公开(公告)号：CN114930528A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202180008642.4

申请日：2021-01-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤野纯司 ,  小川道雄 ,  川添智香 ,  井本裕児 ,  小川翔平

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/36

Abstract: 半导体装置(100)具备基板(1)、硬钎料(5)、层叠材料(2)、软钎料(4)以及半导体元件(3)。第1金属层(21)在相对于第1导体层(12)而与陶瓷层(11)相反一侧利用硬钎料(5)接合于第1导体层(12)。第2金属层(22)在相对于第1金属层(21)而与第1导体层(12)相反一侧层叠于第1金属层(21)。半导体元件(3)利用软钎料(4)接合于第2金属层(22)。第1导体层(12)以及第1金属层(21)的材料包括铝。第2金属层(22)针对软钎料(4)的润湿性比第1金属层(21)高。

公开(公告)号：CN119768912A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202280099542.1

申请日：2022-09-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井本裕児 ,  大串直弘 ,  猪之口诚一郎

IPC: H01L23/12

Abstract: 目的在于提供一种能够更可靠地抑制密封构件剥离的技术。半导体装置包括绝缘基板、接合在绝缘基板上方的第一导电体层、第二导电体层、密封构件以及半导体元件。第二导电体层接合在第一导电体层上方，具有比第一导电体层的侧端部更在侧向上突出的侧端部即悬伸部。密封构件具有埋设在悬伸部与绝缘基板之间的空间内的部分。半导体元件被密封构件覆盖。