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公开(公告)号：CN104124220A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410164661.8
申请日：2014-04-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L21/60
CPC classification number: H01L29/045 , H01L21/0485 , H01L21/283 , H01L21/445 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明目的是提供能够在衬底面上形成没有外观异常的导电膜的半导体元件以及该半导体元件的制造方法。其特征在于，包括：六方晶系且衬底面为（0001）面的衬底（10）；和在该衬底面上形成的多个导电膜（12）。该多个导电膜包括：第一导电膜（14），晶体结构为不拥有与该衬底的该衬底面中的原子排列具有同等的对称性的平面；以及第二导电膜（16），形成于该第一导电膜的上方，晶体结构为具有至少一个与该衬底的该衬底面中的原子排列具有同等的对称性的平面，该第二导电膜为粒径是15μm以下的多晶。
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公开(公告)号：CN103050460A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210383347.X
申请日：2012-10-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/3192 , H01L23/564 , H01L24/05 , H01L2224/02331 , H01L2224/05008 , H01L2224/0508 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/05583 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供能提高针对来自外部的杂质等的耐性的半导体装置及其制造方法。在GaAs衬底(1)上设置有下层布线(2)。在GaAs衬底(1)及下层布线(2)上设置有树脂膜(4)。树脂膜(4)在下层布线(2)上具有开口(5)。在下层布线(2)及树脂膜(4)上设置有SiN膜(6)。SiN膜(6)在开口(5)内具有开口(7)。在下层布线(2)及树脂膜(4)的一部分上设置有上层布线(8)。上层布线(8)具有经由开口(5)、(7)与下层布线(2)连接的Ti膜(8a)和设置在Ti膜(8a)上的Au膜(8b)。在上层布线(8)及树脂膜(4)上设置有SiN膜(9)。SiN膜(9)在树脂膜(4)上附着于SiN膜(6)。SiN膜(6)、(9)保护Ti膜(8a)的周围。
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公开(公告)号：CN101119010A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710139920.1
申请日：2007-08-03
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 志贺俊彦
Abstract: 本发明构成一种可防止金属电极层的剥离并且可抑制接触电阻的上升的半导体光学元件。本发明的LD(10)包括：半导体层叠结构(37)，包含在n GaN基板(12)上依次层叠的有源层(26)、p包层(34)和接触层(36)；波导脊(40)，由该半导体层叠结构(37)的接触层(36)和p包层(34)的一部分形成；第1硅绝缘膜(44)，与该波导脊(40)的顶部对应地具有开口部(44a)，覆盖波导脊(40)的侧壁；紧密附着层(45)，包含排除开口部(44a)地配设在第1硅绝缘膜(44)上的由Ti构成的第1紧密附着膜(45a)；以及p侧电极(46)，配设在该紧密附着层(45)上，并且经开口部(44a)与波导脊(40)的顶部的接触层(36)紧密附着在一起。
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公开(公告)号：CN100592584C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200710137346.6
申请日：2007-07-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体光元件的制造方法。可在波导脊的上表面，稳定地防止半导体层与电极层的接触面积的减少，提供一种成品率高的制造方法。本发明的LD(10)的制造方法是在层叠了半导体层的晶片中形成波导脊(40)，在晶片整个面中形成SiO2膜(78)，形成于波导脊(40)顶部的SiO2膜(78)的表面露出，同时，利用抗蚀剂膜埋设邻接于波导脊(40)的沟道(38)的SiO2膜(78)，形成第2抗蚀剂图案(82)，该抗蚀剂膜具有比波导脊(40)的p-GaN层(74)表面高、且比波导脊(40)顶部上的SiO2膜(78)表面低的表面，将第2抗蚀剂图案(82)作为掩膜，去除SiO2膜(78)，使波导脊(40)的p-GaN层(74)表面露出，并在其上形成电极层(46)。
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公开(公告)号：CN101281931A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200710193300.6
申请日：2007-12-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/812 , H01L29/47
CPC classification number: H01L29/475 , H01L29/2003 , H01L29/812
Abstract: 本发明的目的在于提供一种晶体管，具有将肖特基势垒高度或者理想系数值这样的特性保持为良好的值并且耐热性优良的电极。在AlGaN层(14)上层叠高氮化率的TaN层(22)，得到良好的特性的肖特基结。在TaN层(22)的周围设置绝缘膜(16)，在TaN层(22)的上层层叠耐热性优良的低氮化率TaN层(24)。由TaN层(24)和绝缘膜(16)覆盖TaN层(22)，保护TaN层(22)不暴露在大气中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101110512A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710137346.6
申请日：2007-07-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体光元件的制造方法。可在波导脊的上表面，稳定地防止半导体层与电极层的接触面积的减少，提供一种成品率高的制造方法。本发明的LD(10)的制造方法是在层叠了半导体层的晶片中形成波导脊(40)，在晶片整个面中形成SiO2膜(78)，形成于波导脊(40)顶部的SiO2膜(78)的表面露出，同时，利用抗蚀剂膜埋设邻接于波导脊(40)的沟道(38)的SiO2膜(78)，形成第2抗蚀剂图案(82)，该抗蚀剂膜具有比波导脊(40)的p－GaN层(74)表面高、且比波导脊(40)顶部上的SiO2膜(78)表面低的表面，将第2抗蚀剂图案(82)作为掩膜，去除SiO2膜(78)，使波导脊(40)的p－GaN层(74)表面露出，并在其上形成电极层(46)。
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公开(公告)号：CN109863590A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201680090274.1
申请日：2016-10-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的半导体装置的特征在于，具备：基板；发热部，其形成于基板之上；盖基板，其在基板的上方以在盖基板与基板之间具有中空部的方式形成；以及反射膜，其在发热部的上方对红外线进行反射。反射膜对由于发热部的温度上升而经由中空部向盖基板侧辐射的红外线进行反射，从而具有抑制盖基板侧的温度上升的作用。由于该作用，即使在模塑树脂存在于盖基板之上的情况下，也产生抑制模塑树脂的温度上升的效果。
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公开(公告)号：CN101281931B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200710193300.6
申请日：2007-12-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/812 , H01L29/47
CPC classification number: H01L29/475 , H01L29/2003 , H01L29/812
Abstract: 本发明的目的在于提供一种晶体管，具有将肖特基势垒高度或者理想系数值这样的特性保持为良好的值并且耐热性优良的电极。在AlGaN层(14)上层叠高氮化率的TaN层(22)，得到良好的特性的肖特基结。在TaN层(22)的周围设置绝缘膜(16)，在TaN层(22)的上层层叠耐热性优良的低氮化率TaN层(24)。由TaN层(24)和绝缘膜(16)覆盖TaN层(22)，保护TaN层(22)不暴露在大气中。
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公开(公告)号：CN100440533C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610073541.2
申请日：2006-04-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/43
CPC classification number: H01L29/475 , H01L21/28581 , H01L21/28587 , H01L29/42316
Abstract: 提高肖特基电极的耐湿性而得到半导体装置。肖特基电极即栅电极(8)包括TaNx层(6)和Au层(7)。TaNx层(6)为了防止Au层(7)和基板(100)之间的原子扩散，起势垒金属的作用。TaNx不含Si，所以比含有Si的WSiN的耐湿性高。因此栅电极(8)与具有WSiN层的以往的栅电极相比耐湿性高。另外，设定氮含有率x小于0.8，与以往的栅电极相比可以避免肖特基特性的大幅度降低。或者氮含有率x在小于0.5的范围之内，与以往的栅电极相比能够提高肖特基特性。
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公开(公告)号：CN109863590B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201680090274.1
申请日：2016-10-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的半导体装置的特征在于，具备：基板；发热部，其形成于基板之上；盖基板，其在基板的上方以在盖基板与基板之间具有中空部的方式形成；以及反射膜，其在发热部的上方对红外线进行反射。反射膜对由于发热部的温度上升而经由中空部向盖基板侧辐射的红外线进行反射，从而具有抑制盖基板侧的温度上升的作用。由于该作用，即使在模塑树脂存在于盖基板之上的情况下，也产生抑制模塑树脂的温度上升的效果。
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