电梯的控制装置和控制方法

    公开(公告)号:CN111051231A

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201780094417.0

    申请日:2017-09-13

    Inventor: 三富直彦

    Abstract: 在对由多相的半导体元件构成的逆变器进行控制而驱动电机使轿厢升降并使所述轿厢在到达楼层后进行再平层动作的电梯中,根据逆变器的各相的电流的检测结果求出再平层动作前的半导体元件的第一温度上升估计值(θe),根据再平层动作时各相的电流流过的时间和电流对各相的电流实效值进行运算,在第一温度上升估计值(θe)与第二温度上升估计值(θn)相加而得到的值超过阈值(θth)时,判定为过热,从而以抑制半导体元件的温度上升的方式来控制再平层动作后的电梯的动作,该第二温度上升估计值(θn)是依照所存储的所述再平层动作时的电流实效值与半导体元件的温度上升估计值(θn)之间的关系的、针对运算出的电流实效值的温度上升估计值。

    半导体驱动装置以及具备其的电力变换装置

    公开(公告)号:CN117941232A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202180101754.4

    申请日:2021-08-31

    Abstract: 半导体驱动装置(10)具备驱动半导体开关元件(50)的栅极驱动部(11)和过电流保护部(12)。过电流保护部(12)具有:过电流判定部(13),输入检测信号(SOC)而判定过电流;以及栅极电压降低部(14),在判定出该过电流时降低栅极的施加电压。过电流判定部(13)具备将检测信号(SOC)的输入部的电位(VA1)钳位成栅极电位的钳位二极管(D1)、连接有所述输入部的第1晶体管(Q1)、以及低通滤波器(R、C1),在所述输入部的电位(VA1)达到设定值时第1晶体管(Q1)导通而判定出半导体开关元件的过电流(50)。

    电梯控制装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105531216A

    公开(公告)日:2016-04-27

    申请号:CN201380079286.0

    申请日:2013-09-03

    CPC classification number: B66B1/30

    Abstract: 提供在轿厢的行进开始前能够预防开关元件的温度上升的电梯控制装置。电梯控制装置具有:行进距离计算单元(15),其计算轿厢(7)从当前楼层到行进目标楼层的行进距离;温度上升估计单元(25),其根据由行进距离计算单元(15)计算出的行进距离,计算对使轿厢(7)行进的同步电动机(2)进行驱动的逆变器(10)的开关元件的温度上升估计值;以及设定变更单元(26),其在轿厢(7)的行进开始前,根据由温度上升估计单元(25)计算出的温度上升估计值,决定用于控制逆变器(10)的载波频率。

    自灭弧式半导体元件的短路保护电路

    公开(公告)号:CN106688183A

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201480081850.7

    申请日:2014-09-11

    Abstract: 自灭弧式半导体元件(302)的短路保护电路包括第1保护电路(304)和第2保护电路(101)。第1保护电路(304)构成为在检测到在自灭弧式半导体元件(302)的第1以及第2主电极之间(802、803)流过过电流这一情况的场合下,使控制电极(801)与第1主电极(802)之间的电压减少。第2保护电路(101)构成为检测在用于供给驱动电压的布线(411)中流过的电流,基于检测到的电流判断第1保护电路(304)是否处于动作状态,在第1保护电路(304)为动作状态的情况下以使自灭弧式半导体元件(302)截止的方式使驱动电压变化。

    电梯的控制装置和控制方法

    公开(公告)号:CN111051231B

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN201780094417.0

    申请日:2017-09-13

    Inventor: 三富直彦

    Abstract: 在对由多相的半导体元件构成的逆变器进行控制而驱动电机使轿厢升降并使所述轿厢在到达楼层后进行再平层动作的电梯中,根据逆变器的各相的电流的检测结果求出再平层动作前的半导体元件的第一温度上升估计值(θe),根据再平层动作时各相的电流流过的时间和电流对各相的电流实效值进行运算,在第一温度上升估计值(θe)与第二温度上升估计值(θn)相加而得到的值超过阈值(θth)时,判定为过热,从而以抑制半导体元件的温度上升的方式来控制再平层动作后的电梯的动作,该第二温度上升估计值(θn)是依照所存储的所述再平层动作时的电流实效值与半导体元件的温度上升估计值(θn)之间的关系的、针对运算出的电流实效值的温度上升估计值。

    自灭弧式半导体元件的短路保护电路

    公开(公告)号:CN106688183B

    公开(公告)日:2020-08-21

    申请号:CN201480081850.7

    申请日:2014-09-11

    Abstract: 自灭弧式半导体元件(302)的短路保护电路包括第1保护电路(304)和第2保护电路(101)。第1保护电路(304)构成为在检测到在自灭弧式半导体元件(302)的第1以及第2主电极之间(802、803)流过过电流这一情况的场合下,使控制电极(801)与第1主电极(802)之间的电压减少。第2保护电路(101)构成为检测在用于供给驱动电压的布线(411)中流过的电流,基于检测到的电流判断第1保护电路(304)是否处于动作状态,在第1保护电路(304)为动作状态的情况下以使自灭弧式半导体元件(302)截止的方式使驱动电压变化。

    电梯控制装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105531216B

    公开(公告)日:2017-08-08

    申请号:CN201380079286.0

    申请日:2013-09-03

    CPC classification number: B66B1/30

    Abstract: 提供在轿厢的行进开始前能够预防开关元件的温度上升的电梯控制装置。电梯控制装置具有:行进距离计算单元(15),其计算轿厢(7)从当前楼层到行进目标楼层的行进距离;温度上升估计单元(25),其根据由行进距离计算单元(15)计算出的行进距离,计算对使轿厢(7)行进的同步电动机(2)进行驱动的逆变器(10)的开关元件的温度上升估计值;以及设定变更单元(26),其在轿厢(7)的行进开始前,根据由温度上升估计单元(25)计算出的温度上升估计值,决定用于控制逆变器(10)的载波频率。

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