公开(公告)号：CN114762093A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080083528.3

申请日：2020-12-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川添智香 ,  藤野纯司 ,  北川达哉 ,  村田大辅 ,  梶勇辅

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/28 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 在陶瓷基板(5)搭载半导体元件(19)。将搭载了半导体元件(19)的陶瓷基板(5)收容在壳体(13)内。使硅烷偶联剂的溶液流入壳体(13)内。除去壳体(13)内的溶液。对在使溶液流入壳体(13)内的工序中附着于半导体元件(19)等的溶液施加处理，从而在半导体元件(19)等的表面形成底涂剂层(35)。通过在壳体(13)内填充密封材料(37)，对形成有底涂剂层(35)的半导体元件(19)等进行密封。

公开(公告)号：CN117769761A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202280053221.8

申请日：2022-08-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤野纯司 ,  川添智香 ,  高田周平 ,  井本裕儿 ,  和田文雄

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/367 ,  H01L23/40 ,  H02M7/48

Abstract: 提供能够降低散热部件与绝缘基板的接合所引起的热应力并抑制由于热应力而产生的散热部件的翘曲的技术。功率模块(202)具备：散热部件(14)，其具有周壁部(15)和凹部(19)，凹部(19)形成于比周壁部(15)靠内周侧的位置且向下方凹陷；至少一个陶瓷基板(10)，其被接合到凹部(19)内；多个半导体元件，它们搭载于至少一个陶瓷基板(10)上；壳体(5)，其沿着周壁部(15)的上端被固定，在内部填充有密封树脂(7)；以及电路形成部件，其包含电极板(63、64、65)，电极板(63、64、65)分别将多个半导体元件之间、以及半导体元件与至少一个陶瓷基板(10)之间连接，散热部件(14)的周壁部(15)的上下方向(Z轴方向)的厚度比形成凹部(19)的底面的底壁部(16)的上下方向(Z轴方向)的厚度厚。

公开(公告)号：CN115315805B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202180022576.6

申请日：2021-03-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤野纯司 ,  小川道雄 ,  川添智香 ,  和田文雄 ,  石川悟

IPC: H01L23/40 ,  H01L23/12 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/36 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H10D80/00

Abstract: 作为对搭载于主表面翘曲的绝缘基板上的半导体元件稳定地连接电路，具有高的可靠性的半导体装置的功率模块(100)具备绝缘基板(10)、散热部件(20)以及电极板(30)。绝缘基板(10)搭载IGBT(41)以及二极管(42)。散热部件(20)通过第1焊料(51)与绝缘基板(10)接合。电极板(30)以与半导体元件之上的至少一部分重叠的方式配置。绝缘基板(10)主表面以绝缘基板(10)向散热部件(20)侧成为凸形状的方式翘曲。第1焊料(51)相比于俯视时的中央部在端部更厚。半导体元件通过第2焊料(52)与电极板(30)接合。

公开(公告)号：CN118974925A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202380030904.6

申请日：2023-03-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤野纯司 ,  川添智香 ,  小川道雄 ,  井本裕儿 ,  和田文雄

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/36 ,  H01L25/18

Abstract: 目的在于提供一种在功率模块中能够抑制因热应力而产生的散热部件的翘曲的技术。功率模块具备：半导体元件(21、22)；陶瓷基板(10)，其具有搭载半导体元件(21、22)的搭载面；以及翅片基底(70)，其接合于陶瓷基板(10)的与搭载面相反的一侧的面，陶瓷基板(10)中的与翅片基底(70)接合的接合区域是与搭载有半导体元件(21、22)的部分对应的区域，陶瓷基板(10)中的与翅片基底(70)接合的接合区域的面积比搭载有半导体元件(21、22)的部分的面积小。

公开(公告)号：CN115315805A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202180022576.6

申请日：2021-03-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤野纯司 ,  小川道雄 ,  川添智香 ,  和田文雄 ,  石川悟

IPC: H01L23/40 ,  H01L23/12 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/36 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 作为对搭载于主表面翘曲的绝缘基板上的半导体元件稳定地连接电路，具有高的可靠性的半导体装置的功率模块(100)具备绝缘基板(10)、散热部件(20)以及电极板(30)。绝缘基板(10)搭载IGBT(41)以及二极管(42)。散热部件(20)通过第1焊料(51)与绝缘基板(10)接合。电极板(30)以与半导体元件之上的至少一部分重叠的方式配置。绝缘基板(10)主表面以绝缘基板(10)向散热部件(20)侧成为凸形状的方式翘曲。第1焊料(51)相比于俯视时的中央部在端部更厚。半导体元件通过第2焊料(52)与电极板(30)接合。

公开(公告)号：CN114930528A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202180008642.4

申请日：2021-01-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤野纯司 ,  小川道雄 ,  川添智香 ,  井本裕児 ,  小川翔平

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/36

Abstract: 半导体装置(100)具备基板(1)、硬钎料(5)、层叠材料(2)、软钎料(4)以及半导体元件(3)。第1金属层(21)在相对于第1导体层(12)而与陶瓷层(11)相反一侧利用硬钎料(5)接合于第1导体层(12)。第2金属层(22)在相对于第1金属层(21)而与第1导体层(12)相反一侧层叠于第1金属层(21)。半导体元件(3)利用软钎料(4)接合于第2金属层(22)。第1导体层(12)以及第1金属层(21)的材料包括铝。第2金属层(22)针对软钎料(4)的润湿性比第1金属层(21)高。