热电转换模块及其制造方法

    公开(公告)号:CN108604870B

    公开(公告)日:2020-03-31

    申请号:CN201680081655.3

    申请日:2016-12-09

    Abstract: 提供一种能够充分地增大热接点与冷接点之间的温度差的热电转换模块。具备形成在内管(1)的第一主面上的多个热电转换元件(3)和形成在外管(2)的第二主面上的多个突起部(4)。热电转换元件包括配线(8)(冷接点)、在第二方向(B)上从第二主面隔开第一距离(L1)地形成的电极(7)(热接点)以及位于电极与配线之间的第一侧面(5E)及第二侧面(6E)。多个突起部包括在从第一方向(A)观察时在第三方向(C)上相互隔开间隔地形成的第一突起部(41)和第二突起部(42)。第一侧面与第一突起部的顶部的最短距离(L2)及第二侧面与第二突起部的顶部的最短距离(L3)比第一距离(L1)短。

    热电变换控制装置以及热电变换装置的控制方法

    公开(公告)号:CN117044096A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202180095067.6

    申请日:2021-03-11

    Abstract: 热电变换控制装置(12)具备:电流电压测定部(12b),测量从热电变换装置(11)输入到功率变换部(12a)的电流及电压;以及功率变换控制部(12c),控制被输入到功率变换部(12a)的电流及电压。功率变换控制部(12c)基于使输入到功率变换部(12a)的电流变化一定值后立即测量出的电压与电压稳定之后测量出的电压之差和电流的变化量,计算热电变换装置(11)的最大输出负载电阻值,对输入到功率变换部(12a)的电流及电压进行控制,以使从功率变换部(12a)的输入端子侧观察到的负载电阻值为最大输出负载电阻值。

    功率控制装置、热电发电系统以及功率控制方法

    公开(公告)号:CN116615858A

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202080107821.9

    申请日:2020-12-14

    Abstract: 目的在于使热电变换装置的取出功率增大。本申请说明书公开的技术所涉及的功率控制装置具备:功率测定部,测定从热电变换装置输出的电功率;以及控制部,对从热电变换装置输出的电功率进行控制,其中,在针对热电变换装置的输出的负载发生变动后再过了与热电变换装置的热时间常数对应的时间之后,功率测定部测定从热电变换装置输出的电功率。

    热电转换模块及其制造方法

    公开(公告)号:CN108604870A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201680081655.3

    申请日:2016-12-09

    Abstract: 提供一种能够充分地增大热接点与冷接点之间的温度差的热电转换模块。具备形成在内管(1)的第一主面上的多个热电转换元件(3)和形成在外管(2)的第二主面上的多个突起部(4)。热电转换元件包括配线(8)(冷接点)、在第二方向(B)上从第二主面隔开第一距离(L1)地形成的电极(7)(热接点)以及位于电极与配线之间的第一侧面(5E)及第二侧面(6E)。多个突起部包括在从第一方向(A)观察时在第三方向(C)上相互隔开间隔地形成的第一突起部(41)和第二突起部(42)。第一侧面与第一突起部的顶部的最短距离(L2)及第二侧面与第二突起部的顶部的最短距离(L3)比第一距离(L1)短。

    半导体压力传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN101273255B

    公开(公告)日:2010-05-19

    申请号:CN200680035358.1

    申请日:2006-08-30

    CPC classification number: G01L9/0047 G01L9/0048 G01L9/0054 G01L19/04

    Abstract: 一种半导体压力传感器,包括:硅支撑衬底(1)、在硅支撑衬底(1)上形成的绝缘层(2)和在绝缘层(2)上形成的硅薄板(3)。在硅支撑衬底(1)中形成沿硅支撑衬底(1)的厚度方向延伸的通孔(1a)。位于通孔(1a)的延长线上的硅薄板(3)用作通过外部压力变形的膜片(23)。绝缘层(2)残留在膜片(23)的整个下表面上。绝缘层(2)的厚度从膜片(23)的外缘部分向中心部分减小。这提供能够同时减小偏移电压和由温度变化导致的输出电压的变化量的半导体压力传感器及其制造方法。

    半导体压力传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN101273255A

    公开(公告)日:2008-09-24

    申请号:CN200680035358.1

    申请日:2006-08-30

    CPC classification number: G01L9/0047 G01L9/0048 G01L9/0054 G01L19/04

    Abstract: 一种半导体压力传感器,包括:硅支撑衬底(1)、在硅支撑衬底(1)上形成的绝缘层(2)和在绝缘层(2)上形成的硅薄板(3)。在硅支撑衬底(1)中形成沿硅支撑衬底(1)的厚度方向延伸的通孔(1a)。位于通孔(1a)的延长线上的硅薄板(3)用作通过外部压力变形的膜片(23)。绝缘层(2)残留在膜片(23)的整个下表面上。绝缘层(2)的厚度从膜片(23)的外缘部分向中心部分减小。这提供能够同时减小偏移电压和由温度变化导致的输出电压的变化量的半导体压力传感器及其制造方法。

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