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公开(公告)号：CN114914217B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210111226.3
申请日：2022-01-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。提供能够抑制由金属图案与电极端子之间的接合时的温度上升不足引起的金属图案与电极端子之间的接合不良的半导体装置。电极端子在延伸方向的一端侧在宽度方向上分支为多个分支部，多个分支部中的第1分支部和第2分支部分别经由接合材料而接合于金属图案之上，第1分支部与第2分支部相比宽度宽，第2分支部与金属图案之间的接合材料比第1分支部与金属图案之间的接合材料薄。
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公开(公告)号：CN110071072B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201910281594.0
申请日：2015-10-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供一种半导体装置，其通过减小与由冷热循环引起的引线端子的膨胀收缩相伴的对封装树脂的应力，从而能够抑制在封装树脂产生裂纹，实现高寿命及高可靠性。半导体装置具有：半导体元件(1)，其下表面与绝缘基板(4a)侧接合；以及板状的引线端子(3a)，其与半导体元件(1)的上表面接合，具有沿水平方向延伸的部分，引线端子(3a)的沿水平方向延伸的部分包含与半导体元件(1)接合且在俯视观察时直线式地延伸的部分，半导体装置还具有将半导体元件进行封装的封装树脂(5)，封装树脂(5)的线膨胀系数是引线端子(3a)的线膨胀系数和半导体元件(1)的线膨胀系数之间的中间值，引线端子(3a)具有将直线式地延伸的部分在水平方向上局部地断开的凹部(7b)或凸部(7a)。(1)与引线端子(3a)的直线式地延伸的部分一起
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公开(公告)号：CN109860124B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201811409878.5
申请日：2018-11-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够将从没有添加阻燃剂的树脂产生的气体的影响减小的半导体装置以及具有该半导体装置的电力变换装置。本发明涉及的半导体装置具备：半导体元件(6)，其设置于绝缘基板(1)之上；壳体(7)，其设置于绝缘基板(1)的外缘，具有与半导体元件(6)相对的开口部；封装树脂(10)，其在壳体(7)内对半导体元件(6)进行封装；以及盖(11)，其阻塞壳体(7)的开口部，封装树脂(10)不含阻燃剂，盖(11)含有阻燃剂，在封装树脂(10)和盖(11)之间设置间隙。
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公开(公告)号：CN110071072A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910281594.0
申请日：2015-10-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供一种半导体装置，其通过减小与由冷热循环引起的引线端子的膨胀收缩相伴的对封装树脂的应力，从而能够抑制在封装树脂产生裂纹，实现高寿命及高可靠性。半导体装置具有：半导体元件(1)，其下表面与绝缘基板(4a)侧接合；以及板状的引线端子(3a)，其与半导体元件(1)的上表面接合，具有沿水平方向延伸的部分，引线端子(3a)的沿水平方向延伸的部分包含与半导体元件(1)接合且在俯视观察时直线式地延伸的部分，半导体装置还具有将半导体元件(1)与引线端子(3a)的直线式地延伸的部分一起进行封装的封装树脂(5)，封装树脂(5)的线膨胀系数是引线端子(3a)的线膨胀系数和半导体元件(1)的线膨胀系数之间的中间值，引线端子(3a)具有将直线式地延伸的部分在水平方向上局部地断开的凹部(7b)或凸部(7a)。
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公开(公告)号：CN116670825A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202180089414.4
申请日：2021-12-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/40
Abstract: 半导体装置(100)具备半导体元件(1)、金属部件(2)、金属薄膜层(3)、焊料部(51)以及合金部(41)。金属薄膜层(3)覆盖金属部件(2)。金属薄膜层(3)包括第1区域(R1)。焊料部(51)将半导体元件(1)与金属薄膜层(3)的第1区域(R1)接合。合金部(41)被配置在比第1区域(R1)靠外侧的位置。合金部(41)是金属部件(2)与金属薄膜层(3)的合金。金属薄膜层(3)具有比金属部件(2)更高的针对焊料部(51)的浸润性。合金部(41)具有比金属薄膜层(3)更低的针对焊料部(51)的浸润性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109599372B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201811139732.3
申请日：2018-09-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/498
Abstract: 抑制半导体装置整体的高度尺寸扩大，且兼顾半导体装置的电绝缘性和压接端子的变形容许度。半导体装置具备绝缘基板、设于绝缘基板上的半导体元件、壳体框、压接端子、设于绝缘基板上的内壁部内侧而封装半导体元件的封装材料。壳体框在绝缘基板的俯视观察时以包围半导体元件的方式设于绝缘基板周缘。壳体框由绝缘物构成，具备外壁部、与外壁部相比设于绝缘基板中央侧的内壁部、夹在外壁部和内壁部间而与外壁部及内壁部一起构成凹部的凹部底面。压接端子具备经由配线与半导体元件连接的根部、从根部立起的主体部、设于主体部上端的压入部，根部埋入至凹部底面，主体部从凹部底面立起，从而主体部在内壁部和外壁部之间延伸，压入部凸出至凹部的上方。
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公开(公告)号：CN109314063B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201780035418.8
申请日：2017-06-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 电力用半导体装置包括至少在表面具有导体层的绝缘基板、设置于导体层上的线材凸块、载置于线材凸块上的半导体元件以及在导体层上将半导体元件进行接合的焊料层，以及/或者包括底板、设置于底板上的多个线材凸块、载置于线材凸块上且至少在背面具有导体层的绝缘基板以及在底板上接合绝缘基板的导体层的焊料层，在线材凸块与焊料层的界面具有包括线材凸块的材料和焊料层的材料的合金。
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公开(公告)号：CN109314063A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780035418.8
申请日：2017-06-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 电力用半导体装置包括至少在表面具有导体层的绝缘基板、设置于导体层上的线材凸块、载置于线材凸块上的半导体元件以及在导体层上将半导体元件进行接合的焊料层，以及/或者包括底板、设置于底板上的多个线材凸块、载置于线材凸块上且至少在背面具有导体层的绝缘基板以及在底板上接合绝缘基板的导体层的焊料层，在线材凸块与焊料层的界面具有包括线材凸块的材料和焊料层的材料的合金。
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公开(公告)号：CN105489586B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201510640172.X
申请日：2015-09-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/603
CPC classification number: H01L24/48 , H01L23/057 , H01L24/45 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L2224/37599 , H01L2224/40137 , H01L2224/45124 , H01L2224/48472 , H01L2224/73221 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/00 , H01L2224/37099 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置及其制造方法，其不需要进行树脂壳体的严格的尺寸管理、半导体装置的装配精度的管理，能够在期望的间隔范围内将半导体元件与配线端子容易地接合。本发明的半导体装置的特征在于，具备：绝缘基板(1)，其设置有电路图案(3)；半导体元件(5、6)，其在电路图案(3)上利用钎焊材料(13)进行接合；以及配线端子(8)，其在设置于半导体元件(5、6)的与电路图案(3)相反侧的电极上，利用钎焊材料(14)进行接合，配线端子(8)的一部分与绝缘基板(1)接触，并且与电路图案(3)绝缘。
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公开(公告)号：CN115274465A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210947454.4
申请日：2017-06-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供一种电力用半导体装置，包括至少在表面具有导体层的绝缘基板、设置于导体层上的线材凸块、载置于线材凸块上的半导体元件以及在导体层上将半导体元件进行接合的焊料层，以及/或者包括底板、设置于底板上的多个线材凸块、载置于线材凸块上且至少在背面具有导体层的绝缘基板以及在底板上接合绝缘基板的导体层的焊料层，在线材凸块与焊料层的界面具有包括线材凸块的材料和焊料层的材料的合金。
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