公开(公告)号：CN104641465A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201380048748.2

申请日：2013-07-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 横山吉典 ,  远藤加寿代 ,  藤田淳 ,  曾田真之介 ,  西川和康 ,  野上洋一 ,  山本佳嗣 ,  井上晃

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/06

CPC classification number: H01L21/52 ,  H01L21/50 ,  H01L21/561 ,  H01L21/78 ,  H01L23/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在基板(1)形成多个半导体元件(2)。在SOI基板(12)形成多个密封窗(8)和支撑多个密封窗(8)的支撑部(13)。通过加压部件(14)将SOI基板(12)压到基板(1)，经由配置在多个半导体元件(2)的周边的低熔点玻璃材料(7)使SOI基板(12)的多个密封窗(8)接合到基板(1)。从接合到基板(1)的多个密封窗(8)切断支撑部(13)。

公开(公告)号：CN103887249A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310700837.2

申请日：2013-12-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野上洋一 ,  山本佳嗣 ,  横山吉典 ,  曾田真之介

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/291 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/564 ,  H01L2224/18 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0001

Abstract: 本发明的目的在于得到一种能够确保优良的耐湿性和高的机械强度的半导体装置及其制造方法。在基板（1）的主表面上形成场效应晶体管（2）。接着，在基板（1）的主表面和场效应晶体管（2）上涂敷熔点为450℃以下的低熔点玻璃膜（5）。接着，一边利用绝缘性或半绝缘性的加压夹具（6）将低熔点玻璃膜（5）朝向基板（1）的主表面加压，一边对基板（1）进行加热处理而烧结低熔点玻璃膜（5）。在烧结了低熔点玻璃膜（5）之后，原样地保留加压夹具（6）。

公开(公告)号：CN114792671B

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202210065866.5

申请日：2022-01-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅 ,  佐藤祐司 ,  横山吉典

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 得到能够容易地提高绝缘耐量的半导体装置、功率模块及半导体装置的制造方法。第2导体板(2)与第1导体板(1)分离。多个半导体元件(3)的背面电极与第1导体板连接。中继基板(7)设置于第2导体板之上。中继基板(7)具有多个第1中继焊盘(10)和与多个第1中继焊盘连接的第2中继焊盘(11)。多个半导体元件的控制电极(4)与多个第1中继焊盘分别连接。第1导体块(13)与多个半导体元件(3)的表面电极(5)连接。第2导体块(14)与第2中继焊盘(11)连接。第1导体板(1)从封装材料(15)的第1主面(S1)露出。第2导体板(2)不从第1主面(S1)露出。第1及第2导体块(14)从第2主面(S2)露出。

公开(公告)号：CN110383439A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201880015536.7

申请日：2018-01-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 横山吉典 ,  藤田淳 ,  筱原利彰 ,  小林浩

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 得到抑制在搬送薄的半导体元件时发生缺损的半导体装置。半导体装置具备：薄的半导体元件(1)，在正面侧具有表面电极(2)并在背面侧具有背面电极(3)；金属部件(4、8)，厚度是半导体元件(1)的厚度以上，形成于表面电极(2)或者背面电极(3)的至少一方；以及树脂部件(5)，使半导体元件(1)的正面的一部分露出，与金属部件(4、8)的侧面相接地包围金属部件(4、8)的周围。

公开(公告)号：CN109643661A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780046968.X

申请日：2017-07-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 曾田真之介 ,  横山吉典 ,  小林浩

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 提供即使在功率半导体元件的可动作温度充分高的情况下，仍具有高的可靠性的功率半导体装置。具备：功率半导体元件(1)，包括形成于第1面(1A)上的电极(2)；第1应力缓和部(6)，与电极(2)经由第1接合部(5)连接；以及布线部(8)，与第1应力缓和部(6)经由第2接合部(7)电连接。第1接合部(5)的接合强度高于第2接合部(7)的接合强度。

公开(公告)号：CN109075159A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201680084542.9

申请日：2016-10-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田基 ,  末广善幸 ,  须贺原和之 ,  中西洋介 ,  横山吉典 ,  曾田真之介 ,  林功明

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/52 ,  H01L23/40 ,  H01L25/18

Abstract: 提供导热性高、且工作性优异的半导体装置。半导体装置(101)具备绝缘基板(13)、半导体元件(11)、管芯接合材料(22)、接合材料(23)以及冷却构件(12)。绝缘基板(13)具有绝缘陶瓷(6)、设置于绝缘陶瓷(6)的一个面的导板(5)以及设置于另一个面的导板(7)。半导体元件(11)经由管芯接合材料(22)设置在导板(5)上。在管芯接合材料(22)中采用烧结金属。半导体元件(11)的弯曲强度为700MPa以上，其厚度为0.05mm以上且0.1mm以下。冷却构件(12)经由接合材料(23)接合于导板(7)。

公开(公告)号：CN114041207A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201980098022.7

申请日：2019-07-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐藤祐司 ,  横山吉典 ,  吉田基 ,  藤田淳

IPC: H01L23/04

Abstract: 半导体装置(10)具备基底板(1)、衬底(2)、半导体元件(3)、壳体(4)和布线端子(5)。壳体(4)以覆盖衬底(2)及半导体元件(3)的方式配置于基底板(1)上。布线端子(5)与半导体元件(3)电连接。壳体(4)包括第1壳体部(41)和与第1壳体部(41)分开的第2壳体部(42)。布线端子(5)包括第1布线部(51)和第2布线部(52)。第1布线部(51)以从壳体(4)的内部向外部突出的方式配置并且与半导体元件电连接。第2布线部(52)相对于第1布线部(51)弯曲并且配置于壳体(4)的外部。第1壳体部(41)及第2壳体部(42)以夹住第1布线部(51)的方式配置。

公开(公告)号：CN113874998A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN201980096754.2

申请日：2019-06-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 横山吉典 ,  田中阳 ,  曾田真之介

IPC: H01L23/12

Abstract: 得到能够在可靠地连接半导体芯片的控制信号电极和控制信号端子的同时实现小型化的半导体模块以及电力变换装置。半导体模块具备基体部件(31)、半导体芯片(1)、定位部件(6)以及控制信号端子(4)。半导体芯片(1)搭载于基体部件(31)上。半导体芯片(1)包括控制信号电极(3)。定位部件(6)包括与半导体芯片(1)的外周端部接触的定位部(6a)。定位部件(6)配置于基体部件(31)上。控制信号端子(4)被固定到定位部件(6)。控制信号端子(4)与控制信号电极(3)连接。

公开(公告)号：CN108475666B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201680079449.9

申请日：2016-11-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 横山吉典 ,  曾田真之介 ,  太田成人 ,  西川和康 ,  福本晃久

IPC: H01L23/40 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36

Abstract: 功率模块(101)具备：绝缘电路基板(1)、半导体元件(3)、第一缓冲板(5)、第一及第二接合材料(11)、及散热构件(7)。半导体元件(3)配置于绝缘电路基板(1)的一方的主表面(1a)侧。第一缓冲板(5)配置于绝缘电路基板(1)与半导体元件(3)之间，第一接合材料(11)配置于绝缘电路基板(1)与第一缓冲板(5)之间，第二接合材料(11)配置于半导体元件(3)与第一缓冲板(5)之间。散热构件(7)配置于绝缘电路基板(1)的一方的主表面(1a)侧的相反侧的另一方的主表面(1b)侧。第一接合材料(11)在俯视时被分割成多个。第一缓冲板(5)的线膨胀系数比半导体元件(3)的线膨胀系数大且比绝缘电路基板(1)的线膨胀系数小。第一缓冲板(5)的杨氏模量比半导体元件(3)的杨氏模量小。

公开(公告)号：CN103681522A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310423624.X

申请日：2013-09-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野上洋一 ,  山本佳嗣 ,  井上晃 ,  横山吉典 ,  藤田淳 ,  远藤加寿代 ,  曾田真之介 ,  西川和康

IPC: H01L23/08

CPC classification number: H01L23/564 ,  H01L23/04 ,  H01L23/06 ,  H01L23/10 ,  H01L23/60 ,  H01L23/66 ,  H01L29/78 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。半导体元件(2)设在衬底(1)上。栅极布线(6)以及源极布线(7)配置于衬底(1)上，分别与半导体元件(2)的栅极电极(3)以及源极电极(4)电连接。窗框部(13)配置于衬底(1)上，包围半导体元件(2)，与栅极布线(6)以及源极布线(7)相接。密封窗(14)接合于窗框部(13)，密封半导体元件(2)。窗框部(13)是具有薄膜电阻为106～1010Ω/□的低熔点玻璃。从而获得能够确保耐湿性、防止高频特性的恶化、提高静电耐量而不增加成本的半导体装置。