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公开(公告)号：CN107210241A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680009370.9
申请日：2016-02-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在功率半导体装置(100)中，关于功率半导体元件(4)的表面电极(41a)，在维氏硬度为200～350Hv的以Cu为主成分的通过非电解镀敷形成的Cu层(81)上层叠设置有比Cu层(81)柔软的维氏硬度为70～150Hv的以Cu为主成分的通过非电解镀敷形成的Cu层(82)，对Cu层(82)与Cu制的导线(6)进行导线键合。
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公开(公告)号：CN114514599B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202080069138.0
申请日：2020-09-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 模塑模具(51)具备：朝向型腔(52)注入成为模塑树脂的流动树脂的树脂注入浇口部(59)、积存在型腔(52)中流动来的流动树脂的树脂积存部(63)、以及树脂积存浇口部(65)。树脂积存部(63)设置于隔着型腔(52)与配置有树脂注入浇口部(59)的一侧相反的一侧。树脂积存浇口部(65)将型腔(52)与树脂积存部(63)之间连通。树脂积存浇口部(65)的开口截面积比树脂注入浇口部(59)的开口截面积小。
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公开(公告)号：CN108369933A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680071859.9
申请日：2016-12-07
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/48 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/32225
Abstract: 一种半导体装置(100)，具备板状电极(61)及半导体元件(21、22)，并具有将半导体元件中的表面电极与板状电极利用接合材料(32)进行接合的接合部(32A)，其中，板状电极在与半导体元件相对的相对面(614)上，具有将接合部包围且对上述接合材料具有耐热性的框状构件(52)。
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公开(公告)号：CN102810486A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210175363.X
申请日：2012-05-31
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L23/3107 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L29/0834 , H01L29/36 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L2224/29101 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/4847 , H01L2224/4911 , H01L2224/73265 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/0781 , H01L2924/12036 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明得到一种能够使密封后的半导体芯片的耐压以及漏电流的面内分布均匀的半导体装置的制造方法。求取密封后的半导体芯片的耐压以及漏电流的面内分布变得均匀的密封前的半导体芯片的PN结部的杂质浓度的面内分布。在半导体芯片的背面侧形成具有该求取出的杂质浓度的面内分布的PN结部。在形成了该PN结部之后，用树脂对半导体芯片进行密封。
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公开(公告)号：CN112041984B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201980028649.5
申请日：2019-04-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在功率半导体装置中，在大芯片焊盘(2)等搭载有功率半导体元件(5a)。大芯片焊盘(2)经由引线台阶部与功率引线连结。在大芯片焊盘(17aa)和第2端部(17bb)。引线台阶部在比第1端部(17aa)与第2端部(17bb)之间的中央线靠第1端部(17aa)的一侧从Y轴方向连结。在大芯片焊盘(2)中，以从第1端部(17aa)朝向第2端部(17bb)，大芯片焊盘(2)与模制树脂(11)的第1主面(11e)的距离变长的方式倾斜。(2)中，在X轴方向隔开距离而放置第1端部
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114514599A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202080069138.0
申请日：2020-09-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 模塑模具(51)具备：朝向型腔(52)注入成为模塑树脂的流动树脂的树脂注入浇口部(59)、积存在型腔(52)中流动来的流动树脂的树脂积存部(63)、以及树脂积存浇口部(65)。树脂积存部(63)设置于隔着型腔(52)与配置有树脂注入浇口部(59)的一侧相反的一侧。树脂积存浇口部(65)将型腔(52)与树脂积存部(63)之间连通。树脂积存浇口部(65)的开口截面积比树脂注入浇口部(59)的开口截面积小。
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公开(公告)号：CN108369933B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201680071859.9
申请日：2016-12-07
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种半导体装置(100)，具备板状电极(61)及半导体元件(21、22)，并具有将半导体元件中的表面电极与板状电极利用接合材料(32)进行接合的接合部(32A)，其中，板状电极在与半导体元件相对的相对面(614)上，具有将接合部包围且对上述接合材料具有耐热性的框状构件(52)。
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公开(公告)号：CN116171491A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202180061687.8
申请日：2021-08-24
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/07
Abstract: 半导体装置(SD)具备半导体元件(5)、金属部件(1)、插座(ST)以及密封树脂(11)。在金属部件(1)上搭载有半导体元件(5)。插座(ST)与金属部件(1)电连接。密封树脂(11)密封半导体元件(5)和金属部件(1)。密封树脂(11)在半导体元件(5)与金属部件(1)彼此重叠的方向上包括第一面(S1)和第二面(S2)。插座(ST)被配置成从密封树脂(11)的第二面(S2)露出。在半导体元件(5)与金属部件(1)彼此重叠的方向上，插座(ST)被配置在比密封树脂(11)的外缘(11a)靠内侧的位置。
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公开(公告)号：CN112041984A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980028649.5
申请日：2019-04-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在功率半导体装置中，在大芯片焊盘(2)等搭载有功率半导体元件(5a)。大芯片焊盘(2)经由引线台阶部与功率引线连结。在大芯片焊盘(2)中，在X轴方向隔开距离而放置第1端部(17aa)和第2端部(17bb)。引线台阶部在比第1端部(17aa)与第2端部(17bb)之间的中央线靠第1端部(17aa)的一侧从Y轴方向连结。在大芯片焊盘(2)中，以从第1端部(17aa)朝向第2端部(17bb)，大芯片焊盘(2)与模制树脂(11)的第1主面(11e)的距离变长的方式倾斜。
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公开(公告)号：CN107210241B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201680009370.9
申请日：2016-02-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在功率半导体装置(100)中，关于功率半导体元件(4)的表面电极(41a)，在维氏硬度为200～350Hv的以Cu为主成分的通过非电解镀敷形成的Cu层(81)上层叠设置有比Cu层(81)柔软的维氏硬度为70～150Hv的以Cu为主成分的通过非电解镀敷形成的Cu层(82)，对Cu层(82)与Cu制的导线(6)进行导线键合。
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