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公开(公告)号：CN116848623A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202280011513.5
申请日：2022-01-25
Applicant: 田中电子工业株式会社 , 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种铝线，其在功率半导体用的接合线接合时，线不会从楔形工具偏离，且可在功率循环试验中实现长寿命。本发明的铝线由铝纯度99质量％以上的铝合金构成，相对于铝合金中所有元素的总量，以总计0.01质量％以上1质量％以下含有铁及硅，铝线中与线轴垂直的方向的横剖面中，(111)的取向指数为1以上，且(200)的取向指数为1以下，析出粒子的面积率的范围为0.02％以上2％以下。
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公开(公告)号：CN116724384A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202280010811.2
申请日：2022-01-26
Applicant: 三菱电机株式会社 , 田中电子工业株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 半导体装置(100)具备半导体元件(1)、金属膜(2)和引线(3)。半导体元件(1)包含电极(11)。金属膜(2)覆盖半导体元件(1)的电极(11)。引线(3)与金属膜(2)接合。金属膜(2)具有比引线(3)高的硬度。在引线(3)整体中，引线(3)的圆形截面上的平均结晶粒径为5μm以下。
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公开(公告)号：CN106486449B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201610550457.9
申请日：2016-07-13
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L23/49
Abstract: 本发明提供一种球焊用金(Au)分散铜线，其可形成稳定的熔融焊球，以解决量产接合线的FAB造成熔融焊球的形成不稳定的问题。本发明的球焊用金(Au)分散铜线，其特征为：其是在铜(Cu)的纯度为99.9质量％以上的铜合金所构成的芯材上形成钯(Pd)被覆层及金(Au)表皮层、线径为10‑25μm的球焊用钯(Pd)被覆铜线，以该金(Au)的化学分析得到的理论膜厚为0.1纳米(nm)以上10纳米(nm)以下，以电子微探仪(EPMA)的表面分析所得到的金(Au)的分布是：该金(Au)微粒子以无数点状分布于该钯(Pd)被覆层上。
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公开(公告)号：CN103295993B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310223610.3
申请日：2013-06-06
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45565 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2224/45147 , H01L2924/01078 , H01L2924/01016 , H01L2924/01008 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20751 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/01083 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004
Abstract: 本发明涉及用于半导体装置中的连接的铜-铂合金线。在用于球焊的铜线中，改善二次接合性、防止球焊中的芯片破裂以及改善成环性能。在通过将熔融的含有高纯度铜(Cu)、包含0.1至2.0质量％的铂(Pt)以及作为非金属元素的1至10质量ppm的硫(S)和10至150质量ppm的氧(O)及必要时1至5质量ppm的磷(P)的铜-铂合金连续铸造而制备元素线的过程中，不含铂的非常薄的铜层由于偏析而形成，并随后在大气中被氧化而在连续拉丝后的线表面层上形成6至2nm的氧化物膜。作为具有77至105Hv维氏硬度的接合线，均匀的氧化物膜改善了二次接合性，且向基体中添加的元素抑制了球焊期间的动态强度，由此防止了铝飞溅，并且保持了不导致倾斜的静态强度。
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公开(公告)号：CN105405828A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201410468025.4
申请日：2014-09-15
Applicant: 田中电子工业株式会社
Abstract: 本发明涉及超声波接合用纯铜合金线的剖面构造，其中提供一种线材，即使是纯铜合金连接线，在因大气中的氧而使线材表面的铜氧化物层为未饱和铜氧化物时，也可通过形成厚度为不使该氧化物层还原程度的有机碳层，使得超声波接合的制程容许度变得广泛。线材的成分如下，钛、锆、锌及锡中的至少1种贱金属，含量为40质量ppm以上且小于100质量ppm，剩余部分为纯度99.990～99.996质量％的铜；线材表面为通过金刚石拉延模缩径的拉延加工面，其整个面上形成总有机碳量为50～3000μg/m2的有机碳层，线材剖面最外层形成由未饱和铜氧化物构成的厚度为2～20纳米的铜氧化物层，该层内侧存在的贱金属呈未被内部氧化的状态。
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公开(公告)号：CN119866539A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202380065618.3
申请日：2023-09-13
Applicant: 田中电子工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种铜接合线，其能够提高切断性以及接合强度和追随性，抑制金属线的剥离和偏离工具。一种铜接合线，其是由铜的纯度为99.99质量％以上的铜合金构成的铜金属线，所述铜金属线的与线轴垂直的方向的截面中的晶界密度为0.01μm‑1以上且小于0.6μm‑1，在所述截面中的线轴方向的晶体取向中，相对于线轴方向角度差为15°以下的晶体取向 的取向比率除以相对于线轴方向角度差为15°以下的晶体取向 的取向比率而得到的值为10以上且650以下，动态硬度为45以上且90以下，并且所述截面中的弹性模量为20GPa以上且70GPa以下。
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公开(公告)号：CN105914195B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201610024309.3
申请日：2016-01-14
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L23/49
Abstract: 本发明是为了解决量产的焊丝在通过FAB形成熔球方面不稳定的问题而进行的，其目的在于提供一种丝的解卷性良好，并且可以形成稳定熔球的用于球焊的包覆钯的铜丝。一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上形成有钯包覆层，在该钯包覆层中存在有钯单独的纯净层，并且在该钯包覆层上形成有来自该芯材的铜的渗出层，该铜的渗出层的表面被氧化。此外，提供一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上包覆有钯包覆层和金表皮层，在该金表皮层上形成有铜的渗出层，该铜的渗出层的表面被氧化，并且在钯包覆层中存在有钯单独的纯净层。
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公开(公告)号：CN105914195A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610024309.3
申请日：2016-01-14
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L23/49
CPC classification number: H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/4312 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/48 , H01L2224/48463 , H01L2224/48507 , H01L2224/78601 , H01L2224/85045 , H01L2224/85439 , H01L2924/00011 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/01015 , H01L2924/01205 , H01L2924/01204 , H01L2924/00014 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/1204 , H01L2924/00015 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01033 , H01L23/49
Abstract: 本发明是为了解决量产的焊丝在通过FAB形成熔球方面不稳定的问题而进行的，其目的在于提供一种丝的解卷性良好，并且可以形成稳定熔球的用于球焊的包覆钯的铜丝。一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上形成有钯包覆层，在该钯包覆层中存在有钯单独的纯净层，并且在该钯包覆层上形成有来自该芯材的铜的渗出层，该铜的渗出层的表面被氧化。此外，提供一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上包覆有钯包覆层和金表皮层，在该金表皮层上形成有铜的渗出层，该铜的渗出层的表面被氧化，并且在钯包覆层中存在有钯单独的纯净层。
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公开(公告)号：CN1169202C
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN01121320.5
申请日：2001-05-31
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L24/85 , B23K20/007 , C22C5/02 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/43 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45565 , H01L2224/45694 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48624 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85181 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01063 , H01L2924/01064 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01105 , H01L2924/01204 , H01L2924/01205 , H01L2924/14 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/01046 , H01L2924/01082 , H01L2924/0102 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01071 , H01L2924/01006 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种半导体元件连接用金线和半导体元件的连接方法。该金线中包含5～100质量ppm的Ca、5～100质量ppm的Gd、1～100质量ppm的Y，优选还含有1～100质量ppm的Eu、La、Ce和Lu中的至少一种，更优选地还含有1～100质量ppm的Mg、Ti、Pb中的至少一种，这些元素的总量在200质量ppm以下，其余为金和不可避免的杂质。该半导体元件的连接方法用该金线进行球键合和凸点键合。
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公开(公告)号：CN106486447B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201610390155.X
申请日：2016-06-03
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L23/49 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种铜合金接合线，其单位剖面积的铜合金的晶粒为50‑250个，其最大粒径为接合线直径的1/3以下，且为特定方向皆在40％以下的无方向性。
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