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公开(公告)号：CN104641465A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380048748.2
申请日：2013-07-19
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L21/52 , H01L21/50 , H01L21/561 , H01L21/78 , H01L23/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在基板(1)形成多个半导体元件(2)。在SOI基板(12)形成多个密封窗(8)和支撑多个密封窗(8)的支撑部(13)。通过加压部件(14)将SOI基板(12)压到基板(1)，经由配置在多个半导体元件(2)的周边的低熔点玻璃材料(7)使SOI基板(12)的多个密封窗(8)接合到基板(1)。从接合到基板(1)的多个密封窗(8)切断支撑部(13)。
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公开(公告)号：CN101978597B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200880128182.3
申请日：2008-03-25
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/195 , H03F1/0288 , H03F1/3205 , H03F1/565 , H03F3/601 , H03F2200/387 , H03F2200/451
Abstract: 提供一种低失真放大器，能够同时实现晶体管附近的设置空间的确保和低阻抗化。低失真放大器具备通过高频短路用元件以及低频短路用元件使前端短路的短截线，短截线连接到晶体管的栅极端子或者漏极端子中的至少一方的附近，并且短截线由分支为多个的线路构成，通过高频短路用元件以及低频短路用元件使所分支的各个线路的前端短路。
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公开(公告)号：CN101563840B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200780047330.4
申请日：2007-12-05
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/0238 , H03F1/0244 , H03F1/0288
Abstract: 本发明提供一种电力放大装置，设置有：直流电源，输出漏极电压；多尔蒂放大器，具有并联连接的载波放大器以及峰值放大器，并且对RF信号进行放大；电压控制电路，在输出电力为规定值以下的情况下，输出第一指令以输出低电压，在上述输出电力大于上述规定值的情况下，输出第二指令以输出高电压；以及电压变换电路，根据上述第一指令，将上述漏极电压变换为比其低的电压并施加给上述载波放大器以及峰值放大器的漏极端子，根据上述第二指令，将上述漏极电压原样施加给上述载波放大器以及峰值放大器的漏极端子。
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公开(公告)号：CN101978597A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200880128182.3
申请日：2008-03-25
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/195 , H03F1/0288 , H03F1/3205 , H03F1/565 , H03F3/601 , H03F2200/387 , H03F2200/451
Abstract: 提供一种低失真放大器，能够同时实现晶体管附近的设置空间的确保和低阻抗化。低失真放大器具备通过高频短路用元件以及低频短路用元件使前端短路的短截线，短截线连接到晶体管的栅极端子或者漏极端子中的至少一方的附近，并且短截线由分支为多个的线路构成，通过高频短路用元件以及低频短路用元件使所分支的各个线路的前端短路。
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公开(公告)号：CN101170300B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710109913.7
申请日：2007-06-11
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/604 , H03F3/211 , H03F2200/451 , H03F2203/21103 , H03F2203/21139 , H03F2203/21178
Abstract: 本发明提供一种输出效率高并且在宽的频带内具有良好的失真特性的高频功率放大器。其具备：FET元件(12)，具有多个单位FET(30)，该单位FET(30)用多指形的晶体管形成，并具有输入信号的栅极焊盘(30a)、接地的源极焊盘(30b)和输出信号的漏极焊盘(30c)；以及高频处理电路(14)，配设有多个旁路连接在单位FET(30)的栅极焊盘(30a)与接地端之间的串联谐振电路(32)，其中，串联谐振电路(32)中的二个具有：作为在FET元件(12)的工作频带内所包含的频率的二次及其以上的高次谐波的、互不相同的谐振频率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1921295A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610121370.6
申请日：2006-08-21
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/223 , H01L27/0222 , H01L27/0629 , H03F3/195 , H03F2200/451 , H03F2200/75
Abstract: 本发明旨在得到一种能够抑制从最优工作电容发生偏离并且能够降低制造成本的串叠放大器连接电路。它是以串叠放大方式连接有2个场效应晶体管(以下记作“FET”)的串叠放大器连接电路，具有：源极接地的第1FET；源极与第1FET的漏极连接的第2FET；阳极与第1FET的源极连接且阴极与第2FET的栅极连接的肖特基势垒二极管。
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公开(公告)号：CN1169287C
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN01103065.8
申请日：2001-01-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种消耗电流低而且高效的高效放大器及无线发信装置。所述放大器与输入阻抗低于标准阻抗，输出阻抗与标准阻抗一致的不可逆元件相连接，具备接受输入信号的输入端子，与所述不可逆电路元件连接的输出端子，用于放大输入信号的放大元件，配置在所述放大元件与所述输出端子之间，处理所述放大元件的输出信号中的高次谐波的一个或者多个高次谐波处理电路。
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公开(公告)号：CN103681522A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310423624.X
申请日：2013-09-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/08
CPC classification number: H01L23/564 , H01L23/04 , H01L23/06 , H01L23/10 , H01L23/60 , H01L23/66 , H01L29/78 , H01L2223/6644 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。半导体元件(2)设在衬底(1)上。栅极布线(6)以及源极布线(7)配置于衬底(1)上，分别与半导体元件(2)的栅极电极(3)以及源极电极(4)电连接。窗框部(13)配置于衬底(1)上，包围半导体元件(2)，与栅极布线(6)以及源极布线(7)相接。密封窗(14)接合于窗框部(13)，密封半导体元件(2)。窗框部(13)是具有薄膜电阻为106～1010Ω/□的低熔点玻璃。从而获得能够确保耐湿性、防止高频特性的恶化、提高静电耐量而不增加成本的半导体装置。
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公开(公告)号：CN101540589A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200810173373.3
申请日：2008-11-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/60
CPC classification number: H03F3/604 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6655 , H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/19041 , H01L2924/19051 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H03F2200/237 , H03F2200/255 , H03F2200/423 , H03F2200/429 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及一种能够改善失真特性的高频功率放大器。通过将多个晶体管单元(11)并联电连接从而形成多指型晶体管。多个晶体管单元(11)的栅电极连接到输入侧匹配电路(13)上。在各晶体管单元(11)的栅电极和输入侧匹配电路(13)之间分别连接有谐振电路(17)。谐振电路(17)以晶体管的工作频率的二次谐波频率或者在以二次谐波频率为中心的规定范围内进行谐振，相对于二次谐波成为高阻抗负载或者成为开路负载。
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公开(公告)号：CN101170300A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710109913.7
申请日：2007-06-11
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/604 , H03F3/211 , H03F2200/451 , H03F2203/21103 , H03F2203/21139 , H03F2203/21178
Abstract: 本发明提供一种输出效率高并且在宽的频带内具有良好的失真特性的高频功率放大器。其具备：FET元件(12)，具有多个单位FET(30)，该单位FET(30)用多指形的晶体管形成，并具有输入信号的栅极焊盘(30a)、接地的源极焊盘(30b)和输出信号的漏极焊盘(30c)；以及高频处理电路(14)，配设有多个旁路连接在单位FET(30)的栅极焊盘(30a)与接地端之间的串联谐振电路(32)，其中，串联谐振电路(32)中的二个具有：作为在FET元件(12)的工作频带内所包含的频率的二次及其以上的高次谐波的、互不相同的谐振频率。
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