公开(公告)号：CN110383488B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201780088076.6

申请日：2017-03-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤田淳 ,  鹿口直斗 ,  和田文雄

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 得到可靠性高的半导体装置。半导体装置(11)具备半导体基板、第1栅布线(22)及第2栅布线(22)、第1金属部(20a)、绝缘部件(40)以及第2金属部(20b)。第1栅布线(22)及第2栅布线(22)在半导体基板的主面上相互隔开间隔而配置。第1金属部(20a)形成于第1栅布线(22)及第2栅布线(22)之上。第1金属部(20a)具有在第1栅布线(22)与第2栅布线(22)之间的区域中位于与半导体基板(18)侧相反的一侧的上表面。在上表面形成有凹部(28)。绝缘部件(40)埋入于凹部(28)的至少一部分。第2金属部(20b)从绝缘部件(40)的上部表面上延伸至第1金属部(20a)的上表面上。

公开(公告)号：CN110383439B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201880015536.7

申请日：2018-01-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 横山吉典 ,  藤田淳 ,  筱原利彰 ,  小林浩

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 得到抑制在搬送薄的半导体元件时发生缺损的半导体装置。半导体装置具备：薄的半导体元件(1)，在正面侧具有表面电极(2)并在背面侧具有背面电极(3)；金属部件(4、8)，厚度是半导体元件(1)的厚度以上，形成于表面电极(2)或者背面电极(3)的至少一方；以及树脂部件(5)，使半导体元件(1)的正面的一部分露出，与金属部件(4、8)的侧面相接地包围金属部件(4、8)的周围。

公开(公告)号：CN108350596B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201580084388.0

申请日：2015-11-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐藤祐司 ,  藤田淳 ,  吉田基 ,  远藤加寿代

IPC: C25D7/12 ,  C25D5/02

Abstract: 本发明涉及Cu镀层的形成方法、带有Cu镀层的基板的制造方法及带有Cu镀层的基板。本发明的Cu镀层的形成方法包含：在基板的一表面以平均结晶粒径成为50nm以上且300nm以下的方式形成Cu种子层的第1工序；在氧气氛中在Cu种子层的表面形成氧化膜的第2工序；将氧化膜的一部分除去的第3工序；对Cu种子层给电、在Cu种子层的氧化膜的表面通过电解镀覆而形成Cu镀层的第4工序。

公开(公告)号：CN109219868A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201780034537.1

申请日：2017-05-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐藤祐司 ,  吉田基 ,  藤田淳

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体装置具备半导体基板(1)、绝缘膜(2)以及电极(3)。半导体基板(1)具有第一表面(1a)。绝缘膜(2)设置于半导体基板(1)的第一表面(1a)上，且在与第一表面(1a)相反的一侧具有第二表面(2a)。电极(3)连接于绝缘膜(2)的第二表面(2a)，且具有侧面(3a)、与所述绝缘膜(2)接触的第一面(3e)以及位于与第一面(3e)相反的一侧的第二面(3f)。电极(3)的第二面(3f)的外周形成于比第一面(3e)的外周靠内侧的位置。

公开(公告)号：CN113169161B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN201880099699.8

申请日：2018-11-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅 ,  藤田淳

IPC: H10D80/30 ,  H01L23/495 ,  H01L21/48

Abstract: 目的在于提供能够实现半导体封装件的成本降低或小型化的技术。配线用元件包含：第2基板；多个第1中继焊盘，它们配设于第2基板的与导体基板相反侧的面，通过导线与多个半导体元件的控制焊盘连接；多个第2中继焊盘，它们配设于第2基板的与导体基板相反侧的面，个数小于或等于多个第1中继焊盘的个数；以及多个配线，它们配设于第2基板的与导体基板相反侧的面，选择性地将多个第1中继焊盘和多个第2中继焊盘连接。

公开(公告)号：CN111788694B

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN201880089095.5

申请日：2018-03-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田基 ,  藤田淳 ,  佐藤祐司

IPC: H01L29/78

Abstract: 目的在于提供能够抑制第1电极以及第2电极的腐蚀的技术。半导体元件(101)具备半导体基板(1)、Al电极(2)、选择性地配设于Al电极(2)上的聚酰亚胺部件(3)以及Ni电极4。聚酰亚胺部件(3)具有包括在聚酰亚胺部件(3)的顶视时的周缘部的至少一部分中的剖面视时的与Al电极(2)相接的下部的、朝向Al电极(2)的上表面的面方向的突出部(3a)。Ni电极(4)配设于Al电极(2)以及突出部(3a)上。

公开(公告)号：CN113169161A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201880099699.8

申请日：2018-11-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅 ,  藤田淳

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 目的在于提供能够实现半导体封装件的成本降低或小型化的技术。配线用元件包含：第2基板；多个第1中继焊盘，它们配设于第2基板的与导体基板相反侧的面，通过导线与多个半导体元件的控制焊盘连接；多个第2中继焊盘，它们配设于第2基板的与导体基板相反侧的面，个数小于或等于多个第1中继焊盘的个数；以及多个配线，它们配设于第2基板的与导体基板相反侧的面，选择性地将多个第1中继焊盘和多个第2中继焊盘连接。

公开(公告)号：CN110383439A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201880015536.7

申请日：2018-01-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 横山吉典 ,  藤田淳 ,  筱原利彰 ,  小林浩

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 得到抑制在搬送薄的半导体元件时发生缺损的半导体装置。半导体装置具备：薄的半导体元件(1)，在正面侧具有表面电极(2)并在背面侧具有背面电极(3)；金属部件(4、8)，厚度是半导体元件(1)的厚度以上，形成于表面电极(2)或者背面电极(3)的至少一方；以及树脂部件(5)，使半导体元件(1)的正面的一部分露出，与金属部件(4、8)的侧面相接地包围金属部件(4、8)的周围。

公开(公告)号：CN105934813A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201580005967.1

申请日：2015-02-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田基 ,  远藤加寿代 ,  藤田淳 ,  冈部博明 ,  须贺原和之

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/329 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/33 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/401 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/051 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的在于提供在高温动作中也抑制Cu布线的氧化的半导体装置。本发明的半导体装置具备：基板(1)，具有主面；Cu电极(8)，选择性地形成于基板(1)的主面一侧；氧化防止膜(14)，形成于Cu电极(8)的上表面的除其端部以外的区域；有机树脂膜(10)，形成于基板(1)的主面上，遮覆Cu电极(8)的侧面以及上表面的端部；以及扩散防止膜(11)，在有机树脂膜(10)与基板(1)的主面之间，与两者相接而形成，并在有机树脂膜(10)与Cu电极(8)的侧面以及上表面的端部之间，与两者相接而形成。

公开(公告)号：CN103608928A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280029716.3

申请日：2012-06-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 远藤加寿代 ,  今田胜大 ,  藤田淳

IPC: H01L31/048

CPC classification number: H01L31/1864 ,  B32B17/10036 ,  B32B17/10293 ,  B32B17/10302 ,  B32B17/10788 ,  H01L31/0488 ,  H02S30/10 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/048

Abstract: 在使用对合玻璃的太阳能电池组件的密封工序中，在前面侧玻璃基板与背面侧玻璃基板之间夹装太阳能电池单元以及用于密封太阳能电池单元的透光性中间膜层，在组件周缘部使用密封部件，该密封部件通过折弯把一侧作为粘结面的密封片而形成插入部和外装部，将插入部插入到前面侧玻璃基板和背面侧玻璃基板之间，使粘结面与前面侧玻璃基板以及背面侧玻璃基板粘结，将外装部的粘结面与前面侧玻璃基板以及背面侧玻璃基板中的至少任一方的端面粘结，从而获得太阳能电池组件。