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公开(公告)号：CN110462802A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201780089090.8
申请日：2017-11-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L29/786
Abstract: 本发明的目的在于提供抑制LED等的入射光入射到半导体沟道层的光强度、光量的构造的薄膜晶体管基板。而且，作为本发明的TFT基板(100)具有遮光膜(50A)，该遮光膜(50A)在漏极电极(8)的下方，在与漏极电极(7)在俯视时重叠的区域，与共同电极(5)邻接而连续地设置。TFT基板(100)还具有遮光膜(50B)，该遮光膜(50B)在源极电极(8)的下方，设置于源极电极(8)与共同电极(5)在俯视时重叠的区域。除此之外，TFT基板(100)在栅极端子部(30)，在栅极电极(2)的上方具备具有导电性的遮光膜(50C)。遮光膜(50C)电连接于栅极电极(2)，且在俯视时与栅极电极(2)重叠。
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公开(公告)号：CN107148677B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201580062722.2
申请日：2015-11-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/068
Abstract: 本发明涉及太阳能电池的制造方法及太阳能电池。所述制造方法包括：第1工序：在第1导电型的半导体基板的一面形成将第2导电型的杂质以第1浓度扩散的第1掺杂层及将第2导电型的杂质以比第1浓度低的第2浓度扩散且表面粗糙度与第1掺杂层不同的第2掺杂层；及在第1掺杂层形成与第1掺杂层电连接的金属电极第2工序。在第2工序中，基于由于第1掺杂层与第2掺杂层的表面粗糙度的差而产生的第1掺杂层与第2掺杂层中的光反射率的差来检测第1掺杂层的位置，依据检测的第1掺杂层的位置来形成金属电极。
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公开(公告)号：CN102089884A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980126260.0
申请日：2009-05-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/03921 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/02363 , H01L31/03762 , H01L31/075 , H01L31/1884 , Y02E10/548
Abstract: 本发明能够得到一种薄膜太阳能电池，通过在透明绝缘基板(1)上形成在基板面内相互分离的多个第一透明导电膜(2)，在第一透明导电膜(2)上形成第二透明导电膜，将第二透明导电膜蚀刻为粒状来形成分散在第一透明导电膜(2)上的第一粒状体(4b)，在第一透明导电膜(2)上以及分散的第一粒状体(4b)上形成发电层(5)，在发电层(5)上形成背面电极层(6)，从而实现具有表面粗糙度小的微细表面凹凸并且面内的电阻大致均匀的透明电极。
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公开(公告)号：CN103339688B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201180065943.7
申请日：2011-10-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236
CPC classification number: H01L31/022483 , H01L31/02366 , Y02E10/50
Abstract: 一种透明电极基板，是在透光性绝缘基板上形成由以氧化锌为主要成分且包含至少一种以上的掺杂剂元素的氧化锌系薄膜组成的透明电极的透明电极基板，所述氧化锌系薄膜在表面具备凹凸形状，具有从所述透光性绝缘基板侧向着表面侧连续减少的所述掺杂剂元素的浓度梯度，在所述氧化锌系薄膜中的所述掺杂剂元素的浓度在从所述透光性绝缘基板到厚度50nm的区域大于等于1.5原子%小于等于3原子%，在从表面到厚度300nm的区域大于等于0.2原子%小于等于1原子%。
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公开(公告)号：CN102422435B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201080020426.3
申请日：2010-01-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/0236 , H01L31/0392 , H01L31/046 , H01L31/056 , Y02E10/52
Abstract: 在薄膜太阳能电池(10)中，在透光性绝缘基板(2)上配置将由透明导电膜构成的第1电极层(3)、进行光电变换的光电变换层(4、14)、以及由反射光的导电膜构成的第2电极层(5)按照这个顺序进行层叠而成的多个薄膜太阳能电池单元(1)，并且邻接的所述薄膜太阳能电池单元(1)彼此串联电连接，其中，所述第1电极层(3)具有凹陷部(3a、D1)，所述凹陷部(3a、D1)的底部被绝缘材料填埋。由此，可得到防止由在透光性绝缘基板(2)上层叠的第1电极层(3)的凹陷部(3a、D1)所引起的特性变差的光电变换特性优良的薄膜太阳能电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102822991A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201080065856.7
申请日：2010-12-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1888 , H01L31/022483 , H01L31/02366 , Y02E10/50
Abstract: 在基板（1）上具备由透明导电性材料构成的第1电极层（2）的光电转换装置用基板的制造方法中，包括：第1透明导电膜形成工序，在基板（1）上形成第1透明导电膜（21）；第2透明导电膜形成工序，在第1透明导电膜（21）上，以在之后的蚀刻工序中与第1透明导电膜（21）相比蚀刻速率低的制膜条件形成第2透明导电膜（22）；以及蚀刻工序，对第2以及第1透明导电膜（22、21）进行湿蚀刻，形成至少贯通第2透明导电膜（22）并底部存在于第1透明导电膜（21）内的凹部（52）。
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公开(公告)号：CN102356470A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201080012074.7
申请日：2010-03-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0465 , H01L31/02021 , H01L31/02165 , H01L31/043 , H01L31/046 , H01L31/05 , H01L31/0508 , H01L31/056 , H01L2924/0002 , Y02E10/50 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，将在第一透光性绝缘基板的一面上形成有多个第一光电转换元件的第一光电转换模块、以及在第二透光性绝缘基板的一面上形成有多个第二光电转换元件的第二光电转换模块，以所述第一光电转换元件与所述第二光电转换元件为内侧粘贴，具有多个配置在相对的位置的所述第一光电转换元件与所述第二光电转换元件被电串联连接而构成的光电转换元件对，所有的所述光电转换元件被电串联连接。
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公开(公告)号：CN107148677A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201580062722.2
申请日：2015-11-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/02168 , H01L31/0224 , H01L31/022425 , H01L31/02366 , H01L31/03125 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳能电池的制造方法及太阳能电池。所述制造方法包括：第1工序：在第1导电型的半导体基板的一面形成将第2导电型的杂质以第1浓度扩散的第1掺杂层及将第2导电型的杂质以比第1浓度低的第2浓度扩散且表面粗糙度与第1掺杂层不同的第2掺杂层；及在第1掺杂层形成与第1掺杂层电连接的金属电极第2工序。在第2工序中，基于由于第1掺杂层与第2掺杂层的表面粗糙度的差而产生的第1掺杂层与第2掺杂层中的光反射率的差来检测第1掺杂层的位置，依据检测的第1掺杂层的位置来形成金属电极。
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公开(公告)号：CN106062975B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201580011463.0
申请日：2015-03-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/061 , H01L31/0201 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/0288 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的特征在于，包括：在n型硅基板(1)的一主面侧形成p型扩散层(2)并形成具有pn结的n型硅基板(1)的工序；在n型硅基板的第1主面以及第2主面中的作为n型的受光面1A侧的表面作为钝化膜形成氧化硅膜(5)与氮化硅膜的层叠膜的工序；在钝化膜形成开口区域(9)的工序；对钝化膜的开口区域(9)将钝化膜作为掩模来扩散n型杂质并形成高浓度扩散区域(11)的工序；以及在暴露于钝化膜的开口区域(9)的所述高浓度扩散区域(11)选择性地形成金属电极(13)的工序。
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公开(公告)号：CN102356470B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201080012074.7
申请日：2010-03-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/05 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0465 , H01L31/02021 , H01L31/02165 , H01L31/043 , H01L31/046 , H01L31/05 , H01L31/0508 , H01L31/056 , H01L2924/0002 , Y02E10/50 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，将在第一透光性绝缘基板的一面上形成有多个第一光电转换元件的第一光电转换模块、以及在第二透光性绝缘基板的一面上形成有多个第二光电转换元件的第二光电转换模块，以所述第一光电转换元件与所述第二光电转换元件为内侧粘贴，具有多个配置在相对的位置的所述第一光电转换元件与所述第二光电转换元件被电串联连接而构成的光电转换元件对，所有的所述光电转换元件被电串联连接。
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