水处理装置以及水处理方法

    公开(公告)号:CN106414345B

    公开(公告)日:2019-09-03

    申请号:CN201580005431.X

    申请日:2015-01-13

    Abstract: 在水处理装置中,相对水平面倾斜地配置倾斜板。被处理水沿着倾斜板的上表面流动。在倾斜板上流动的被处理水所形成的水膜的上方,隔着气体层配置放电形成体。水滴形成装置通过对水膜提供动力,使被处理水的至少一部分成为水滴,朝向上方喷射。

    等离子体CVD装置、等离子体电极以及半导体膜的制造方法

    公开(公告)号:CN102473612B

    公开(公告)日:2015-06-10

    申请号:CN201080035372.8

    申请日:2010-04-26

    CPC classification number: C23C16/5096 C23C16/45565

    Abstract: 在构成等离子体CVD装置(40)的等离子体电极(30)时,设置:设置有工艺气体导入孔(第2工艺气体导入孔(21a))的主电极部(21)、和安装于主电极部的端部并在与该主电极部之间形成气体扩散空间(DS)的气体喷板部(23),在气体喷板部中形成用于吐出工艺气体的多个气体吐出孔(23a),在气体扩散空间内,配置具有用于工艺气体流通的多个气体流通孔(25a)的气体扩散板(25)、和穿过气体扩散板的气体流通孔并将气体喷板部和主电极部热连接的多个传热柱部(27),在气体流通孔的内壁与穿过该气体流通孔的传热柱部的周面之间形成空隙。

    水处理装置以及水处理方法

    公开(公告)号:CN107207290B

    公开(公告)日:2019-01-01

    申请号:CN201580073833.3

    申请日:2015-12-18

    Abstract: 在处理槽装配在上下方向上排列配置的多个接地电极(2),连续的2个接地电极的上表面相对于水平面交替地向反方向倾斜,并且在上侧接地电极的下表面与下侧接地电极的上表面之间形成空隙(5),将电压施加到装配于空隙的放电电极(18),从而在放电电极与上侧接地电极的下表面之间的气体中以及放电电极与下侧接地电极的上表面之间的气体中这两处形成放电,使被处理水从最上部的接地电极至最下部的接地电极沿着各自的上表面连续地往下流,从而处理被处理水。

    微晶半导体薄膜制造方法

    公开(公告)号:CN103250233B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201180058658.2

    申请日:2011-07-12

    Abstract: 包括微晶半导体薄膜形成工序,在该微晶半导体薄膜形成工序中,对具备等离子体电极和基板的真空容器内一边连续地供给主成分中包含氢的气体,一边断续地供给至少包含硅或者锗的半导体材料气体,并且与供给所述半导体材料气体的期间和不供给所述半导体材料气体的期间同步地对所述等离子体电极供给不同的高频电力,在所述等离子体电极与所述基板之间的等离子体生成空间中生成等离子体,由此形成微晶半导体薄膜,在所述微晶半导体薄膜形成工序中,对所述半导体材料气体的供给进行接通/关断调制而周期性地供给所述半导体材料气体,将接通所述半导体材料气体的供给时的所述高频电力设为比关断所述半导体材料气体的供给时的所述高频电力小,使所述接通/关断调制的调制频率或者所述接通/关断调制的占空比随着时间的推移而变化。

    等离子体CVD装置、等离子体电极以及半导体膜的制造方法

    公开(公告)号:CN102473612A

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201080035372.8

    申请日:2010-04-26

    CPC classification number: C23C16/5096 C23C16/45565

    Abstract: 在构成等离子体CVD装置(40)的等离子体电极(30)时,设置:设置有工艺气体导入孔(第2工艺气体导入孔(21a))的主电极部(21)、和安装于主电极部的端部并在与该主电极部之间形成气体扩散空间(DS)的气体喷板部(23),在气体喷板部中形成用于吐出工艺气体的多个气体吐出孔(23a),在气体扩散空间内,配置具有用于工艺气体流通的多个气体流通孔(25a)的气体扩散板(25)、和穿过气体扩散板的气体流通孔并将气体喷板部和主电极部热连接的多个传热柱部(27),在气体流通孔的内壁与穿过该气体流通孔的传热柱部的周面之间形成空隙。

    磁场检测装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1940586B

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN200610084417.6

    申请日:2006-05-18

    CPC classification number: G01R33/093 B82Y25/00

    Abstract: 提供一种磁场检测装置及其制造方法,该磁场检测装置具有结构简单的、在外部磁场中电阻不变化的参照用磁致电阻元件。该磁场检测装置包括:磁体;具有包含铁磁性层的层结构、且电阻随上述铁磁性层的磁化方向的变化而变化的检测用磁致电阻元件;以及具有与上述检测用磁致电阻元件大致相同的层结构、且在铁磁性层的感测磁的方向上被从上述磁体施加具有大于等于饱和磁场的强度的磁场的参照用磁致电阻元件。

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