公开(公告)号：CN1855530A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610073541.2

申请日：2006-04-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 天清宗山 ,  志贺俊彦 ,  国井彻郎 ,  奥友希

IPC: H01L29/43

CPC classification number: H01L29/475 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/28587 ,  H01L29/42316

Abstract: 提高肖特基电极的耐湿性而得到半导体装置。肖特基电极即栅电极(8)包括TaNx层(6)和Au层(7)。TaNx层(6)为了防止Au层(7)和基板(100)之间的原子扩散，起势垒金属的作用。TaNx不含Si，所以比含有Si的WSiN的耐湿性高。因此栅电极(8)与具有WSiN层的以往的栅电极相比耐湿性高。另外，设定氮含有率x小于0.8，与以往的栅电极相比可以避免肖特基特性的大幅度降低。或者氮含有率x在小于0.5的范围之内，与以往的栅电极相比能够提高肖特基特性。

公开(公告)号：CN100440533C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200610073541.2

申请日：2006-04-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 天清宗山 ,  志贺俊彦 ,  国井彻郎 ,  奥友希

IPC: H01L29/43

CPC classification number: H01L29/475 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/28587 ,  H01L29/42316

Abstract: 提高肖特基电极的耐湿性而得到半导体装置。肖特基电极即栅电极(8)包括TaNx层(6)和Au层(7)。TaNx层(6)为了防止Au层(7)和基板(100)之间的原子扩散，起势垒金属的作用。TaNx不含Si，所以比含有Si的WSiN的耐湿性高。因此栅电极(8)与具有WSiN层的以往的栅电极相比耐湿性高。另外，设定氮含有率x小于0.8，与以往的栅电极相比可以避免肖特基特性的大幅度降低。或者氮含有率x在小于0.5的范围之内，与以往的栅电极相比能够提高肖特基特性。

公开(公告)号：CN1453833A

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN03121837.7

申请日：2003-04-21

Applicant: 安内华株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 森崎仁史 ,  神谷保志 ,  野村秀二 ,  户塚正裕 ,  奥友希 ,  服部亮

IPC: H01L21/318

CPC classification number: C23C16/4411 ,  C23C16/345 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能以很好的再现性堆积成所需膜质的氮化硅膜的薄膜制作装置及其制作方法。它是在连接有排气系统和气体供给系统的真空容器内，配置发热体和基板，维持该发热体在预定温度，分解或活化由上述气体供给系统供给的原料气体，使氮化硅薄膜堆积在基板表面的化学蒸镀装置和蒸镀方法，其特征是：在上述真空容器内部，配置用以包围上述发热体和基板的内壁，形成成膜空间，设置将原料气体输入上述成膜空间的气体输入手段，同时，设置上述内壁的加热手段和/或冷却手段，形成将该内壁的温度控制在预定值的结构。

公开(公告)号：CN100413036C

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN03121837.7

申请日：2003-04-21

Applicant: 佳能安内华株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 森崎仁史 ,  神谷保志 ,  野村秀二 ,  户塚正裕 ,  奥友希 ,  服部亮

IPC: H01L21/318

CPC classification number: C23C16/4411 ,  C23C16/345 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能以很好的再现性堆积成所需膜质的氮化硅膜的薄膜制作装置及其制作方法。它是在连接有排气系统和气体供给系统的真空容器内，配置发热体和基板，维持该发热体在预定温度，分解或活化由上述气体供给系统供给的原料气体，使氮化硅薄膜堆积在基板表面的化学蒸镀装置和蒸镀方法，其特征是：在上述真空容器内部，配置用以包围上述发热体和基板的内壁，形成成膜空间，设置将原料气体输入上述成膜空间的气体输入手段，同时，设置上述内壁的加热手段和/或冷却手段，形成将该内壁的温度控制在预定值的结构。

公开(公告)号：CN1224086C

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN02160477.0

申请日：2002-12-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 户塚正裕 ,  奥友希 ,  服部亮

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/34

CPC classification number: C23C16/45512 ,  C23C16/345 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/463 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明的目的在于：在氮化膜的成膜中减少氨气使用量，改善所获得的氮化膜的膜厚均一性，其实现方法是采用催化剂CVD法、用硅烷气体与氨气在衬底(1)上形成氮化硅膜的方法。在该方法中，让在硅烷气体与氨气中添加了氢气的气体(5)先接触催化剂(6)，然后供给到衬底上。成膜装置(20)中设有反应室(10)。反应室(10)的内部有保持衬底的衬底座(2)，以及催化剂(6)。反应室(10)的外部，设有储存硅烷气体、氨气与氢气的气罐(11～13)。并且，还设有连接气罐和反应室的气体配管(15)，以及将所述气体从气体配管供给到反应室内部的供给部(4)。在此制造装置中，使来自供给部的所述气体先接触催化剂，然后供给衬底，在衬底(1)上形成氮化硅膜。

公开(公告)号：CN1452222A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN02160477.0

申请日：2002-12-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 户塚正裕 ,  奥友希 ,  服部亮

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/34

CPC classification number: C23C16/45512 ,  C23C16/345 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/463 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明的目的在于：在氮化膜的成膜中减少氨气使用量，改善所获得的氮化膜的膜厚均一性，其实现方法是采用催化剂CVD法、用硅烷气体与氨气在衬底1上形成氮化硅膜的方法。在该方法中，让在硅烷气体与氨气中添加了氢气的气体5先接触催化剂6，然后供给到衬底上。成膜装置20中设有反应室10。反应室10的内部有保持衬底的衬底座2，以及催化剂6。反应室10的外部，设有储存硅烷气体、氨气与氢气的气罐11～13。并且，还设有连接气罐和反应室的气体配管15，以及将所述气体从气体配管供给到反应室内部的供给部4。在此制造装置中，使来自供给部的所述气体先接触催化剂，然后供给衬底，在衬底1上形成氮化硅膜。