公开(公告)号：CN109314488A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780033197.0

申请日：2017-04-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 由良信介 ,  津田睦 ,  时冈秀忠

IPC: H02S50/00

Abstract: 目的在于提供能够恰当地诊断太阳能电池串的故障的技术。太阳能电池串的故障诊断方法以及故障诊断装置具备阻抗测量器、解析部和判定部。解析部根据包含太阳能电池串的预定的等效电路中的阻抗、电感以及频率的关系式和由阻抗测量器测量出的第1阻抗的频率特性，求出太阳能电池串的电感。判定部根据由解析部求出的电感，进行太阳能电池串的故障诊断。

公开(公告)号：CN103098559B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201180044105.1

申请日：2011-06-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 池田知弘 ,  滝正和 ,  津田睦 ,  藤原伸夫

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/515 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  C23C16/24 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32577 ,  H05H2001/4682

Abstract: 一种对平行平电极供给高频电力的高频电力供给装置，具备：高频电源133a和133b，对电极的相互分离的位置供给高频电力；脉冲发生器，该脉冲发生器以使高频电源133a和133b的供给电力按照包括高电平和低电平的多个电平来进行变化的方式进行脉冲调制，指示电平切换，以使得包括高频电源133a的供给电力为高电平且高频电源133b的供给电力为低电平的(1)的期间、高频电源133b的供给电力为高电平且高频电源133a的供给电力为低电平的(2)的期间、高频电源133a和133b的供给电力都为比低电平高的电平的(3)的期间。

公开(公告)号：CN109075198B

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN201680083795.4

申请日：2016-12-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上敦文 ,  冈诚次 ,  川上刚史 ,  古川彰彦 ,  时冈秀忠 ,  津田睦 ,  藤冈靖

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高散热性及紧密接合性的电力用半导体装置。根据本发明的电力用半导体装置(1)具备形成在半导体基板(2)上的供主电流流动的发射极(3)；形成在发射极(3)上的非烧结体的导电层(5)；以及形成在导电层(5)上的作为烧结体的烧结金属层(7)，烧结金属层(7)具有在俯视时将发射极(3)的整体覆盖的大小，并且导热性比导电层(5)高。

公开(公告)号：CN102047385A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980119459.0

申请日：2009-05-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 津田睦 ,  泷正和

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02532 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 具备：真空容器(10)，具有保持基板(100)的基板载置台(12)以及与基板(100)对置地设置的等离子体电极(13)；H2气体供给部件，在成膜时以恒定流量向真空容器(10)供给H2气体；SiH4气体供给部件，在成膜时通过气阀(25)的开闭来打开/关断向真空容器(10)的SiH4气体的供给；高频电源(40)，向等离子体电极(13)施加高频电压；屏蔽盒(20)，在真空容器(10)的外部以包围等离子体电极(13)的方式被接地；以及控制部(60)，控制阀(25)的开闭使得将SiH4气体周期性地供给到真空容器(10)，并且与气阀(25)的开闭同步地对施加于等离子体电极(13)的高频电力进行调幅，其中，气阀(25)配置在屏蔽盒(20)内。

公开(公告)号：CN103250233A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201180058658.2

申请日：2011-07-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 津田睦 ,  今村谦 ,  滝正和 ,  池田知弘 ,  藤原伸夫

IPC: H01L21/205 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02532 ,  H01L31/1816 ,  Y02E10/50

Abstract: 包括微晶半导体薄膜形成工序，在该微晶半导体薄膜形成工序中，对具备等离子体电极和基板的真空容器内一边连续地供给主成分中包含氢的气体，一边断续地供给至少包含硅或者锗的半导体材料气体，并且与供给所述半导体材料气体的期间和不供给所述半导体材料气体的期间同步地对所述等离子体电极供给不同的高频电力，在所述等离子体电极与所述基板之间的等离子体生成空间中生成等离子体，由此形成微晶半导体薄膜，在所述微晶半导体薄膜形成工序中，对所述半导体材料气体的供给进行接通/关断调制而周期性地供给所述半导体材料气体，将接通所述半导体材料气体的供给时的所述高频电力设为比关断所述半导体材料气体的供给时的所述高频电力小，使所述接通/关断调制的调制频率或者所述接通/关断调制的占空比随着时间的推移而变化。

公开(公告)号：CN103035507A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210365272.2

申请日：2012-09-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 今村谦 ,  津田睦 ,  折田泰 ,  友久伸吾 ,  新谷贤治

IPC: H01L21/3065 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供基板处理装置、基板处理方法及太阳能电池的制造方法。在玻璃基板表面的除缘部以外的区域形成凹凸形状。处理装置具有：真空容器；基板台，配置在真空容器内并载置基板；气体供给部，从与基板台相对的位置供给处理基板的气体；延伸部，在从与处理面垂直的方向透视时，选择性覆盖处理面周缘部地配置且从真空容器的内壁朝基板台延伸；距离调节机构，在处理基板时使周缘部与延伸部的距离接近以使由气体供给部、延伸部及处理面包围的第一空间和其外侧的第二空间彼此分离，在更换基板时使周缘部与延伸部远离；第一排气口，与第一排气装置连接，在处理基板时对第一空间减压；及第二排气口，与第二排气装置连接，在处理基板时对第二空间减压。

公开(公告)号：CN108604870B

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201680081655.3

申请日：2016-12-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山下彰 ,  时冈秀忠 ,  森冈孝之 ,  西村邦彦 ,  西村慎也 ,  津田睦

IPC: H02N11/00 ,  H01L35/30 ,  F02G5/04

Abstract: 提供一种能够充分地增大热接点与冷接点之间的温度差的热电转换模块。具备形成在内管(1)的第一主面上的多个热电转换元件(3)和形成在外管(2)的第二主面上的多个突起部(4)。热电转换元件包括配线(8)(冷接点)、在第二方向(B)上从第二主面隔开第一距离(L1)地形成的电极(7)(热接点)以及位于电极与配线之间的第一侧面(5E)及第二侧面(6E)。多个突起部包括在从第一方向(A)观察时在第三方向(C)上相互隔开间隔地形成的第一突起部(41)和第二突起部(42)。第一侧面与第一突起部的顶部的最短距离(L2)及第二侧面与第二突起部的顶部的最短距离(L3)比第一距离(L1)短。

公开(公告)号：CN109075198A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201680083795.4

申请日：2016-12-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上敦文 ,  冈诚次 ,  川上刚史 ,  古川彰彦 ,  时冈秀忠 ,  津田睦 ,  藤冈靖

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高散热性及紧密接合性的电力用半导体装置。根据本发明的电力用半导体装置(1)具备形成在半导体基板(2)上的供主电流流动的发射极(3)；形成在发射极(3)上的非烧结体的导电层(5)；以及形成在导电层(5)上的作为烧结体的烧结金属层(7)，烧结金属层(7)具有在俯视时将发射极(3)的整体覆盖的大小，并且导热性比导电层(5)高。

公开(公告)号：CN102473612B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201080035372.8

申请日：2010-04-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 滝正和 ,  津田睦 ,  新谷贤治 ,  今村谦

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/509

CPC classification number: C23C16/5096 ,  C23C16/45565

Abstract: 在构成等离子体CVD装置(40)的等离子体电极(30)时，设置：设置有工艺气体导入孔(第2工艺气体导入孔(21a))的主电极部(21)、和安装于主电极部的端部并在与该主电极部之间形成气体扩散空间(DS)的气体喷板部(23)，在气体喷板部中形成用于吐出工艺气体的多个气体吐出孔(23a)，在气体扩散空间内，配置具有用于工艺气体流通的多个气体流通孔(25a)的气体扩散板(25)、和穿过气体扩散板的气体流通孔并将气体喷板部和主电极部热连接的多个传热柱部(27)，在气体流通孔的内壁与穿过该气体流通孔的传热柱部的周面之间形成空隙。

公开(公告)号：CN103098559A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180044105.1

申请日：2011-06-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 池田知弘 ,  滝正和 ,  津田睦 ,  藤原伸夫

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/515 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  C23C16/24 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32577 ,  H05H2001/4682

Abstract: 一种对平行平电极供给高频电力的高频电力供给装置，具备：高频电源133a和133b，对电极的相互分离的位置供给高频电力；脉冲发生器，该脉冲发生器以使高频电源133a和133b的供给电力按照包括高电平和低电平的多个电平来进行变化的方式进行脉冲调制，指示电平切换，以使得包括高频电源133a的供给电力为高电平且高频电源133b的供给电力为低电平的(1)的期间、高频电源133b的供给电力为高电平且高频电源133a的供给电力为低电平的(2)的期间、高频电源133a和133b的供给电力都为比低电平高的电平的(3)的期间。