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公开(公告)号：CN116724384A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202280010811.2
申请日：2022-01-26
Applicant: 三菱电机株式会社 , 田中电子工业株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 半导体装置(100)具备半导体元件(1)、金属膜(2)和引线(3)。半导体元件(1)包含电极(11)。金属膜(2)覆盖半导体元件(1)的电极(11)。引线(3)与金属膜(2)接合。金属膜(2)具有比引线(3)高的硬度。在引线(3)整体中，引线(3)的圆形截面上的平均结晶粒径为5μm以下。
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公开(公告)号：CN116848623A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202280011513.5
申请日：2022-01-25
Applicant: 田中电子工业株式会社 , 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种铝线，其在功率半导体用的接合线接合时，线不会从楔形工具偏离，且可在功率循环试验中实现长寿命。本发明的铝线由铝纯度99质量％以上的铝合金构成，相对于铝合金中所有元素的总量，以总计0.01质量％以上1质量％以下含有铁及硅，铝线中与线轴垂直的方向的横剖面中，(111)的取向指数为1以上，且(200)的取向指数为1以下，析出粒子的面积率的范围为0.02％以上2％以下。
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公开(公告)号：CN113646450B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202080012102.9
申请日：2020-02-06
Applicant: 田中电子工业株式会社
Abstract: 本发明提供钯覆盖铜接合线、其接合结构、半导体装置及半导体装置的制造方法，所述钯覆盖铜接合线在第一接合时不产生缩孔，接合可靠性高，即使是在高温、高湿的环境中也能够长时间稳定地维持优异的接合可靠性。一种引线接合结构，其中，接合线是具有铜芯材和Pd层、且含有硫族元素的Pd覆盖铜接合线，相对于铜与Pd与硫族元素的合计，Pd的浓度为1.0质量％～4.0质量％，硫族元素浓度合计为50质量ppm以下，S浓度为5质量ppm～2质量ppm、或Se浓度为5质量ppm～20质量ppm或Te浓度为15质量ppm～50质量ppm以下，在半导体芯片的含有Al的电极与球接合部的接合面附近，具有Pd浓度相对于Al与铜与Pd的合计成为2.0质量％以上的Pd富集接合区域。
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公开(公告)号：CN103283009B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201280002217.5
申请日：2012-10-18
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/45 , C22C9/00 , C22F1/08 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/45664 , H01L2224/48824 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/85075 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/15747 , H01L2924/01204 , H01L2924/01206 , H01L2924/01046 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2224/48 , H01L2924/0002 , H01L2924/01007 , H01L2924/20305 , H01L2924/2076 , H01L2924/20752 , H01L2924/20756 , H01L2924/01205 , H01L2924/01014 , H01L2924/0105 , H01L2924/01016 , H01L2924/00013 , H01L2924/20751 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033
Abstract: [目的]通过制备使其截面组织成为双重组织的高纯度铜细线，铜细线的机械强度增加，并因此提供亚毫米直径的高纯度铜细线，其最适用于在短时间内反复进行多次开/关操作的高温功率半导体。[解决问题的手段]本发明涉及具有氧化物膜并且由纯度为99.999至99.99994质量％的铜制成的高纯度铜细线；该铜细线具有这样的截面组织，其中，10颗最大的晶粒共同地具有占截面组织总面积的5-25％的晶粒面积，且此晶粒面积的80％以上在相对于表面层的内侧，所述表面层被定义为具有细线直径的1/20以下的厚度；该高纯铜细线通过连续拉拔制成，并用于连接半导体装置。
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公开(公告)号：CN104164591A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410206059.6
申请日：2014-05-15
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/85205 , H01L2924/01204 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/013 , H01L2924/01028 , H01L2924/00013 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种耐腐蚀性铝合金接合线，其目的在于抑制半导体元件连接用高纯度铝线在高温/高湿环境下的晶间腐蚀。本发明是在纯度为99.99质量％以上的高纯度铝中含有10～200重量ppm的铑(Rh)和/或钯(Pd)的铝合金接合线，这些添加元素被强制固溶而在铝基体中形成与铝的金属间化合物的分散相，上述铝基体的结晶粒径为10～100μm。铑(Rh)和钯(Pd)通过催化作用使铝表面产生的原子状氢形成H2，阻止其向铝基体中的扩散渗透，从而能够抑制原子状氢键合形成H2而发生的晶间腐蚀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103911526B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310565799.4
申请日：2013-11-14
Applicant: 田中电子工业株式会社
Abstract: 本发明改进功率半导体用铝合金接合线的芯片裂纹和热冲击试验特性。本发明涉及一种铝合金细线，其中，包括0.01～0.2质量％的铁(Fe)1～20质量ppm的硅(Si)及剩余部分(纯度在99.997质量％以上的铝(Al)合金)，其中：Fe的固溶量为0.01～0.6％，Fe的析出量是Fe的固溶量的7倍以下，而且由平均晶体粒径为6～12μm的微细组织构成。本发明能够减少AlFe化合物的析出，改进热冲击试验特性。
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公开(公告)号：CN103320654B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310181370.5
申请日：2013-05-16
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/43 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/01021 , H01L2924/01204 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/0104 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了铝合金接合线。一种在超声接合过程中是软的楔形接合线能够防止芯片开裂，且其在布线后显示高温强度。本文提供了一种铝合金接合线，其具有包含0.15至0.5质量％的钪(Sc)和余量的纯度为99.99质量％以上的铝(Al)的组成，具有在强制溶解的铝合金基体中的冷拉丝组织，且具有21至30的维氏硬度。所述铝合金接合线可以通过向其中添加0.01至0.2质量％的锆(Zr)而得到增强。因为所述铝合金接合线在接合过程中是软的，所以可以被连接而不发生芯片破裂，且通过在接合之后进行的时效热处理而改善其高温强度。
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公开(公告)号：CN103320654A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310181370.5
申请日：2013-05-16
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/43 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/01021 , H01L2924/01204 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/0104 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了铝合金接合线。一种在超声接合过程中是软的楔形接合线能够防止芯片开裂，且其在布线后显示高温强度。本文提供了一种铝合金接合线，其具有包含0.15至0.5质量％的钪(Sc)和余量的纯度为99.99质量％以上的铝(Al)的组成，具有在强制溶解的铝合金基体中的冷拉丝组织，且具有21至30的维氏硬度。所述铝合金接合线可以通过向其中添加0.01至0.2质量％的锆(Zr)而得到增强。因为所述铝合金接合线在接合过程中是软的，所以可以被连接而不发生芯片破裂，且通过在接合之后进行的时效热处理而改善其高温强度。
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公开(公告)号：CN104164591B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410206059.6
申请日：2014-05-15
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/85205 , H01L2924/01204 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/013 , H01L2924/01028 , H01L2924/00013 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种耐腐蚀性铝合金接合线，其目的在于抑制半导体元件连接用高纯度铝线在高温/高湿环境下的晶间腐蚀。本发明是在纯度为99.99质量％以上的高纯度铝中含有10～200重量ppm的铑(Rh)和/或钯(Pd)的铝合金接合线，这些添加元素被强制固溶而在铝基体中形成与铝的金属间化合物的分散相，上述铝基体的结晶粒径为10～100μm。铑(Rh)和钯(Pd)通过催化作用使铝表面产生的原子状氢形成H2，阻止其向铝基体中的扩散渗透，从而能够抑制原子状氢键合形成H2而发生的晶间腐蚀。
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公开(公告)号：CN103276255B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201310195539.2
申请日：2013-05-23
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/43 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , H01L2924/351 , H01L2924/01204 , H01L2924/01026 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/00013 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种用于连接至半导体装置的铝合金线。[目标]提高Al合金接合线的耐热冲击性并且还防止芯片破裂。[解决问题的手段]该线含有0.2-2.0质量％的铁(Fe)和纯度为99.99质量％以上的余量的铝，其中铁以0.01-0.05％溶解在铝基体中，并且如在所述铝合金线的横截面上观察的，所述拉伸后的基体组织具有数微米量级的均匀的微细再结晶图案，并且Fe-Al金属间化合物粒子在边界和所述微细再结晶组织的内部均匀地结晶。对高度变形的Al进行固溶热处理以便将Fe溶解至大约其固溶度极限，并且上述组织通过调质热处理获得。在超声波线接合的过程中，所述线变形并且经历动态再结晶，并且因此将其在不经历加工硬化的情况下压力接合。
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