公开(公告)号：CN114792671B

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202210065866.5

申请日：2022-01-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅 ,  佐藤祐司 ,  横山吉典

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 得到能够容易地提高绝缘耐量的半导体装置、功率模块及半导体装置的制造方法。第2导体板(2)与第1导体板(1)分离。多个半导体元件(3)的背面电极与第1导体板连接。中继基板(7)设置于第2导体板之上。中继基板(7)具有多个第1中继焊盘(10)和与多个第1中继焊盘连接的第2中继焊盘(11)。多个半导体元件的控制电极(4)与多个第1中继焊盘分别连接。第1导体块(13)与多个半导体元件(3)的表面电极(5)连接。第2导体块(14)与第2中继焊盘(11)连接。第1导体板(1)从封装材料(15)的第1主面(S1)露出。第2导体板(2)不从第1主面(S1)露出。第1及第2导体块(14)从第2主面(S2)露出。

公开(公告)号：CN119155896A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202410512294.X

申请日：2024-04-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅 ,  佐藤祐司 ,  吉田健太郎 ,  林启

IPC: H05K1/18 ,  H01L23/64 ,  H05K1/11 ,  H05K1/02 ,  H05K3/00 ,  H05K3/30

Abstract: 本发明提供能够降低平滑电容器的布线电感的技术。在冷却器(2)上的绝缘基板(31)上设置有与半导体元件(1)电连接的电路图案(32)。平滑电容器(401)配置为在俯视观察下不与所述半导体元件(1)重叠，并且具有：形成静电电容的内部电极(451)、收纳内部电极(451)的电容器外壳(490)、以及从电容器外壳(490)无缝突出的端子(442)。第一封装材料(5)覆盖所述平滑电容器(401)的所述端子(442)、所述绝缘基板(31)以及所述电路图案(32)各自的至少一部分。所述平滑电容器(401)的所述端子(442)与所述电路图案(32)，借助所述端子(442)与所述电路图案(32)的界面所具有的接合力而相互直接连接。

公开(公告)号：CN118891704A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202280093758.7

申请日：2022-03-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐藤祐司

IPC: H01L21/60

Abstract: 半导体装置(1)具备半导体元件(10)、下方配线部件(20)以及上方配线部件(30)。半导体元件(10)包括具有主面(11a)的半导体元件主体(11)和金属层(12)。下方配线部件(20)包括端面(21)和端面(22)。在主面(11a)的平面图中，端面(21)以及端面(22)位于比半导体元件(10)的外缘(10e)靠内侧的位置。上方配线部件(30)层叠在下方配线部件(20)上。在主面(11a)的平面图中，上方配线部件(30)的一部分(33)位于比半导体元件(10)的外缘(10e)靠外侧的位置。上方配线部件(30)经由下方配线部件(20)与金属层(12)接合。

公开(公告)号：CN111788694B

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN201880089095.5

申请日：2018-03-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田基 ,  藤田淳 ,  佐藤祐司

IPC: H01L29/78

Abstract: 目的在于提供能够抑制第1电极以及第2电极的腐蚀的技术。半导体元件(101)具备半导体基板(1)、Al电极(2)、选择性地配设于Al电极(2)上的聚酰亚胺部件(3)以及Ni电极4。聚酰亚胺部件(3)具有包括在聚酰亚胺部件(3)的顶视时的周缘部的至少一部分中的剖面视时的与Al电极(2)相接的下部的、朝向Al电极(2)的上表面的面方向的突出部(3a)。Ni电极(4)配设于Al电极(2)以及突出部(3a)上。

公开(公告)号：CN117497521A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310938395.9

申请日：2023-07-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅 ,  佐藤祐司 ,  鹿野武敏

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够降低半导体装置整体的应力的技术。半导体装置具有：多个子模块，它们包含第1封装部件；绝缘基板，其设置有与多个子模块的导体板的至少任意1者电连接的第1电路图案；连接部件，其与多个子模块的导体片的至少任意1者电连接；以及第2封装部件，其将多个子模块、绝缘基板、连接部件封装，与第1封装部件相比硬度低。

公开(公告)号：CN109727960B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN201811261366.9

申请日：2018-10-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野泰成 ,  佐藤祐司

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/29 ,  H01L21/50 ,  H02M7/44

公开(公告)号：CN115966600A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211229666.5

申请日：2022-10-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 田中香次 ,  佐藤祐司 ,  内田祥久 ,  中村祥太郎

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 目的在于得到能够抑制对半导体基板的损伤的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：半导体基板；第1金属层，其设置于所述半导体基板之上；第2金属层，其设置于所述第1金属层之上，材料包含Ni；以及第3金属层，其设置于所述第2金属层之上，材料包含Cu或Ni，所述第2金属层的维氏硬度大于或等于400Hv，比所述第3金属层硬，所述第3金属层比所述第1金属层硬。

公开(公告)号：CN110832628A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201880043274.5

申请日：2018-04-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐藤祐司 ,  浦地刚史 ,  藤田淳 ,  吉田基

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L29/78

Abstract: 得到抑制使用铜的电极与使用铜的引线的接合形成中的铜电极与引线的接合不良的产生的半导体装置。一种半导体装置，具备：半导体基板(1)；铜电极层(2)，形成于半导体基板(1)上；金属薄膜层(3)，形成于铜电极层(2)上，与外周部相比在内侧具有使铜电极层(2)露出的开口部(31)，所述金属薄膜层(3)防止铜电极层(2)的氧化；以及以铜为主要成分的布线构件(4)，具有覆盖开口部(31)的接合区域(20)，所述布线构件(4)接合于金属薄膜层(3)且在开口部(31)处接合于铜电极层(2)。

公开(公告)号：CN117497522A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310938619.6

申请日：2023-07-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅 ,  境纪和 ,  佐藤祐司 ,  横山吉典

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/12 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。目的在于提供一种能够容易地从半导体装置取出子模块，重新利用子模块的技术。半导体装置具有：子模块(1)，其将导体板(21)和经由第1接合材料(13)搭载于导体板(21)的上表面的半导体元件(11)通过第1封装材料(24)封装；绝缘基板(31)，其经由第2接合材料(12)接合至子模块(1)的下表面；壳体(33)，其包围绝缘基板(31)以及子模块(1)的周围；以及第2封装材料(34)，其以至少使子模块(1)的上表面露出的方式封装由壳体(33)围出的区域。

公开(公告)号：CN115315791A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202080098783.5

申请日：2020-04-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田基 ,  佐藤祐司 ,  须贺原和之

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种能够抑制在铝电极层与铜电极层的层叠结构中在高温下工作时的Al滑动的半导体装置。因此，在本公开的半导体装置中，第一铜电极层在与铝电极层的界面包含作为朝向铝电极层突出的区域的多个突起区域。