公开(公告)号：CN101273255B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680035358.1

申请日：2006-08-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 出尾晋一 ,  田口元久 ,  山下彰 ,  吉田幸久

IPC: G01L9/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: G01L9/0047 ,  G01L9/0048 ,  G01L9/0054 ,  G01L19/04

Abstract: 一种半导体压力传感器，包括：硅支撑衬底(1)、在硅支撑衬底(1)上形成的绝缘层(2)和在绝缘层(2)上形成的硅薄板(3)。在硅支撑衬底(1)中形成沿硅支撑衬底(1)的厚度方向延伸的通孔(1a)。位于通孔(1a)的延长线上的硅薄板(3)用作通过外部压力变形的膜片(23)。绝缘层(2)残留在膜片(23)的整个下表面上。绝缘层(2)的厚度从膜片(23)的外缘部分向中心部分减小。这提供能够同时减小偏移电压和由温度变化导致的输出电压的变化量的半导体压力传感器及其制造方法。

公开(公告)号：CN101273255A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200680035358.1

申请日：2006-08-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 出尾晋一 ,  田口元久 ,  山下彰 ,  吉田幸久

IPC: G01L9/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: G01L9/0047 ,  G01L9/0048 ,  G01L9/0054 ,  G01L19/04

Abstract: 一种半导体压力传感器，包括：硅支撑衬底(1)、在硅支撑衬底(1)上形成的绝缘层(2)和在绝缘层(2)上形成的硅薄板(3)。在硅支撑衬底(1)中形成沿硅支撑衬底(1)的厚度方向延伸的通孔(1a)。位于通孔(1a)的延长线上的硅薄板(3)用作通过外部压力变形的膜片(23)。绝缘层(2)残留在膜片(23)的整个下表面上。绝缘层(2)的厚度从膜片(23)的外缘部分向中心部分减小。这提供能够同时减小偏移电压和由温度变化导致的输出电压的变化量的半导体压力传感器及其制造方法。