公开(公告)号：CN109075198B

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN201680083795.4

申请日：2016-12-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上敦文 ,  冈诚次 ,  川上刚史 ,  古川彰彦 ,  时冈秀忠 ,  津田睦 ,  藤冈靖

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高散热性及紧密接合性的电力用半导体装置。根据本发明的电力用半导体装置(1)具备形成在半导体基板(2)上的供主电流流动的发射极(3)；形成在发射极(3)上的非烧结体的导电层(5)；以及形成在导电层(5)上的作为烧结体的烧结金属层(7)，烧结金属层(7)具有在俯视时将发射极(3)的整体覆盖的大小，并且导热性比导电层(5)高。

公开(公告)号：CN109075198A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201680083795.4

申请日：2016-12-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上敦文 ,  冈诚次 ,  川上刚史 ,  古川彰彦 ,  时冈秀忠 ,  津田睦 ,  藤冈靖

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高散热性及紧密接合性的电力用半导体装置。根据本发明的电力用半导体装置(1)具备形成在半导体基板(2)上的供主电流流动的发射极(3)；形成在发射极(3)上的非烧结体的导电层(5)；以及形成在导电层(5)上的作为烧结体的烧结金属层(7)，烧结金属层(7)具有在俯视时将发射极(3)的整体覆盖的大小，并且导热性比导电层(5)高。