公开(公告)号：CN111712925B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201880088899.3

申请日：2018-02-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 林田哲郎 ,  南條拓真 ,  绵引达郎

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/201

Abstract: 本发明的半导体装置具备：支撑基板，具有第1主面及第2主面；第1导电类型的第1GaN层，设置于支撑基板的第1主面侧；第1导电类型的第2GaN层，设置于第1GaN层上；AlxGa1‑xN(0

公开(公告)号：CN111712925A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN201880088899.3

申请日：2018-02-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 林田哲郎 ,  南條拓真 ,  绵引达郎

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/201

Abstract: 本发明的半导体装置具备：支撑基板，具有第1主面及第2主面；第1导电类型的第1GaN层，设置于支撑基板的第1主面侧；第1导电类型的第2GaN层，设置于第1GaN层上；AlxGa1-xN(0