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公开(公告)号：CN117941232A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202180101754.4
申请日：2021-08-31
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/08
Abstract: 半导体驱动装置(10)具备驱动半导体开关元件(50)的栅极驱动部(11)和过电流保护部(12)。过电流保护部(12)具有：过电流判定部(13)，输入检测信号(SOC)而判定过电流；以及栅极电压降低部(14)，在判定出该过电流时降低栅极的施加电压。过电流判定部(13)具备将检测信号(SOC)的输入部的电位(VA1)钳位成栅极电位的钳位二极管(D1)、连接有所述输入部的第1晶体管(Q1)、以及低通滤波器(R、C1)，在所述输入部的电位(VA1)达到设定值时第1晶体管(Q1)导通而判定出半导体开关元件的过电流(50)。
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公开(公告)号：CN109417355B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201780035419.2
申请日：2017-03-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 电动机驱动装置(100)具备平滑电容器(4)和逆变器(1)，进一步具备用于平滑电容器(4)的过电压保护的过电压保护部(6)和相短路控制部(12)。过电压保护部(6)具备将放电电阻(7)与IGBT(9)串联连接而成的放电电路(20)、以及以具有判定延迟的方式判定平滑电容器电压超过第一设定电压并使IGBT(9)接通的第一判定电路(21)。相短路控制部(12)被设置在驱动控制逆变器(1)的控制装置(5)内，具备第二判定电路(13)，对逆变器(1)进行相短路控制，所述第二判定电路(13)以具有长于第一判定电路(21)的判定延迟的判定时间的方式判定平滑电容器电压超过低于第一设定电压的第二设定电压。
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公开(公告)号：CN119731920A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202280099250.8
申请日：2022-09-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/08
Abstract: 目的在于得到一种栅极驱动装置，能够比以往降低噪声。栅极驱动装置(100)具备：指令生成电路(20)，根据输入信号(Vin)而生成栅极驱动指令并输出；恒定输出电路(10)，与指令生成电路(20)并联地连接，根据输入信号(Vin)输出恒定电压信号；互补型发射极跟随器电路(30)，放大栅极驱动指令；以及电流限制元件(82)，设置于互补型发射极跟随器电路(30)的输入侧或者输出侧，抑制电流的逆流，栅极驱动装置对半导体开关元件(92)的栅极端子施加将栅极驱动指令和恒定电压信号进行合成而得到的栅极驱动电压。
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公开(公告)号：CN109429543A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201780035961.8
申请日：2017-02-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明是使用内部包含有半导体元件的模块(1、2、3)来向负载进行供电的功率转换装置(50、60、70、80、90、100)，对冷却模块(1、2、3)的金属壳体(8、13、16)设置对密封树脂(10)进行保持的密封壁(9)，并且将成为流入流出所述半导体元件的电流路径的一个布线构件即反馈电流路径设为金属壳体(8、13、16)，使另一个的布线构件与金属壳体(8、13、16)的密封壁(9)相接近并平行地进行配置。
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公开(公告)号：CN119487739A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202280097639.9
申请日：2022-07-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 恩田航平
IPC: H02M1/08
Abstract: 本公开的半导体驱动装置(100)具备：定时生成部(12)，基于来自外部的接通断开指令信号分别生成对于所述多个栅极端子的栅极接通指令信号；栅极指令波形生成部(13)，基于栅极接通指令信号分别生成与多个栅极端子中的至少一个第一栅极端子对应的第一栅极指令波形以及与至少一个第二栅极端子对应的第二栅极指令波形，在多栅极型半导体开关元件(20)从非导通状态向导通状态转移时和从导通状态向非导通状态转移时的任一方或两方，对第一栅极指令波形和第二栅极指令波形的任一方或两方的波形进行控制；以及信号放大部(14)，将第一栅极指令波形和第二栅极指令波形的任一方或两方作为输入波形，以使输出波形跟随输入波形的方式将输入波形进行放大。
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公开(公告)号：CN118715701A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202280091907.6
申请日：2022-02-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/08
Abstract: 具备：栅极驱动部(3)，对半导体开关元件(1)的控制端子施加栅极驱动电压来驱动半导体开关元件(1)；电压反馈部(2)，连接于半导体开关元件(1)的高电位主端子，将在半导体开关元件(1)的关断时产生的高电位主端子的电压反馈到栅极驱动部(3)；以及放电部(4)，构成在半导体开关元件(1)导通时使电压反馈部(2)中包括的电荷向半导体开关元件(1)的高电位主端子侧放电的路径。
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公开(公告)号：CN109429543B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201780035961.8
申请日：2017-02-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明是使用内部包含有半导体元件的模块(1、2、3)来向负载进行供电的功率转换装置(50、60、70、80、90、100)，对冷却模块(1、2、3)的金属壳体(8、13、16)设置对密封树脂(10)进行保持的密封壁(9)，并且将成为流入流出所述半导体元件的电流路径的一个布线构件即反馈电流路径设为金属壳体(8、13、16)，使另一个的布线构件与金属壳体(8、13、16)的密封壁(9)相接近并平行地进行配置。
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公开(公告)号：CN119301860A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202380043431.3
申请日：2023-01-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在通过PWM控制来驱动半导体开关元件而进行直流与交流之间的变换的电力变换装置中，使用PWM载波来设定PWM控制的脉宽，关于作为半导体开关元件的驱动条件的载波频率、半导体开关元件的栅极电压以及栅极电阻，在预先决定的更新定时，根据当前的驱动条件，通过运算来求出预先决定的损耗运算期间中的所述半导体开关元件的损耗，将变更驱动条件并通过运算来求出损耗运算期间中的损耗的处理重复预先决定的次数，决定损耗成为最小的驱动条件，以所决定的驱动条件来驱动半导体开关元件。
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公开(公告)号：CN110063009A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201680090165.X
申请日：2016-11-21
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 电力变换装置(100)具备：第1开关部(11)，连接于直流电源(120)与逆变器电路(20)之间；谐振电路(12)，与逆变器电路(20)的输入连接，是将电容器(13)、电抗器(14)和第2开关部(15)连接而成的；以及控制部(30)，控制部(30)在将第1开关部(11)控制为截止并且将第2开关部(15)控制为导通的谐振动作期间中，控制逆变器电路(20)以使得从电流在逆变器电路(20)的上支路或下支路的某一方的支路回流的模式转变为电流在另一方的支路回流的模式，并且设置使逆变器电路(20)的所有相的上支路及下支路同时导通的期间。
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公开(公告)号：CN119545821A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202410277944.7
申请日：2024-03-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明得到一种能够充分地降低损失的半导体装置。第一区域(1a)的沟槽(5)具有:第一沟槽(5a)、和从两侧夹着第一沟槽(5a)的两个以上的第二沟槽(5b)。形成于两个以上的第二沟槽(5b)的栅极电极(7)相互连接，并且不与形成于第一沟槽(5a)的栅极电极(7)连接。形成于第二区域(1b)的沟槽(5)的栅极电极(7)与发射极电极(9)连接。在被第一区域(1a)和第二区域(1b)夹着的区域内，基极层(3)与发射极电极(9)连接。
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