公开(公告)号：CN113169055A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201880099749.2

申请日：2018-12-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上敦文 ,  绵引达郎 ,  松藤健五 ,  原幸治郎

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明的目的在于提供可防止将多个金属层层叠而成的电极中的有机物污染的半导体装置。半导体装置包含：半导体基板、和在半导体基板的主面层叠的包含多个层的电极。电极包含：包含Al且与半导体基板的主面接触的第1金属层；包含金属和氧且设置于第1金属层的表面的氧化层；和在氧化层的表面设置的第2金属层。氧化层的氧浓度为8.0×1021/cm3以上且4.0×1022/cm3以下。

公开(公告)号：CN109075198B

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN201680083795.4

申请日：2016-12-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上敦文 ,  冈诚次 ,  川上刚史 ,  古川彰彦 ,  时冈秀忠 ,  津田睦 ,  藤冈靖

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高散热性及紧密接合性的电力用半导体装置。根据本发明的电力用半导体装置(1)具备形成在半导体基板(2)上的供主电流流动的发射极(3)；形成在发射极(3)上的非烧结体的导电层(5)；以及形成在导电层(5)上的作为烧结体的烧结金属层(7)，烧结金属层(7)具有在俯视时将发射极(3)的整体覆盖的大小，并且导热性比导电层(5)高。

公开(公告)号：CN113169055B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201880099749.2

申请日：2018-12-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上敦文 ,  绵引达郎 ,  松藤健五 ,  原幸治郎

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明的目的在于提供可防止将多个金属层层叠而成的电极中的有机物污染的半导体装置。半导体装置包含：半导体基板、和在半导体基板的主面层叠的包含多个层的电极。电极包含：包含Al且与半导体基板的主面接触的第1金属层；包含金属和氧且设置于第1金属层的表面的氧化层；和在氧化层的表面设置的第2金属层。氧化层的氧浓度为8.0×1021/cm3以上且4.0×1022/cm3以下。

公开(公告)号：CN118160099A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202180103149.0

申请日：2021-10-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上敦文 ,  根岸哲 ,  川上刚史 ,  玉城朋宏

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 半导体装置通过具备以下构件的结构来能够防止第一表面电极(2)与第二表面电极(3)的短路：半导体基板(1)，具有第一主面(1a)以及作为与第一主面(1a)相反的面的第二主面(1b)；第一表面电极(2)，形成于第一主面(1a)之上；第二表面电极(3)，以在平面视图中与第一表面电极(2)隔开的方式形成，与第一表面电极(2)电绝缘；导电层(5)，在第一表面电极(2)与第二表面电极(3)之间的第一主面(1a)之上，以在平面视图中与第一表面电极(2)及第二表面电极(3)隔开的方式形成，具有导电性；绝缘层(6)，以覆盖导电层(5)、第一表面电极(2)与第二表面电极(3)之间的第一主面(1a)以及第一表面电极(2)及第二表面电极(3)各自的靠近导电层(5)的一侧的端部的方式形成，具有绝缘性；短路防止层(7)，以覆盖第一表面电极(2)与导电层(5)之间的绝缘层(6)之上以及第二表面电极(3)与导电层(5)之间的绝缘层(6)之上的方式形成，具有从导电层(5)的下端到上端的高度以上的厚度，由与绝缘层(6)不同的材料构成，具有绝缘性；金属镀层(8)，分别形成于第一表面电极(2)及第二表面电极(3)之上；以及背面电极(9)，形成于第二主面(2)之上。

公开(公告)号：CN119545821A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202410277944.7

申请日：2024-03-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小西和也 ,  井上敦文 ,  野口宗隆 ,  玉城朋宏 ,  恩田航平

IPC: H10D12/00 ,  H10D64/27

Abstract: 本发明得到一种能够充分地降低损失的半导体装置。第一区域(1a)的沟槽(5)具有:第一沟槽(5a)、和从两侧夹着第一沟槽(5a)的两个以上的第二沟槽(5b)。形成于两个以上的第二沟槽(5b)的栅极电极(7)相互连接，并且不与形成于第一沟槽(5a)的栅极电极(7)连接。形成于第二区域(1b)的沟槽(5)的栅极电极(7)与发射极电极(9)连接。在被第一区域(1a)和第二区域(1b)夹着的区域内，基极层(3)与发射极电极(9)连接。

公开(公告)号：CN109075198A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201680083795.4

申请日：2016-12-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上敦文 ,  冈诚次 ,  川上刚史 ,  古川彰彦 ,  时冈秀忠 ,  津田睦 ,  藤冈靖

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高散热性及紧密接合性的电力用半导体装置。根据本发明的电力用半导体装置(1)具备形成在半导体基板(2)上的供主电流流动的发射极(3)；形成在发射极(3)上的非烧结体的导电层(5)；以及形成在导电层(5)上的作为烧结体的烧结金属层(7)，烧结金属层(7)具有在俯视时将发射极(3)的整体覆盖的大小，并且导热性比导电层(5)高。