有负的温度系数，第一电阻层由掺杂有氢的非晶硅形成，第一氮化物层由氮化硅层或氮化铝层形成。
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公开(公告)号：CN114175219A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201980098913.2
申请日：2019-11-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明涉及异质结场效应型晶体管，在第一氮化物半导体的沟道层的上层部具备：与第一氮化物半导体异质接合的第二氮化物半导体的阻挡层；中间夹持阻挡层而相互留有间隔地设置的n型的第一杂质区域和n型的第二杂质区域；在第一杂质区域和所述第二杂质区域上设置的源电极及漏电极；与至少阻挡层的除源电极侧的边缘部以外的区域接触的方式设置的绝缘膜；至少将与阻挡层的边缘部接触、且与阻挡层的除边缘部以外的区域接触而设置的绝缘膜覆盖的栅极绝缘膜；和以将缘膜上的一部分区域上和阻挡层的边缘部的区域上覆盖的方式在栅极绝缘膜上设置的栅电极，在阻挡层中的边缘部的沟道层与阻挡层的界面产生的2DEG引起的薄层电阻成为10kΩ/sq以上。
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公开(公告)号：CN113169055A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201880099749.2
申请日：2018-12-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明的目的在于提供可防止将多个金属层层叠而成的电极中的有机物污染的半导体装置。半导体装置包含：半导体基板、和在半导体基板的主面层叠的包含多个层的电极。电极包含：包含Al且与半导体基板的主面接触的第1金属层；包含金属和氧且设置于第1金属层的表面的氧化层；和在氧化层的表面设置的第2金属层。氧化层的氧浓度为8.0×1021/cm3以上且4.0×1022/cm3以下。
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公开(公告)号：CN111656532A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201880087962.1
申请日：2018-12-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L29/47 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 为了提供降低缺陷层所引起的泄漏电流而阈值电压的变动小的电力用半导体装置，具备：单晶n型半导体基板(1)；n型外延膜层(2)，形成于单晶n型半导体基板的表面，具有凹部(50)及凸部(51)；阴极电极(6)，形成于单晶n型半导体基板的与表面相反一侧的面；绝缘膜(4)，形成于凸部的顶部(512)的第一区域(57)；p型薄膜层(3)，形成于绝缘膜及n型外延膜层的表面，在与n型外延膜层之间形成pn结；以及阳极电极(5)，至少一部分形成于p型薄膜层的表面，一部分贯通p型薄膜层及绝缘膜，在与顶部的边缘部(513)之间被第一区域隔开的第二区域(56)在与n型外延膜层之间，形成肖特基结。
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公开(公告)号：CN105164819B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201480025001.X
申请日：2014-05-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 绵引达郎
IPC: H01L31/0747 , H01L31/054 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/0747 , H01L31/022425 , H01L31/056 , Y02E10/52
Abstract: 在作为半导体基板的n型单晶硅基板1的与光入射面相反一侧的面，在第1导电类型非晶质半导体膜(n型非晶硅层5)上具备载流子浓度低的第1导电性半导体膜(第1氧化铟层9)，在其上具备载流子浓度高的第2导电性半导体膜(第2氧化铟层10)，在载流子浓度低的第1导电性半导体膜中具备绝缘性微粒8。由此，即使使光发生散射而延长光程长度，也不引起导电性半导体膜中的吸收且没有损失，能够同时实现红外吸收的抑制和由有效的散射带来的光程长度的增大，不导致电气特性的劣化，在100μm以下的薄型半导体基板的情况下，也能够得到高的变换效率。
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