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公开(公告)号：CN103907205A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280052186.4
申请日：2012-04-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/075 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/022475 , H01L31/02167 , H01L31/0747 , H01L31/075 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 一种光电变换装置(1)，在通过受光生成光生载流子的n型半导体基板(11)的第一面上，依次层叠实质上本征的i型非晶质含氢半导体层(12)、p型非晶质含氢半导体层(13)、以及第1透明导电层(14)，其中，第1透明导电层(14)具有：含氢区域(142)，由含氢的透明导电性材料构成；以及氢扩散抑制区域(141)，相比于含氢区域(142)在p型非晶质含氢半导体层(13)侧存在且由实质上不含氢的透明导电性材料构成，氢扩散抑制区域(141)具有p型非晶质含氢半导体层(13)侧的含氢量少于含氢区域(142)侧的含氢量的氢浓度分布。
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公开(公告)号：CN104810415A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510038981.3
申请日：2015-01-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开太阳能电池以及太阳能电池的制造方法。得到遮光损失少且具有低电阻的电极的太阳能电池。其特征在于，具备：太阳能电池单元，具有pn结；受光面侧电极，在太阳能电池单元的受光面以按照一定的间隔在一个方向上伸长的方式设置，对光电变换的电荷进行集电，具有多个栅格电极(7)；以及背面电极(8)，设置于太阳能电池单元的与受光面(A)相向的背面(B)，栅格电极(7)包括与太阳能电池单元的受光面(A)抵接的第1籽晶面(6A)、相对第1籽晶面(6A)立起且与第1籽晶面(6A)连接的第2籽晶面(6B)、以及与第1及第2籽晶面(6A、6B)抵接的镀覆层。
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公开(公告)号：CN104205359B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201280071065.4
申请日：2012-03-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/1884 , H01L31/022441 , H01L31/022466 , H01L31/028 , H01L31/04 , H01L31/042 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , H01L31/075 , H01L31/1804 , H01L31/20 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 在背接触型的异质结型光电变换装置中，其目的在于，一并地制作包括p型非晶硅膜(4)正上方的电极和n型非晶硅膜(5)正上方的透明导电性氧化物的透明导电膜(6)，得到接近欧姆接触的接合。包括：在n型非晶硅膜(5)上以及p型非晶硅膜(4)上一并形成氧化物电极层的工序；以及在覆盖n型非晶硅膜(5)或者p型非晶硅膜(4)中的某一方的透明导电膜(6)上配置了掩模的状态下，向露出了的透明导电膜(6)照射等离子体的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104952965A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510116529.4
申请日：2015-03-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/075 , H01L31/0224 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/0747 , H01L31/1872 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/075 , H01L31/022475
Abstract: 本发明涉及光电变换元件以及光电变换元件的制造方法，得到光线透射率高且导电性高的透光性导电膜。具备光电变换层(1)、和在光电变换层(1)表面形成了的第1电极以及第2电极，第1电极以及第2电极的至少一个具备由透光性导电材料构成的透光性导电基极层(2B)、和在透光性导电基极层(2B)内选择性地埋设了的透光性导电网格层(2M)。透光性导电网格层(2M)由电阻率比透光性导电基极层(2B)低的材料构成，具备由低电阻的透光性导电膜图案构成的透光性导电网格层(2M)。
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公开(公告)号：CN104205359A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201280071065.4
申请日：2012-03-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/1884 , H01L31/022441 , H01L31/022466 , H01L31/028 , H01L31/04 , H01L31/042 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , H01L31/075 , H01L31/1804 , H01L31/20 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 在背接触型的异质结型光电变换装置中，其目的在于，一并地制作包括p型非晶硅膜(4)正上方的电极和n型非晶硅膜(5)正上方的透明导电性氧化物的透明导电膜(6)，得到接近欧姆接触的接合。包括：在n型非晶硅膜(5)上以及p型非晶硅膜(4)上一并形成氧化物电极层的工序；以及在覆盖n型非晶硅膜(5)或者p型非晶硅膜(4)中的某一方的透明导电膜(6)上配置了掩模的状态下，向露出了的透明导电膜(6)照射等离子体的工序。
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公开(公告)号：CN104810415B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510038981.3
申请日：2015-01-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开太阳能电池以及太阳能电池的制造方法。得到遮光损失少且具有低电阻的电极的太阳能电池。其特征在于，具备：太阳能电池单元，具有pn结；受光面侧电极，在太阳能电池单元的受光面以按照一定的间隔在一个方向上伸长的方式设置，对光电变换的电荷进行集电，具有多个栅格电极(7)；以及背面电极(8)，设置于太阳能电池单元的与受光面(A)相向的背面(B)，栅格电极(7)包括与太阳能电池单元的受光面(A)抵接的第1籽晶面(6A)、相对第1籽晶面(6A)立起且与第1籽晶面(6A)连接的第2籽晶面(6B)、以及与第1及第2籽晶面(6A、6B)抵接的镀覆层。
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公开(公告)号：CN103907205B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201280052186.4
申请日：2012-04-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022475 , H01L31/02167 , H01L31/0747 , H01L31/075 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 一种光电变换装置，在通过受光生成光生载流子的n型半导体基板的第一面上，依次层叠实质上本征的i型非晶质含氢半导体层、p型非晶质含氢半导体层、以及第1透明导电层，其中，第1透明导电层具有：含氢区域，由含氢的透明导电性材料构成；以及氢扩散抑制区域，相比于含氢区域在p型非晶质含氢半导体层侧存在且由实质上不含氢的透明导电性材料构成，氢扩散抑制区域具有p型非晶质含氢半导体层侧的含氢量少于含氢区域侧的含氢量的氢浓度分布。
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公开(公告)号：CN102822991A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201080065856.7
申请日：2010-12-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1888 , H01L31/022483 , H01L31/02366 , Y02E10/50
Abstract: 在基板（1）上具备由透明导电性材料构成的第1电极层（2）的光电转换装置用基板的制造方法中，包括：第1透明导电膜形成工序，在基板（1）上形成第1透明导电膜（21）；第2透明导电膜形成工序，在第1透明导电膜（21）上，以在之后的蚀刻工序中与第1透明导电膜（21）相比蚀刻速率低的制膜条件形成第2透明导电膜（22）；以及蚀刻工序，对第2以及第1透明导电膜（22、21）进行湿蚀刻，形成至少贯通第2透明导电膜（22）并底部存在于第1透明导电膜（21）内的凹部（52）。
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