-
公开(公告)号：CN116848623A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202280011513.5
申请日：2022-01-25
Applicant: 田中电子工业株式会社 , 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种铝线，其在功率半导体用的接合线接合时，线不会从楔形工具偏离，且可在功率循环试验中实现长寿命。本发明的铝线由铝纯度99质量％以上的铝合金构成，相对于铝合金中所有元素的总量，以总计0.01质量％以上1质量％以下含有铁及硅，铝线中与线轴垂直的方向的横剖面中，(111)的取向指数为1以上，且(200)的取向指数为1以下，析出粒子的面积率的范围为0.02％以上2％以下。
-
公开(公告)号：CN116724384A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202280010811.2
申请日：2022-01-26
Applicant: 三菱电机株式会社 , 田中电子工业株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 半导体装置(100)具备半导体元件(1)、金属膜(2)和引线(3)。半导体元件(1)包含电极(11)。金属膜(2)覆盖半导体元件(1)的电极(11)。引线(3)与金属膜(2)接合。金属膜(2)具有比引线(3)高的硬度。在引线(3)整体中，引线(3)的圆形截面上的平均结晶粒径为5μm以下。
-
公开(公告)号：CN117321763A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280035556.7
申请日：2022-05-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/07
Abstract: 功率半导体装置(1)具备绝缘基板(12)、功率半导体元件(20、25)以及电极端子(31)。绝缘基板(12)包含导电电路图案(15)。电极端子(31)与导电电路图案(15)超声波接合。电极端子(31)包含带状导体(32)和导电膜(33)。导电膜(33)固相扩散接合于导电电路图案(15)。带状导体(32)的端部(32e)与导电电路图案(15)通过导电膜(33)相互分离。导电膜(33)的第1维氏硬度大于导电电路图案(15)的第2维氏硬度。
-
公开(公告)号：CN110235244B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201880009366.1
申请日：2018-02-02
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供一种能够抑制振铃的小型的功率半导体模块以及电力转换装置。功率半导体模块具备：作为正极侧功率半导体元件的正极侧开关元件(16P)及正极侧续流二极管(17P)、作为负极侧功率半导体元件的负极侧开关元件(16N)及负极侧续流二极管(17N)、正极导体图案(3a)、负极导体图案(3b)、交流电极图案(3c)、以及由形成有缓冲电路的绝缘基板(8)构成的缓冲基板。缓冲基板包含绝缘基板(8)和配置在该绝缘基板(8)的至少1个缓冲电路。缓冲基板配置在正极导体图案(3a)、负极导体图案(3b)、交流电极图案(3c)的至少任意一个上。
-
公开(公告)号：CN107210241B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201680009370.9
申请日：2016-02-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在功率半导体装置(100)中，关于功率半导体元件(4)的表面电极(41a)，在维氏硬度为200～350Hv的以Cu为主成分的通过非电解镀敷形成的Cu层(81)上层叠设置有比Cu层(81)柔软的维氏硬度为70～150Hv的以Cu为主成分的通过非电解镀敷形成的Cu层(82)，对Cu层(82)与Cu制的导线(6)进行导线键合。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106663639B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201480081620.0
申请日：2014-08-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于得到一种接合部的可靠性高的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置具有：绝缘基板(1)，其形成有导电性图案(4b)；以及电极端子(6)及半导体元件，它们与导电性图案(4b)接合，电极端子(6)和导电性图案(4b)在接合面(7)处进行了超声波接合，进行超声波接合的部位为多个。
-
公开(公告)号：CN111344840A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201880072262.5
申请日：2018-11-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/285 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及半导体装置，具备：第1主电极及第2主电极，分别配设于半导体基板的第1主面上及第2主面上；保护膜，配设于所述第1主电极的端缘部上；以及第1金属膜，配设于所述第1主电极上的由所述保护膜包围的区域，在所述第1金属膜中，中心部分的膜厚比与所述保护膜相接的部分的膜厚更厚，并且在表面具有凹凸。
-
公开(公告)号：CN110235244A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201880009366.1
申请日：2018-02-02
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供一种能够抑制振铃的小型的功率半导体模块以及电力转换装置。功率半导体模块具备：作为正极侧功率半导体元件的正极侧开关元件(16P)及正极侧续流二极管(17P)、作为负极侧功率半导体元件的负极侧开关元件(16N)及负极侧续流二极管(17N)、正极导体图案(3a)、负极导体图案(3b)、交流电极图案(3c)、以及由形成有缓冲电路的绝缘基板(8)构成的缓冲基板。缓冲基板包含绝缘基板(8)和配置在该绝缘基板(8)的至少1个缓冲电路。缓冲基板配置在正极导体图案(3a)、负极导体图案(3b)、交流电极图案(3c)的至少任意一个上。
-
公开(公告)号：CN103855103A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310495880.X
申请日：2013-10-21
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 柳本辰则
IPC: H01L23/31 , H01L23/13 , H01L23/367 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/49503 , H01L21/4842 , H01L23/49575 , H01L2224/32245 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置及其制造方法，在该半导体装置中，载置有半导体元件的芯片座和树脂片之间具有高紧贴性及高散热性。本发明所涉及的半导体装置（100）具有：芯片座（5）；半导体元件（7），其与芯片座（5）的上表面接合；以及树脂片（4），其紧贴在芯片座（5）的下表面，半导体元件（7）与芯片座（5）及树脂片（4）一起进行树脂封装，在芯片座（5）的下表面形成有凹部（5a），通过将树脂片（4）的一部分填充至凹部（5a）中，从而使包含凹部（5a）内部在内的芯片座（5）的下表面与树脂片（4）紧贴。
-
公开(公告)号：CN109314063B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201780035418.8
申请日：2017-06-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 电力用半导体装置包括至少在表面具有导体层的绝缘基板、设置于导体层上的线材凸块、载置于线材凸块上的半导体元件以及在导体层上将半导体元件进行接合的焊料层，以及/或者包括底板、设置于底板上的多个线材凸块、载置于线材凸块上且至少在背面具有导体层的绝缘基板以及在底板上接合绝缘基板的导体层的焊料层，在线材凸块与焊料层的界面具有包括线材凸块的材料和焊料层的材料的合金。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.028 seconds)
