公开(公告)号：CN113169055A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201880099749.2

申请日：2018-12-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上敦文 ,  绵引达郎 ,  松藤健五 ,  原幸治郎

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明的目的在于提供可防止将多个金属层层叠而成的电极中的有机物污染的半导体装置。半导体装置包含：半导体基板、和在半导体基板的主面层叠的包含多个层的电极。电极包含：包含Al且与半导体基板的主面接触的第1金属层；包含金属和氧且设置于第1金属层的表面的氧化层；和在氧化层的表面设置的第2金属层。氧化层的氧浓度为8.0×1021/cm3以上且4.0×1022/cm3以下。

公开(公告)号：CN113169055B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201880099749.2

申请日：2018-12-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上敦文 ,  绵引达郎 ,  松藤健五 ,  原幸治郎

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明的目的在于提供可防止将多个金属层层叠而成的电极中的有机物污染的半导体装置。半导体装置包含：半导体基板、和在半导体基板的主面层叠的包含多个层的电极。电极包含：包含Al且与半导体基板的主面接触的第1金属层；包含金属和氧且设置于第1金属层的表面的氧化层；和在氧化层的表面设置的第2金属层。氧化层的氧浓度为8.0×1021/cm3以上且4.0×1022/cm3以下。