公开(公告)号：CN1114949C

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：CN97122476.5

申请日：1997-11-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 村上隆昭 ,  安村贤二

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L27/10808

Abstract: 提高pn结的耐压和缓和电场的同时，对场效应晶体管的特性不造成坏影响的杂质浓度分布，在硅衬底上形成n型源漏区域；在形成p阱形成用掺杂区域、p沟截止区域和p沟掺杂区域中具有峰值浓度；n源漏区域杂质浓度分布，以低浓度与p杂质浓度分布交叉，而且比p沟截止区域和p沟掺杂区域的杂质浓度高，在它们的深度近旁，有磷注入区域，出现了各自的峰值浓度；在磷注入区域的峰值浓度之间，n源漏区域的浓度分布具有极小点或拐点。

公开(公告)号：CN1194465A

公开(公告)日：1998-09-30

申请号：CN97122476.5

申请日：1997-11-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 村上隆昭 ,  安村贤二

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L27/10808

Abstract: 提高pn结的耐压和缓和电场的同时,对场效应晶体管的特性不造成坏影响的杂质浓度分布,在硅衬底上形成n型源漏区域;在形成p阱形成用掺杂区域、p沟截止区域和p沟掺杂区域中具有蜂值浓度;n源漏区域杂质浓度分布,以低浓度与p杂质浓度分布交叉,而且比p沟截止区域和p沟掺杂区域的杂质浓度高,在它们的深度近旁,有磷注入区域,出现了各自的峰值浓度;在磷注入区域的峰值浓度之间,n源漏区域的浓度分布具有极小点或拐点。

公开(公告)号：CN1195199A

公开(公告)日：1998-10-07

申请号：CN97122719.5

申请日：1997-11-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 安村贤二 ,  村上隆昭

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083

Abstract: 本发明的目的是在栅极长度短的场效应晶体管中抑制反短沟效应。方案是:场效应晶体管由p型硅衬底1和栅极电极3和一对低浓度源漏区域51、高浓度源漏区域52构成。在硅衬底1上边形成了硼浓度峰值区域61、62和63。硼浓度峰值区域63对于栅极电极的长度L具有小于L/4的长度,且从栅极电极3的端缘向中央伸展。