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公开(公告)号：CN103091007A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210207074.3
申请日：2012-06-21
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: B81C1/00626 , B81B2201/0264 , G01L9/0048 , G01L9/0051
Abstract: 本发明涉及半导体压力传感器以及半导体压力传感器的制造方法。半导体压力传感器具备：第一基板（1），在主表面（1a）具有凹部（3）以及对准标记（4）；第二基板（2），形成在第一基板（1）的主表面（1a）上，具有以覆盖第一基板（1）的凹部（3）内的空间（IS）上的方式设置的隔板（5）以及在隔板（5）上设置的应变计电阻（6）。对准标记（4）以从第二基板（2）露出的方式设置。由此，能够得到能够抑制制造成本并且能够使压力测定精度提高的半导体压力传感器及其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103377983A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210529923.7
申请日：2012-12-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/762 , H01L27/12 , B81B7/00
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B3/0018 , B81C1/00285 , H01L21/76259 , H01L23/26 , H01L29/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明获得对金属杂质具有优异的吸除能力的SOI晶圆、SOI晶圆的高效制造方法、以及利用了这种SOI晶圆的可靠性高的MEMS器件。SOI晶圆是将分别为硅晶圆的支承晶圆(1)及活性层晶圆(6)隔着氧化膜(3)彼此贴合而构成的SOI晶圆，包括：在至少一片硅晶圆的贴合面上形成的空腔(1b)；及在与贴合面相反一侧的面上形成的吸除材料(2)。
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公开(公告)号：CN113677968A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201980095403.X
申请日：2019-06-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 吉川英治
Abstract: 本发明提供一种制造稳定性较高的高精度的半导体压力传感器(100)。使第二硅基板(2)经由氧化膜(8)与形成了成为标准压力室(10)的凹部(3)及定位记号(4)的第一硅基板(1)的一个主面(1a)贴合，并使凹部(3)及定位记号(4)在由第二硅基板(2)覆盖的状态下接合。通过红外线传感器检测定位记号(4)，利用该定位记号(4)进行定位，在位于凹部(3)的上方的第二硅基板(2)上所形成的隔膜(5)上，形成作为压敏元件部的计量电阻(6)。
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公开(公告)号：CN103091007B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210207074.3
申请日：2012-06-21
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: B81C1/00626 , B81B2201/0264 , G01L9/0048 , G01L9/0051
Abstract: 本发明涉及半导体压力传感器以及半导体压力传感器的制造方法。半导体压力传感器具备：第一基板（1），在主表面（1a）具有凹部（3）以及对准标记（4）；第二基板（2），形成在第一基板（1）的主表面（1a）上，具有以覆盖第一基板（1）的凹部（3）内的空间（IS）上的方式设置的隔板（5）以及在隔板（5）上设置的应变计电阻（6）。对准标记（4）以从第二基板（2）露出的方式设置。由此，能够得到能够抑制制造成本并且能够使压力测定精度提高的半导体压力传感器及其制造方法。
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公开(公告)号：CN102243125B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201110008491.0
申请日：2011-01-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01L9/04
CPC classification number: G01L9/0042 , B81B3/0078 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127
Abstract: 本发明的目的在于获得一种能够提高膜片的破坏耐压的半导体压力传感器。包括：第一半导体基板(3)，该第一半导体基板(3)形成有在厚度方向上的一个表面开口的凹部(2)；第二半导体基板(4)，该第二半导体基板(4)配置为与第一半导体基板(3)的一个表面相对；以及第一氧化硅膜(6)，该第一氧化硅膜(6)介于第一半导体基板(3)和第二半导体基板(4)之间，形成有连通凹部(2)与第二半导体基板(4)之间的贯通孔(5)，若从与贯通孔(5)及凹部(2)的开口相对的一侧来看，贯通孔(5)的边缘部的至少一部分位于凹部(2)的开口边缘部的内侧。
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公开(公告)号：CN102243125A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110008491.0
申请日：2011-01-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01L9/04
CPC classification number: G01L9/0042 , B81B3/0078 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127
Abstract: 本发明的目的在于获得一种能够提高膜片的破坏耐压的半导体压力传感器。包括：第一半导体基板(3)，该第一半导体基板(3)形成有在厚度方向上的一个表面开口的凹部(2)；第二半导体基板(4)，该第二半导体基板(4)配置为与第一半导体基板(3)的一个表面相对；以及第一氧化硅膜(6)，该第一氧化硅膜(6)介于第一半导体基板(3)和第二半导体基板(4)之间，形成有连通凹部(2)与第二半导体基板(4)之间的贯通孔(5)，若从与贯通孔(5)及凹部(2)的开口相对的一侧来看，贯通孔(5)的边缘部的至少一部分位于凹部(2)的开口边缘部的内侧。
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