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发明公开
晶体层叠构造体、半导体装置及晶体层叠构造体的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN117941041A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202180101847.7

申请日：2021-09-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 汤田洋平 , 绵引达郎 , 熊谷义直 , 后藤健

IPC: H01L21/365

Abstract: 目的在于提供一种能够提高器件特性的技术。晶体层叠构造体具备具有第1主面的Ga2O3单晶体基板。另外，晶体层叠构造体具备设置于Ga2O3单晶体基板的第1主面上并在与Ga2O3单晶体基板相反的一侧具有第2主面的作为外延生长层的Ga2O3单晶体层。Ga2O3单晶体基板的第1主面的面取向是(011)面。另外，Ga2O3单晶体层的第2主面是(011)面。

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