公开(公告)号：CN117321763A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280035556.7

申请日：2022-05-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 柳本辰则 ,  浦地刚史 ,  酒井康裕

IPC: H01L25/07

Abstract: 功率半导体装置(1)具备绝缘基板(12)、功率半导体元件(20、25)以及电极端子(31)。绝缘基板(12)包含导电电路图案(15)。电极端子(31)与导电电路图案(15)超声波接合。电极端子(31)包含带状导体(32)和导电膜(33)。导电膜(33)固相扩散接合于导电电路图案(15)。带状导体(32)的端部(32e)与导电电路图案(15)通过导电膜(33)相互分离。导电膜(33)的第1维氏硬度大于导电电路图案(15)的第2维氏硬度。

公开(公告)号：CN116848623A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280011513.5

申请日：2022-01-25

Applicant: 田中电子工业株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 三苫修一 ,  市川司 ,  浦地刚史 ,  柳本辰则 ,  中岛泰

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种铝线，其在功率半导体用的接合线接合时，线不会从楔形工具偏离，且可在功率循环试验中实现长寿命。本发明的铝线由铝纯度99质量％以上的铝合金构成，相对于铝合金中所有元素的总量，以总计0.01质量％以上1质量％以下含有铁及硅，铝线中与线轴垂直的方向的横剖面中，(111)的取向指数为1以上，且(200)的取向指数为1以下，析出粒子的面积率的范围为0.02％以上2％以下。

公开(公告)号：CN116724384A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202280010811.2

申请日：2022-01-26

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  田中电子工业株式会社

Inventor： 浦地刚史 ,  柳本辰则 ,  中岛泰 ,  三苫修一 ,  市川司

IPC: H01L21/60

Abstract: 半导体装置(100)具备半导体元件(1)、金属膜(2)和引线(3)。半导体元件(1)包含电极(11)。金属膜(2)覆盖半导体元件(1)的电极(11)。引线(3)与金属膜(2)接合。金属膜(2)具有比引线(3)高的硬度。在引线(3)整体中，引线(3)的圆形截面上的平均结晶粒径为5μm以下。

公开(公告)号：CN110832628A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201880043274.5

申请日：2018-04-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐藤祐司 ,  浦地刚史 ,  藤田淳 ,  吉田基

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L29/78

Abstract: 得到抑制使用铜的电极与使用铜的引线的接合形成中的铜电极与引线的接合不良的产生的半导体装置。一种半导体装置，具备：半导体基板(1)；铜电极层(2)，形成于半导体基板(1)上；金属薄膜层(3)，形成于铜电极层(2)上，与外周部相比在内侧具有使铜电极层(2)露出的开口部(31)，所述金属薄膜层(3)防止铜电极层(2)的氧化；以及以铜为主要成分的布线构件(4)，具有覆盖开口部(31)的接合区域(20)，所述布线构件(4)接合于金属薄膜层(3)且在开口部(31)处接合于铜电极层(2)。