公开(公告)号：CN101853879B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201010003836.9

申请日：2007-04-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 天清宗山 ,  户塚正裕

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0649

Abstract: 本发明提供一种价格低廉的场效应晶体管及其制造方法，通过耐湿绝缘膜的厚膜层叠对栅电极周围进行防湿处理，而且可以抑制栅极电容的增大。上述场效应晶体管是在半导体层上配设有T型或Γ型栅电极、通过n型参杂的半导体区设置的漏电极和源电极的场效应晶体管，具有将上述栅电极的周围和上述半导体层的表面覆盖的膜厚小于等于50nm的绝缘膜和以催化剂CVD法堆积而将上述绝缘膜覆盖的氮化硅膜，利用上述氮化硅膜，在上述栅电极的相当于张开的伞罩的部分和上述半导体层之间形成空洞。

公开(公告)号：CN102376664A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110225510.5

申请日：2011-08-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小坂尚希 ,  天清宗山 ,  金谷康

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L23/12 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7322 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/27831 ,  H01L2224/27845 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80123 ,  H01L2224/80129 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H05K1/14 ,  H05K2201/047 ,  H05K2201/10515 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01031

Abstract: 本发明提供一种能够节减化合物半导体材料并且得到使用了化合物半导体的高性能的半导体元件的半导体装置、半导体电路基板及半导体电路基板的制造方法。半导体电路基板具有晶体管形成基板（10）和电路形成基板（50）。晶体管形成基板（10）是GaN基板，在表面形成BJT（40）。晶体管形成基板（10）的背面平滑，并且在背面具有接触区域。电路形成基板（50）由化合物半导体以外的材料形成，不具有半导体有源元件。电路形成基板（50）为平滑的表面，具有以在表面露出的方式埋入的接触区域（52、54）及无源电路（未图示）。晶体管形成基板（10）和电路形成基板（50）不插入绝缘膜等其他膜地直接接合。

公开(公告)号：CN101079442A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200610063663.3

申请日：2006-12-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 天清宗山 ,  国井彻郎

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316

Abstract: 提供一种在采用对增大最大漏极电流有效的掩埋栅极构造的同时提高耐压的高输出的场效应晶体管。该场效应晶体管至少具有：在半绝缘基片上用不含铝的3～5族化合物半导体形成的沟道层；在其上用搀杂浓度在1×1016cm－3以下的含铝带隙能大的3～5族化合物半导体形成的栅极接触层；在其上用搀杂浓度在1×1016cm－3以下的不含铝的3～5族化合物半导体形成的栅极掩埋层；和掩埋在该栅极掩埋层中与栅极接触层连接的栅极电极，在栅极掩埋层设有凹槽，包围栅极电极的侧壁，其厚度设为使栅极接触层不露出。

公开(公告)号：CN1921295A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610121370.6

申请日：2006-08-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 天清宗山 ,  松塚隆之 ,  井上晃

IPC: H03F1/22 ,  H03F3/189 ,  H01L27/02

CPC classification number: H03F1/223 ,  H01L27/0222 ,  H01L27/0629 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/75

Abstract: 本发明旨在得到一种能够抑制从最优工作电容发生偏离并且能够降低制造成本的串叠放大器连接电路。它是以串叠放大方式连接有2个场效应晶体管(以下记作“FET”)的串叠放大器连接电路，具有：源极接地的第1FET；源极与第1FET的漏极连接的第2FET；阳极与第1FET的源极连接且阴极与第2FET的栅极连接的肖特基势垒二极管。

公开(公告)号：CN102376664B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201110225510.5

申请日：2011-08-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小坂尚希 ,  天清宗山 ,  金谷康

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L23/12 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7322 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/27831 ,  H01L2224/27845 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80123 ,  H01L2224/80129 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H05K1/14 ,  H05K2201/047 ,  H05K2201/10515 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01031

Abstract: 本发明提供一种能够节减化合物半导体材料并且得到使用了化合物半导体的高性能的半导体元件的半导体装置、半导体电路基板及半导体电路基板的制造方法。半导体电路基板具有晶体管形成基板（10）和电路形成基板（50）。晶体管形成基板（10）是GaN基板，在表面形成BJT（40）。晶体管形成基板（10）的背面平滑，并且在背面具有接触区域。电路形成基板（50）由化合物半导体以外的材料形成，不具有半导体有源元件。电路形成基板（50）为平滑的表面，具有以在表面露出的方式埋入的接触区域（52、54）及无源电路（未图示）。晶体管形成基板（10）和电路形成基板（50）不插入绝缘膜等其他膜地直接接合。

公开(公告)号：CN101826553A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200910172064.9

申请日：2009-08-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 天清宗山

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L27/085 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/8128

Abstract: 本发明得到抑制栅极电容的增大并可显著改善耐湿性的场效应晶体管及其制造方法。在半导体层(1)上形成有T型栅极电极(2)的场效应晶体管，将形成有T型栅极电极(2)的区域设为晶体管有源区域时，在整个该晶体管有源区域中，具备设置在T型栅极电极(2)上的第一高耐湿性保护膜(5)，该膜包含耐湿性和抗蚀刻性高的绝缘膜或有机膜，在包括T型栅极电极(2)的伞下在内的T型栅极电极(2)附近，在半导体层(1)与第一高耐湿性保护膜(5)之间形成空隙(6)，用第二高耐湿性保护膜(7)来堵住空隙(6)与外界连接的端面(6a)。

公开(公告)号：CN100440533C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200610073541.2

申请日：2006-04-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 天清宗山 ,  志贺俊彦 ,  国井彻郎 ,  奥友希

IPC: H01L29/43

CPC classification number: H01L29/475 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/28587 ,  H01L29/42316

Abstract: 提高肖特基电极的耐湿性而得到半导体装置。肖特基电极即栅电极(8)包括TaNx层(6)和Au层(7)。TaNx层(6)为了防止Au层(7)和基板(100)之间的原子扩散，起势垒金属的作用。TaNx不含Si，所以比含有Si的WSiN的耐湿性高。因此栅电极(8)与具有WSiN层的以往的栅电极相比耐湿性高。另外，设定氮含有率x小于0.8，与以往的栅电极相比可以避免肖特基特性的大幅度降低。或者氮含有率x在小于0.5的范围之内，与以往的栅电极相比能够提高肖特基特性。

公开(公告)号：CN101958321B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201010226934.9

申请日：2010-07-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国井彻郎 ,  天清宗山 ,  山本佳嗣 ,  野上洋一

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/04 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/4238 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明涉及半导体装置，其目的在于提供一种能够防止在绝缘区域中发生破坏的半导体装置。本发明的半导体装置的特征在于，具备：半导体衬底；掺杂区域，设置在所述半导体衬底的上表面侧；绝缘区域，在所述半导体衬底的上表面侧，通过离子注入而设置在所述掺杂区域的周围；栅极电极，设置在所述掺杂区域上；第一电极和第二电极，以夹着所述栅极电极的方式设置在所述掺杂区域上；第一焊盘，设置在所述绝缘区域上，连接于所述栅极电极；第二焊盘，在所述绝缘区域上以夹着所述掺杂区域与所述第一焊盘相向的方式设置，连接于所述第二电极；以及导体，在所述绝缘区域上，设置在所述第一电极和所述第二焊盘之间。

公开(公告)号：CN101853879A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010003836.9

申请日：2007-04-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 天清宗山 ,  户塚正裕

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0649

Abstract: 本发明提供一种价格低廉的场效应晶体管及其制造方法，通过耐湿绝缘膜的厚膜层叠对栅电极周围进行防湿处理，而且可以抑制栅极电容的增大。上述场效应晶体管是在半导体层上配设有T型或Γ型栅电极、通过n型参杂的半导体区设置的漏电极和源电极的场效应晶体管，具有将上述栅电极的周围和上述半导体层的表面覆盖的膜厚小于等于50nm的绝缘膜和以催化剂CVD法堆积而将上述绝缘膜覆盖的氮化硅膜，利用上述氮化硅膜，在上述栅电极的相当于张开的伞罩的部分和上述半导体层之间形成空洞。

公开(公告)号：CN101162731A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710102331.6

申请日：2007-04-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 天清宗山 ,  户塚正裕

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0649

Abstract: 本发明提供一种价格低廉的场效应晶体管及其制造方法，通过耐湿绝缘膜的厚膜层叠对栅电极周围进行防湿处理，而且可以抑制栅极电容的增大。上述场效应晶体管是在半导体层上配设有T型或Γ型栅电极、通过n型参杂的半导体区设置的漏电极和源电极的场效应晶体管，具有将上述栅电极的周围和上述半导体层的表面覆盖的膜厚小于等于50nm的绝缘膜和以催化剂CVD法堆积而将上述绝缘膜覆盖的氮化硅膜，利用上述氮化硅膜，在上述栅电极的相当于张开的伞罩的部分和上述半导体层之间形成空洞。