公开(公告)号：CN112582357B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202011022411.2

申请日：2020-09-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 村田大辅

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法，其目的在于得到能够抑制键合导线的损伤的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：基座板；第1半导体芯片，其设置于该基座板之上；键合导线，其与该第1半导体芯片在第1接合部处接合，键合导线在比该第1接合部更靠上方处具有弯曲部；第1封装部件，其从该基座板的上表面起设置至比该第1接合部高且比该弯曲部低的高度，覆盖该第1接合部；以及第2封装部件，其设置于该第1封装部件之上，覆盖该弯曲部，第2封装部件与该第1封装部件相比弹性模量低。

公开(公告)号：CN116895563A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310335980.X

申请日：2023-03-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 村田大辅

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  B05D7/24 ,  B05B7/04 ,  B05B17/06

Abstract: 得到能够将底料层高精度地形成于导线的外周的半导体装置的制造方法。还涉及半导体装置。针对包含半导体元件(1)和通过导线键合处理而与半导体元件(1)接合的导线(9)在内的涂布对象构造，进行使用了喷嘴(10)的涂布液(40)的涂布处理。喷嘴(10)具有产生螺旋状的液体输送风(CW)的输送风产生功能。因此，从喷嘴(10)的涂布液供给口(13)输出的涂布液(40)沿液体输送风(CW)的指向性而供给至涂布对象构造。然后，针对涂布对象构造而执行干燥处理，在导线(9)的外周形成以硅烷偶联剂为构成材料的底料层(4)。

公开(公告)号：CN109860124B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201811409878.5

申请日：2018-11-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 村田大辅 ,  吉田博 ,  近藤聪 ,  浅田晋助 ,  梶勇辅

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/10 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明的目的在于，提供能够将从没有添加阻燃剂的树脂产生的气体的影响减小的半导体装置以及具有该半导体装置的电力变换装置。本发明涉及的半导体装置具备：半导体元件(6)，其设置于绝缘基板(1)之上；壳体(7)，其设置于绝缘基板(1)的外缘，具有与半导体元件(6)相对的开口部；封装树脂(10)，其在壳体(7)内对半导体元件(6)进行封装；以及盖(11)，其阻塞壳体(7)的开口部，封装树脂(10)不含阻燃剂，盖(11)含有阻燃剂，在封装树脂(10)和盖(11)之间设置间隙。

公开(公告)号：CN108538825B

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN201810175418.4

申请日：2018-03-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 村田大辅 ,  吉田博 ,  石桥秀俊

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48

Abstract: 一种功率模块。防止流过铜块的电流的大小产生波动。具备：中继基板，其在表面和背面分别具有第1导体层和第2导体层；铜块，其插入至在中继基板的厚度方向贯穿的孔，将第1导体层和第2导体层导通；半导体元件，其在与铜块的端面相对的位置具有主电极，一个主电极仅与一个铜块电连接；绝缘基板，其经由接合材料接合于半导体元件的背面；以及封装材料，其对中继基板、铜块、及半导体元件进行封装。

公开(公告)号：CN108496249B

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN201680079904.5

申请日：2016-01-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田博 ,  井本裕儿 ,  石桥秀俊 ,  村田大辅 ,  中原贤太 ,  冈诚次 ,  藤野纯司 ,  浅地伸洋

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 具有：基板；多个半导体芯片，它们固定于该基板；绝缘板，其形成有贯穿孔；第1下部导体，其具有下部主体和下部凸出部，该下部主体形成于该绝缘板的下表面，与该多个半导体芯片中的任意者焊接，该下部凸出部与该下部主体相连，在俯视观察时该下部凸出部延伸至该绝缘板之外；第2下部导体，其形成于该绝缘板的下表面，与该多个半导体芯片中的任意者焊接；上部导体，其具有上部主体和上部凸出部，该上部主体形成于该绝缘板的上表面，该上部凸出部与该上部主体相连，在俯视观察时该上部凸出部延伸至该绝缘板之外；连接部，其设置于该贯穿孔，将该上部主体和该第2下部导体连接；第1外部电极，其与该下部凸出部连接；以及第2外部电极，其与该上部凸出部连接。

公开(公告)号：CN110323186A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910227577.9

申请日：2019-03-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 北林拓也 ,  吉田博 ,  石桥秀俊 ,  村田大辅

IPC: H01L23/057 ,  H01L23/10 ,  H01L21/52 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明的目的在于得到抑制电路图案上的有效面积的缩小并且确保绝缘性的功率模块。特征在于，具备：绝缘基板，其在上表面具有电路图案，在下表面具有金属板；半导体元件，其经由导电性部件而与电路图案接合；壳体，其配置为将绝缘基板的周边包围；封装材料，其在被壳体包围的部位，对半导体元件和绝缘基板进行封装；以及粘接材料，其在绝缘基板的侧面，将壳体与金属板固定。

公开(公告)号：CN107104080A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201610881663.8

申请日：2016-10-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 村田大辅 ,  井本裕儿

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48

Abstract: 得到一种能够防止特性变动、提高可靠性的半导体装置。在绝缘衬底(1)之上形成有由纯铝或者铝合金材料构成的铝图案(2)。在铝图案(2)的表面形成有镀层(3a、3b)。在镀层(3a、3b)之上接合有半导体元件(4a、4b)。镀层(3a、3b)的厚度大于或等于10μm。由此，半导体元件(4a、4b)难以受到由于热应力而变形的铝图案(2)的影响。因此，能够防止半导体元件(4a、4b)的由变形引起的特性变动，提高相对于半导体元件(4a、4b)的破坏而言的可靠性(功率循环)。

公开(公告)号：CN103378025B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201310093077.3

申请日：2013-03-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 村田大辅 ,  菊池正雄

IPC: H01L23/42 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/373 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/37099

Abstract: 本发明提供能够抑制热应力导致的翘曲、提高可靠性的半导体装置。散热器3a～3f互相离开而配置。晶体管元件1a～1c安装在散热器3a～3c上，其下表面与散热器3a～3c接合。晶体管元件1d～1f安装在散热器3d～3f上，其下表面与散热器3d～3f接合。模制树脂8覆盖散热器3a～3f及晶体管元件1a～1f。具有比模制树脂8高的刚性的增强部件9在模制树脂8内横穿散热器3a～3f之间的区域而设置。

公开(公告)号：CN110323186B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN201910227577.9

申请日：2019-03-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 北林拓也 ,  吉田博 ,  石桥秀俊 ,  村田大辅

IPC: H01L23/057 ,  H01L23/10 ,  H01L21/52 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明的目的在于得到抑制电路图案上的有效面积的缩小并且确保绝缘性的功率模块。特征在于，具备：绝缘基板，其在上表面具有电路图案，在下表面具有金属板；半导体元件，其经由导电性部件而与电路图案接合；壳体，其配置为将绝缘基板的周边包围；封装材料，其在被壳体包围的部位，对半导体元件和绝缘基板进行封装；以及粘接材料，其在绝缘基板的侧面，将壳体与金属板固定。

公开(公告)号：CN112582357A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011022411.2

申请日：2020-09-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 村田大辅

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法，其目的在于得到能够抑制键合导线的损伤的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：基座板；第1半导体芯片，其设置于该基座板之上；键合导线，其与该第1半导体芯片在第1接合部处接合，键合导线在比该第1接合部更靠上方处具有弯曲部；第1封装部件，其从该基座板的上表面起设置至比该第1接合部高且比该弯曲部低的高度，覆盖该第1接合部；以及第2封装部件，其设置于该第1封装部件之上，覆盖该弯曲部，第2封装部件与该第1封装部件相比弹性模量低。