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公开(公告)号：CN110663105A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201780090465.2
申请日：2017-05-31
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 提供在使用氮化半导体的场效应型晶体管中，得到充分的大小的漏极电流的技术。在半导体基板(1)的上表面，形成作为Alx1Iny1Ga1-x1-y1N的沟道层(3)，在沟道层(3)的上表面，形成具有比沟道层(3)的带隙大的带隙的作为Alx2Iny2Ga1-x2-y2N的势垒层(4)。然后，在势垒层(4)的上表面，至少部分性地形成具有比势垒层(4)大的带隙的、作为绝缘体或者半导体的栅极绝缘膜(9)，在栅极绝缘膜(9)的上表面，形成栅电极(10)。然后，一边对栅电极(10)施加正的电压，一边进行热处理。
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公开(公告)号：CN110663105B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201780090465.2
申请日：2017-05-31
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 提供在使用氮化半导体的场效应型晶体管中，得到充分的大小的漏极电流的技术。在半导体基板(1)的上表面，形成作为Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N的沟道层(3)，在沟道层(3)的上表面，形成具有比沟道层(3)的带隙大的带隙的作为Alx2Iny2Ga1‑x2‑y2N的势垒层(4)。然后，在势垒层(4)的上表面，至少部分性地形成具有比势垒层(4)大的带隙的、作为绝缘体或者半导体的栅极绝缘膜(9)，在栅极绝缘膜(9)的上表面，形成栅电极(10)。然后，一边对栅电极(10)施加正的电压，一边进行热处理。
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公开(公告)号：CN108780815A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780017450.3
申请日：2017-03-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 本发明的第一绝缘层(41)设置在半导体基板(31)的第二面(P2)上，具有开口部(OP)。第二绝缘层(6)设置在第二面(P2)，与第一绝缘层(41)分离。层叠体(51)在第二面(P2)上，由氮化镓类材料制成，依次具有侧部n型外延层(7)和第一以及第二p型外延层(8、9)。层叠体(51)具有由第二p型外延层(9)构成的部分的外侧侧壁(SO)、从第二绝缘层(6)延伸的内侧侧壁(SI)以及顶面(ST)。n型接触层(12)设置于顶面(ST)上。源电极部(14)在顶面(ST)上与n型接触层(12)接触，且在外侧侧壁(SO)上与第二p型外延层(9)接触。栅极绝缘膜(16)设置于内侧侧壁(SI)上。
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公开(公告)号：CN104810415A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510038981.3
申请日：2015-01-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开太阳能电池以及太阳能电池的制造方法。得到遮光损失少且具有低电阻的电极的太阳能电池。其特征在于，具备：太阳能电池单元，具有pn结；受光面侧电极，在太阳能电池单元的受光面以按照一定的间隔在一个方向上伸长的方式设置，对光电变换的电荷进行集电，具有多个栅格电极(7)；以及背面电极(8)，设置于太阳能电池单元的与受光面(A)相向的背面(B)，栅格电极(7)包括与太阳能电池单元的受光面(A)抵接的第1籽晶面(6A)、相对第1籽晶面(6A)立起且与第1籽晶面(6A)连接的第2籽晶面(6B)、以及与第1及第2籽晶面(6A、6B)抵接的镀覆层。
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公开(公告)号：CN110313071B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201780084467.0
申请日：2017-02-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 基板(1)包括氮化镓系材料。n型层(2)设置于基板(1)的第1面上。p型层(31)设置于n型层(2)上，在基板(1)的第1面上，与n型层(2)一起，构成设置有具有底面(41b)、侧面(41s)、以及顶面(41t)的台面形状(41)的半导体层。阳电极(71)设置于p型层(31)上。阴电极(6)设置于基板(1)的第2面上。绝缘膜(8)通过从底面(41b)上延伸到顶面(41t)上而覆盖侧面(41s)。在顶面(41t)中设置有至少1个沟槽(51)。上述至少1个沟槽(51)包括被绝缘膜(8)填充的沟槽(51)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108780815B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201780017450.3
申请日：2017-03-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 本发明的第一绝缘层(41)设置在半导体基板(31)的第二面(P2)上，具有开口部(OP)。第二绝缘层(6)设置在第二面(P2)，与第一绝缘层(41)分离。层叠体(51)在第二面(P2)上，由氮化镓类材料制成，依次具有侧部n型外延层(7)和第一以及第二p型外延层(8、9)。层叠体(51)具有由第二p型外延层(9)构成的部分的外侧侧壁(SO)、从第二绝缘层(6)延伸的内侧侧壁(SI)以及顶面(ST)。n型接触层(12)设置于顶面(ST)上。源电极部(14)在顶面(ST)上与n型接触层(12)接触，且在外侧侧壁(SO)上与第二p型外延层(9)接触。栅极绝缘膜(16)设置于内侧侧壁(SI)上。
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公开(公告)号：CN104810415B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510038981.3
申请日：2015-01-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开太阳能电池以及太阳能电池的制造方法。得到遮光损失少且具有低电阻的电极的太阳能电池。其特征在于，具备：太阳能电池单元，具有pn结；受光面侧电极，在太阳能电池单元的受光面以按照一定的间隔在一个方向上伸长的方式设置，对光电变换的电荷进行集电，具有多个栅格电极(7)；以及背面电极(8)，设置于太阳能电池单元的与受光面(A)相向的背面(B)，栅格电极(7)包括与太阳能电池单元的受光面(A)抵接的第1籽晶面(6A)、相对第1籽晶面(6A)立起且与第1籽晶面(6A)连接的第2籽晶面(6B)、以及与第1及第2籽晶面(6A、6B)抵接的镀覆层。
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公开(公告)号：CN111712925B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201880088899.3
申请日：2018-02-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/201
Abstract: 本发明的半导体装置具备：支撑基板，具有第1主面及第2主面；第1导电类型的第1GaN层，设置于支撑基板的第1主面侧；第1导电类型的第2GaN层，设置于第1GaN层上；AlxGa1‑xN(0
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公开(公告)号：CN111712925A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201880088899.3
申请日：2018-02-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/201
Abstract: 本发明的半导体装置具备：支撑基板，具有第1主面及第2主面；第1导电类型的第1GaN层，设置于支撑基板的第1主面侧；第1导电类型的第2GaN层，设置于第1GaN层上；AlxGa1-xN(0
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公开(公告)号：CN110313071A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201780084467.0
申请日：2017-02-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 基板(1)包括氮化镓系材料。n型层(2)设置于基板(1)的第1面上。p型层(31)设置于n型层(2)上，在基板(1)的第1面上，与n型层(2)一起，构成设置有具有底面(41b)、侧面(41s)、以及顶面(41t)的台面形状(41)的半导体层。阳电极(71)设置于p型层(31)上。阴电极(6)设置于基板(1)的第2面上。绝缘膜(8)通过从底面(41b)上延伸到顶面(41t)上而覆盖侧面(41s)。在顶面(41t)中设置有至少1个沟槽(51)。上述至少1个沟槽(51)包括被绝缘膜(8)填充的沟槽(51)。
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