公开(公告)号：CN110024118A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201680090969.X

申请日：2016-11-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大串直弘 ,  田口晃一

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

Abstract: 壳体(6)将半导体芯片(5)包围。壳体电极(7)安装于壳体(6)的上表面。导线(8)与半导体芯片(5)和壳体电极(7)连接。第1按压部(10)在相比于壳体电极(7)的与导线(8)接合的接合部分更靠外侧处，将壳体电极(7)按压于壳体(6)的上表面。第2按压部(11)在与接合部分相比更靠内侧处，将壳体电极(7)按压于壳体(6)的上表面。在壳体(6)的上表面设置有凹部(12)。壳体电极(7)被以进入凹部(12)的方式弯折加工。第2按压部(11)配置于凹部(12)内。

公开(公告)号：CN118974898A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202280094438.3

申请日：2022-04-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大串直弘 ,  井本裕儿 ,  佐佐木太志

IPC: H01L21/52 ,  H01L23/12 ,  H01L21/60

Abstract: 目的在于提供能够减少半导体装置的孔洞的技术。半导体装置具有镀膜、半导体元件和间隔件。半导体元件设置于镀膜的上方。间隔件包含第1导线凸块。间隔件在镀膜与半导体元件之间设置间隙。第1导线凸块的下表面不与镀膜接触，或者第1导线凸块的下表面中的位于比镀膜的外周部更靠外侧处的一部分不与镀膜接触。

公开(公告)号：CN119032419A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202280094905.2

申请日：2022-04-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山内宏哉 ,  井本裕儿 ,  大串直弘

IPC: H01L21/52 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 半导体装置具有绝缘基板(3)、与绝缘基板(3)接合的半导体元件(4)以及与半导体元件(4)接合的内部配线部件(5)。绝缘基板(3)在上表面具有导电图案(2)。半导体元件(4)在上表面具有上表面电极，在下表面具有下表面电极，下表面电极与绝缘基板(3)的导电图案(2)接合。内部配线部件(5)与半导体元件(4)的上表面电极接合。下表面电极与导电图案(2)之间的接合及上表面电极与内部配线部件(5)之间的接合均通过Al钎料(81、82)而实现。

公开(公告)号：CN111542921A

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN201880084900.5

申请日：2018-01-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大串直弘 ,  村井亮司 ,  村上贵彦

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/04

Abstract: 在散热材料(4)之上焊接有具有挠性的半导体芯片(6)。通过按压部件(9、11)的前端从上方对半导体芯片(6)进行按压。由此，能够抑制半导体芯片(6)的凸翘曲。并且，由于能够防止孔洞滞留于焊料(7)内，因此能够提高半导体装置的散热性。

公开(公告)号：CN119768912A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202280099542.1

申请日：2022-09-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井本裕児 ,  大串直弘 ,  猪之口诚一郎

IPC: H01L23/12

Abstract: 目的在于提供一种能够更可靠地抑制密封构件剥离的技术。半导体装置包括绝缘基板、接合在绝缘基板上方的第一导电体层、第二导电体层、密封构件以及半导体元件。第二导电体层接合在第一导电体层上方，具有比第一导电体层的侧端部更在侧向上突出的侧端部即悬伸部。密封构件具有埋设在悬伸部与绝缘基板之间的空间内的部分。半导体元件被密封构件覆盖。

公开(公告)号：CN111542921B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN201880084900.5

申请日：2018-01-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大串直弘 ,  村井亮司 ,  村上贵彦

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/04

Abstract: 在散热材料(4)之上焊接有具有挠性的半导体芯片(6)。通过按压部件(9、11)的前端从上方对半导体芯片(6)进行按压。由此，能够抑制半导体芯片(6)的凸翘曲。并且，由于能够防止孔洞滞留于焊料(7)内，因此能够提高半导体装置的散热性。