公开(公告)号：CN109001653B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201810794303.3

申请日：2014-01-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 馆沼义范 ,  市川淳一

IPC: G01R33/09

Abstract: 在磁检测装置中，将电阻值根据外部磁场而变化的磁阻元件即第一元件(3)和第二元件(4)串联连接来构成电桥电路，电桥电路的一端连接至电源(5)，另一端接地，第一元件(3)和第二元件(4)的连接点(6)连接至放大单元(9)，1个以上的切换单元(1)与电桥电路串联连接，放大单元(9)的输电端子(11)连接至故障检测单元(12)。

公开(公告)号：CN103377983A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210529923.7

申请日：2012-12-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉川英治 ,  市川淳一 ,  吉田幸久

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0038 ,  B81B3/0018 ,  B81C1/00285 ,  H01L21/76259 ,  H01L23/26 ,  H01L29/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明获得对金属杂质具有优异的吸除能力的SOI晶圆、SOI晶圆的高效制造方法、以及利用了这种SOI晶圆的可靠性高的MEMS器件。SOI晶圆是将分别为硅晶圆的支承晶圆(1)及活性层晶圆(6)隔着氧化膜(3)彼此贴合而构成的SOI晶圆，包括：在至少一片硅晶圆的贴合面上形成的空腔(1b)；及在与贴合面相反一侧的面上形成的吸除材料(2)。

公开(公告)号：CN105899964B

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201480072671.7

申请日：2014-01-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 馆沼义范 ,  市川淳一

IPC: G01R33/09

Abstract: 在磁检测装置中，将电阻值根据外部磁场而变化的磁阻元件即第一元件(3)和第二元件(4)串联连接来构成电桥电路，电桥电路的一端连接至电源(5)，另一端接地，第一元件(3)和第二元件(4)的连接点(6)连接至放大单元(9)，1个以上的切换单元(1)与电桥电路串联连接，放大单元(9)的输电端子(11)连接至故障检测单元(12)。

公开(公告)号：CN109001653A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201810794303.3

申请日：2014-01-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 馆沼义范 ,  市川淳一

IPC: G01R33/09

CPC classification number: G01R33/098 ,  G01R33/0029

Abstract: 在磁检测装置中，将电阻值根据外部磁场而变化的磁阻元件即第一元件(3)和第二元件(4)串联连接来构成电桥电路，电桥电路的一端连接至电源(5)，另一端接地，第一元件(3)和第二元件(4)的连接点(6)连接至放大单元(9)，1个以上的切换单元(1)与电桥电路串联连接，放大单元(9)的输电端子(11)连接至故障检测单元(12)。

公开(公告)号：CN105899964A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201480072671.7

申请日：2014-01-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 馆沼义范 ,  市川淳一

IPC: G01R33/09

CPC classification number: G01R33/098 ,  G01R33/0029

Abstract: 在磁检测装置中，将电阻值根据外部磁场而变化的磁阻元件即第一元件(3)和第二元件(4)串联连接来构成电桥电路，电桥电路的一端连接至电源(5)，另一端接地，第一元件(3)和第二元件(4)的连接点(6)连接至放大单元(9)，1个以上的切换单元(1)与电桥电路串联连接，放大单元(9)的输电端子(11)连接至故障检测单元(12)。