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公开(公告)号：CN108604008A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201680081520.7
申请日：2016-12-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 反射镜驱动装置(100)的一对梁部在俯视观察下以夹着反射体(11M)的方式与反射体(11M)相连。一对梁部包括：以夹着反射体(11M)的方式与反射体直接相连的一对第一梁(11BL1、11BR1)；以及与一对第一梁(11BL1、11BR1)的与反射体(11M)相反的一侧连结的一对第二梁(11BL2、11BR2)。在第一梁(11BL1、11BR1)的主表面上隔着压电材料相互空出间隔地排列多个电极(14)。第一梁(11BL1、11BR1)沿着与主表面交叉的方向能够相互向反方向位移。一对第二梁(11BL2、11BR2)在将第一梁(11BL1、11BR1)与第二梁(11BL2、11BR2)连结的沿着第二梁(11BL2、11BR2)的主表面的方向上能够位移。
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公开(公告)号：CN103377983A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210529923.7
申请日：2012-12-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/762 , H01L27/12 , B81B7/00
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B3/0018 , B81C1/00285 , H01L21/76259 , H01L23/26 , H01L29/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明获得对金属杂质具有优异的吸除能力的SOI晶圆、SOI晶圆的高效制造方法、以及利用了这种SOI晶圆的可靠性高的MEMS器件。SOI晶圆是将分别为硅晶圆的支承晶圆(1)及活性层晶圆(6)隔着氧化膜(3)彼此贴合而构成的SOI晶圆，包括：在至少一片硅晶圆的贴合面上形成的空腔(1b)；及在与贴合面相反一侧的面上形成的吸除材料(2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102577629B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201080038772.4
申请日：2010-07-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01J37/32541 , C23C16/24 , C23C16/452 , C23C16/509 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/3255 , H01J37/32816
Abstract: 一种等离子体生成装置，对处理对象物照射在连接了电源的第1电极与和所述第1电极相向配置且接地的第2电极的电极间间隙中在100Pa以上大气压以下的气压之下所生成的等离子体，其中，所述第1电极是隔着在不与所述第2电极相向的面处设置的固体电介体而被接地了的导电性保持部件所保持的构造，在所述固体电介体的表面之中，在与所述导电性保持部件接触的规定范围的面和不与所述导电性保持部件接触的规定范围的面中连续地设置有导电膜。
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公开(公告)号：CN102577629A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080038772.4
申请日：2010-07-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01J37/32541 , C23C16/24 , C23C16/452 , C23C16/509 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/3255 , H01J37/32816
Abstract: 一种等离子体生成装置，对处理对象物照射在连接了电源的第1电极与和所述第1电极相向配置且接地的第2电极的电极间间隙中在100Pa以上大气压以下的气压之下所生成的等离子体，其中，所述第1电极是隔着在不与所述第2电极相向的面处设置的固体电介体而被接地了的导电性保持部件所保持的构造，在所述固体电介体的表面之中，在与所述导电性保持部件接触的规定范围的面和不与所述导电性保持部件接触的规定范围的面中连续地设置有导电膜。
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公开(公告)号：CN108604008B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201680081520.7
申请日：2016-12-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 反射镜驱动装置(100)的一对梁部在俯视观察下以夹着反射体(11M)的方式与反射体(11M)相连。一对梁部包括：以夹着反射体(11M)的方式与反射体直接相连的一对第一梁(11BL1、11BR1)；以及与一对第一梁(11BL1、11BR1)的与反射体(11M)相反的一侧连结的一对第二梁(11BL2、11BR2)。在第一梁(11BL1、11BR1)的主表面上隔着压电材料相互空出间隔地排列多个电极(14)。第一梁(11BL1、11BR1)沿着与主表面交叉的方向能够相互向反方向位移。一对第二梁(11BL2、11BR2)在将第一梁(11BL1、11BR1)与第二梁(11BL2、11BR2)连结的沿着第二梁(11BL2、11BR2)的主表面的方向上能够位移。
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公开(公告)号：CN101273255B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680035358.1
申请日：2006-08-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01L9/0047 , G01L9/0048 , G01L9/0054 , G01L19/04
Abstract: 一种半导体压力传感器，包括：硅支撑衬底(1)、在硅支撑衬底(1)上形成的绝缘层(2)和在绝缘层(2)上形成的硅薄板(3)。在硅支撑衬底(1)中形成沿硅支撑衬底(1)的厚度方向延伸的通孔(1a)。位于通孔(1a)的延长线上的硅薄板(3)用作通过外部压力变形的膜片(23)。绝缘层(2)残留在膜片(23)的整个下表面上。绝缘层(2)的厚度从膜片(23)的外缘部分向中心部分减小。这提供能够同时减小偏移电压和由温度变化导致的输出电压的变化量的半导体压力传感器及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101273255A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200680035358.1
申请日：2006-08-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01L9/0047 , G01L9/0048 , G01L9/0054 , G01L19/04
Abstract: 一种半导体压力传感器，包括：硅支撑衬底(1)、在硅支撑衬底(1)上形成的绝缘层(2)和在绝缘层(2)上形成的硅薄板(3)。在硅支撑衬底(1)中形成沿硅支撑衬底(1)的厚度方向延伸的通孔(1a)。位于通孔(1a)的延长线上的硅薄板(3)用作通过外部压力变形的膜片(23)。绝缘层(2)残留在膜片(23)的整个下表面上。绝缘层(2)的厚度从膜片(23)的外缘部分向中心部分减小。这提供能够同时减小偏移电压和由温度变化导致的输出电压的变化量的半导体压力传感器及其制造方法。
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