半导体装置的制造方法及电力转换装置的制造方法

    公开(公告)号:CN113643992B

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202110435484.2

    申请日:2021-04-22

    Inventor: 石川悟

    Abstract: 本申请涉及半导体装置的制造方法及电力转换装置的制造方法。对在半导体元件的位置处的绝缘基板的正下方产生焊料缩孔进行抑制。在半导体装置的制造方法中,经由第1接合材料将半导体元件接合于绝缘基板的上表面,经由第2接合材料将散热板接合于绝缘基板的下表面,以与散热板的下表面接触的方式配置导热夹具,对第1接合材料及第2接合材料进行加热,在导热夹具与散热板的下表面接触的状态下对导热夹具进行冷却,导热夹具具有低导热部,该低导热部配置于在俯视观察时不与半导体元件重叠的位置,与导热夹具的其它部位相比导热率低。

    半导体元件接合用基板、半导体装置及电力转换装置

    公开(公告)号:CN110709969A

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201780091304.5

    申请日:2017-06-02

    Inventor: 石川悟

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种对通过焊料将半导体元件接合于基板时的缩孔的产生进行抑制,并且使半导体元件的散热性提高的半导体元件接合用基板、半导体装置及电力转换装置。本发明所涉及的半导体元件接合用基板(100)具备绝缘板(1)和与绝缘板(1)的主面接合的金属图案(2),金属图案(2)的与绝缘板(1)相反侧的主面(6)具备供半导体元件(4)通过焊料(5)进行接合的接合区域(6a),金属图案(2)具备配置于主面(6)的至少一个凹坑(7),至少一个凹坑(7)在接合区域(6a)内与接合区域(6a)的中央部分相比配置为更靠近接合区域(6a)的边缘。

    半导体装置
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115148691B

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202210293417.6

    申请日:2022-03-24

    Abstract: 目的在于提供能够抑制大电流通电时的引线电极的发热并且能够容易地对引线电极与半导体元件之间的接合品质进行检查的半导体装置。半导体装置具有:基座部(1);半导体元件(3),其搭载于基座部(1)之上;金属部件(5),其一端通过接合材料(4b)而接合于半导体元件(3)的与搭载于基座部(1)的一侧相反侧的主面(3a),并且相对于半导体元件(3)而设置为直立设置状;以及引线电极(2),其经由金属部件(5)而与半导体元件(3)连接。引线电极(2)具有在厚度方向上延伸的贯通孔(6)。金属部件(5)在与接合材料(4b)的一部分一起插入至引线电极(2)的贯通孔(6)的状态下将半导体元件(3)与引线电极(2)连接。

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