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公开(公告)号：CN102577629B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201080038772.4
申请日：2010-07-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01J37/32541 , C23C16/24 , C23C16/452 , C23C16/509 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/3255 , H01J37/32816
Abstract: 一种等离子体生成装置，对处理对象物照射在连接了电源的第1电极与和所述第1电极相向配置且接地的第2电极的电极间间隙中在100Pa以上大气压以下的气压之下所生成的等离子体，其中，所述第1电极是隔着在不与所述第2电极相向的面处设置的固体电介体而被接地了的导电性保持部件所保持的构造，在所述固体电介体的表面之中，在与所述导电性保持部件接触的规定范围的面和不与所述导电性保持部件接触的规定范围的面中连续地设置有导电膜。
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公开(公告)号：CN102577629A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080038772.4
申请日：2010-07-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01J37/32541 , C23C16/24 , C23C16/452 , C23C16/509 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/3255 , H01J37/32816
Abstract: 一种等离子体生成装置，对处理对象物照射在连接了电源的第1电极与和所述第1电极相向配置且接地的第2电极的电极间间隙中在100Pa以上大气压以下的气压之下所生成的等离子体，其中，所述第1电极是隔着在不与所述第2电极相向的面处设置的固体电介体而被接地了的导电性保持部件所保持的构造，在所述固体电介体的表面之中，在与所述导电性保持部件接触的规定范围的面和不与所述导电性保持部件接触的规定范围的面中连续地设置有导电膜。
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公开(公告)号：CN1114949C
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN97122476.5
申请日：1997-11-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/105 , H01L27/10808
Abstract: 提高pn结的耐压和缓和电场的同时，对场效应晶体管的特性不造成坏影响的杂质浓度分布，在硅衬底上形成n型源漏区域；在形成p阱形成用掺杂区域、p沟截止区域和p沟掺杂区域中具有峰值浓度；n源漏区域杂质浓度分布，以低浓度与p杂质浓度分布交叉，而且比p沟截止区域和p沟掺杂区域的杂质浓度高，在它们的深度近旁，有磷注入区域，出现了各自的峰值浓度；在磷注入区域的峰值浓度之间，n源漏区域的浓度分布具有极小点或拐点。
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公开(公告)号：CN100356141C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510054795.5
申请日：2005-03-16
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01D5/145 , G01D5/2451
Abstract: 本发明提供一种旋转状态检测装置及方法。包括：由磁阻效应元件组(11a，11b，12a，12b)构成的第1、第2电桥电路(11，12)；分别检测第1、第2电桥电路(11，12)的中点电压的增减方向的第1、第2比较器(31，32)；检测第1电桥电路与第2电桥电路的中点电压之差的第3比较器(33)；以及逻辑信息导出装置(5)，在第1比较器和第2比较器的输出的逻辑值均为“1”时输出“1”、均为“0”时输出“0”，而在除此以外时保持并输出前一值；通过第1、第2、第3比较器(31，32，33)及逻辑信息导出装置(5)的输出的组合来识别被检测对象的旋转方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1670484A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510054795.5
申请日：2005-03-16
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01D5/145 , G01D5/2451
Abstract: 本发明提供一种旋转状态检测装置及方法。包括：由磁阻效应元件组(11a，11b，12a，12b)构成的第1、第2电桥电路(11，12)；分别检测第1、第2电桥电路(11，12)的中点电压的增减方向的第1、第2比较器(31，32)；检测第1电桥电路与第2电桥电路的中点电压之差的第3比较器(33)；以及逻辑信息导出装置(5)，在第1比较器和第2比较器的输出的逻辑值均为“1”时输出“1”、均为“0”时输出“0”，而在除此以外时保持并输出前一值；通过第1、第2、第3比较器(31，32，33)及逻辑信息导出装置(5)的输出的组合来识别被检测对象的旋转方向。
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公开(公告)号：CN107112367B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201680005079.4
申请日：2016-01-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及构成液晶显示装置的薄膜晶体管基板，具备薄膜晶体管、第一电极、栅极布线以及源极布线，所述薄膜晶体管具有：栅电极；栅极绝缘膜，覆盖栅电极；半导体层，设置于隔着栅极绝缘膜而与栅电极相向的位置；沟道保护膜，覆盖半导体层；保护膜，覆盖沟道保护膜上；以及源电极和漏电极，经由以贯通保护膜及沟道保护膜的方式设置的第一接触孔而与半导体层相接，所述第一电极与漏电极电连接，所述栅极布线从栅电极延伸，所述源极布线与源电极电连接，源极布线和源电极以及第一电极和漏电极分别经由贯通保护膜的第二接触孔而电连接，第一电极和源极布线具有在第一绝缘膜上形成的第一透明导电膜，第一绝缘膜用与沟道保护膜相同的材料形成。
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公开(公告)号：CN107112367A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680005079.4
申请日：2016-01-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及构成液晶显示装置的薄膜晶体管基板，具备薄膜晶体管、第一电极、栅极布线以及源极布线，所述薄膜晶体管具有：栅电极；栅极绝缘膜，覆盖栅电极；半导体层，设置于隔着栅极绝缘膜而与栅电极相向的位置；沟道保护膜，覆盖半导体层；保护膜，覆盖沟道保护膜上；以及源电极和漏电极，经由以贯通保护膜及沟道保护膜的方式设置的第一接触孔而与半导体层相接，所述第一电极与漏电极电连接，所述栅极布线从栅电极延伸，所述源极布线与源电极电连接，源极布线和源电极以及第一电极和漏电极分别经由贯通保护膜的第二接触孔而电连接，第一电极和源极布线具有在第一绝缘膜上形成的第一透明导电膜，第一绝缘膜用与沟道保护膜相同的材料形成。
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公开(公告)号：CN1195199A
公开(公告)日：1998-10-07
申请号：CN97122719.5
申请日：1997-11-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/088 , H01L27/108
CPC classification number: H01L29/6659 , H01L29/1045 , H01L29/1083
Abstract: 本发明的目的是在栅极长度短的场效应晶体管中抑制反短沟效应。方案是:场效应晶体管由p型硅衬底1和栅极电极3和一对低浓度源漏区域51、高浓度源漏区域52构成。在硅衬底1上边形成了硼浓度峰值区域61、62和63。硼浓度峰值区域63对于栅极电极的长度L具有小于L/4的长度,且从栅极电极3的端缘向中央伸展。
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公开(公告)号：CN1194465A
公开(公告)日：1998-09-30
申请号：CN97122476.5
申请日：1997-11-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/105 , H01L27/10808
Abstract: 提高pn结的耐压和缓和电场的同时,对场效应晶体管的特性不造成坏影响的杂质浓度分布,在硅衬底上形成n型源漏区域;在形成p阱形成用掺杂区域、p沟截止区域和p沟掺杂区域中具有蜂值浓度;n源漏区域杂质浓度分布,以低浓度与p杂质浓度分布交叉,而且比p沟截止区域和p沟掺杂区域的杂质浓度高,在它们的深度近旁,有磷注入区域,出现了各自的峰值浓度;在磷注入区域的峰值浓度之间,n源漏区域的浓度分布具有极小点或拐点。
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