噪声抑制装置
    1.
    发明公开
    噪声抑制装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116648844A

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202180088207.7

    申请日:2021-01-05

    Inventor: 石川纯一郎

    Abstract: 提供能够更加可靠地抑制共模电流的噪声抑制装置。噪声抑制装置具有:共模线圈,其连接在电源与控制装置之间;以及电子装置,其与所述共模线圈并联连接,流过在所述电源与所述控制装置之间流过的电流中的低频的电流。根据该噪声抑制装置,在电子装置中流过在电源与控制装置之间流过的电流中的低频的电流。因此,能够更加可靠地抑制共模电流。

    绝缘栅型功率半导体元件的栅极驱动电路

    公开(公告)号:CN106664085B

    公开(公告)日:2019-10-22

    申请号:CN201480080132.8

    申请日:2014-07-03

    Abstract: 防止绝缘栅型功率半导体元件的稳态损耗加剧。栅极驱动电路(2)具有:NchMOSFET(4),其使所述绝缘栅型功率半导体元件(1)导通;PchMOSFET(5),其使所述绝缘栅型功率半导体元件(1)截止;控制电路(6),其通过将正电压(8b)施加于所述NchMOSFET(4)的栅电极而使所述NchMOSFET(4)导通,通过将负电压(9)施加于所述PchMOSFET(5)的栅电极而使所述PchMOSFET(5)导通;以及电源体(7),其将负电压(9)施加于所述PchMOSFET(5)的漏电极和所述控制电路(6)的负侧电极,将正电压(8a)施加于所述NchMOSFET(4)的漏电极,将绝对值比施加于所述NchMOSFET(4)的漏电极的正电压(8a)的绝对值大的正电压(8b)施加于所述控制电路(6)的正侧电极。

    自灭弧式半导体元件的短路保护电路

    公开(公告)号:CN106688183A

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201480081850.7

    申请日:2014-09-11

    Abstract: 自灭弧式半导体元件(302)的短路保护电路包括第1保护电路(304)和第2保护电路(101)。第1保护电路(304)构成为在检测到在自灭弧式半导体元件(302)的第1以及第2主电极之间(802、803)流过过电流这一情况的场合下,使控制电极(801)与第1主电极(802)之间的电压减少。第2保护电路(101)构成为检测在用于供给驱动电压的布线(411)中流过的电流,基于检测到的电流判断第1保护电路(304)是否处于动作状态,在第1保护电路(304)为动作状态的情况下以使自灭弧式半导体元件(302)截止的方式使驱动电压变化。

    电力转换装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102282750A

    公开(公告)日:2011-12-14

    申请号:CN200980154419.X

    申请日:2009-12-01

    CPC classification number: H02M7/219 H02M1/4216 H02M1/4233 Y02B70/126

    Abstract: 在三相的主转换器(3)的各相的交流输入线上串联连接单相的副转换器(4)来构成电力转换器。在对电力转换器进行输出控制的控制装置(12)中,由CPU构成电流指令值运算部(20),该电流指令值运算部(20)以使副转换器(4)的直流电压追随指令的方式调整主转换器(3)的直流电压指令,以使主转换器(3)的直流电压追随直流电压指令的方式生成交流电流指令,通过切换副转换器(4)的交流侧的输出电平以使交流电流指令与交流电流瞬时值之间的偏差变小,来控制交流电流。

    半导体驱动装置以及具备其的电力变换装置

    公开(公告)号:CN117941232A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202180101754.4

    申请日:2021-08-31

    Abstract: 半导体驱动装置(10)具备驱动半导体开关元件(50)的栅极驱动部(11)和过电流保护部(12)。过电流保护部(12)具有:过电流判定部(13),输入检测信号(SOC)而判定过电流;以及栅极电压降低部(14),在判定出该过电流时降低栅极的施加电压。过电流判定部(13)具备将检测信号(SOC)的输入部的电位(VA1)钳位成栅极电位的钳位二极管(D1)、连接有所述输入部的第1晶体管(Q1)、以及低通滤波器(R、C1),在所述输入部的电位(VA1)达到设定值时第1晶体管(Q1)导通而判定出半导体开关元件的过电流(50)。

    绝缘栅型功率半导体元件的栅极驱动电路

    公开(公告)号:CN106664085A

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201480080132.8

    申请日:2014-07-03

    Abstract: 防止绝缘栅型功率半导体元件的稳态损耗加剧。栅极驱动电路(2)具有:NchMOSFET(4),其使所述绝缘栅型功率半导体元件(1)导通;PchMOSFET(5),其使所述绝缘栅型功率半导体元件(1)截止;控制电路(6),其通过将正电压(8b)施加于所述NchMOSFET(4)的栅电极而使所述NchMOSFET(4)导通,通过将负电压(9)施加于所述PchMOSFET(5)的栅电极而使所述PchMOSFET(5)导通;以及电源体(7),其将负电压(9)施加于所述PchMOSFET(5)的漏电极和所述控制电路(6)的负侧电极,将正电压(8a)施加于所述NchMOSFET(4)的漏电极,将绝对值比施加于所述NchMOSFET(4)的漏电极的正电压(8a)的绝对值大的正电压(8b)施加于所述控制电路(6)的正侧电极。

    电梯用供电系统
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101146729B

    公开(公告)日:2011-02-02

    申请号:CN200580049319.2

    申请日:2005-04-01

    Inventor: 石川纯一郎

    CPC classification number: B66B1/34 B66B11/005

    Abstract: 本发明提供一种电梯用供电系统。该电梯用供电系统具有:第1蓄电装置,其用于蓄积来自商用电源的电力;充电装置,其向第1蓄电装置充电来自商用电源的电力,并且控制向第1蓄电装置进行充电时的电流;第2蓄电装置,其用于蓄积使电梯设备工作的电力;以及电力供给装置,其向第2蓄电装置补给来自第1蓄电装置的电力。

    电梯的维修运转装置
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1313345C

    公开(公告)日:2007-05-02

    申请号:CN200410045602.5

    申请日:1999-10-07

    CPC classification number: B66B11/001 B66B1/46 B66B1/466 B66B1/467 B66B5/0087

    Abstract: 一种电梯的维修运转装置,具有维修操作盘,所述维修操作盘与电梯的控制盘分开配设在电梯口的附近,具有实施与电梯笼的升降有关的维修运转指令操作的运转操作盘、与卷扬机的制动装置连接且可释放制动器的制动器释放装置、以及可间接性地看清在升降路内升降的电梯笼的位置的电梯笼位置确认装置,其特征在于,制动器释放装置具有可取下的操作臂。由于释放制动器时使用的操作臂可与制动器释放装置分离,可存放在维修操作盘中,因此,不需要为了操作臂而增大维修操作盘。

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