半导体装置以及电力变换装置

    公开(公告)号:CN111293087B

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN201911214209.7

    申请日:2019-12-02

    Abstract: 目的在于提供可兼顾轻量化和所需强度的确保的半导体装置。还涉及电力变换装置。半导体装置(202)具有:绝缘基板,具有绝缘层(5)、上部导体部(3)和下部导体部(6);半导体芯片(1、2);壳体,围绕绝缘基板及半导体芯片;以及封装材料,将壳体的内部进行封装。上部导体部的厚度形成得比下部导体部的厚度厚,上部导体部具有:电路图案,在电路图案配置半导体芯片;以及外周图案,在电路图案的外周侧隔开间隔而设置,上部导体部的外周图案、绝缘层的外周部及下部导体部的外周部固定于在壳体的周壁部(10a)的内周部形成的凹部(10b),形成从壳体的周壁部的外周部向外侧凸出的凸缘部(10c),在凸缘部形成能够安装散热鳍片的安装孔(10d)。

    功率模块
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108538825B

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN201810175418.4

    申请日:2018-03-02

    Abstract: 一种功率模块。防止流过铜块的电流的大小产生波动。具备:中继基板,其在表面和背面分别具有第1导体层和第2导体层;铜块,其插入至在中继基板的厚度方向贯穿的孔,将第1导体层和第2导体层导通;半导体元件,其在与铜块的端面相对的位置具有主电极,一个主电极仅与一个铜块电连接;绝缘基板,其经由接合材料接合于半导体元件的背面;以及封装材料,其对中继基板、铜块、及半导体元件进行封装。

    半导体装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108496249B

    公开(公告)日:2021-08-13

    申请号:CN201680079904.5

    申请日:2016-01-29

    Abstract: 具有:基板;多个半导体芯片,它们固定于该基板;绝缘板,其形成有贯穿孔;第1下部导体,其具有下部主体和下部凸出部,该下部主体形成于该绝缘板的下表面,与该多个半导体芯片中的任意者焊接,该下部凸出部与该下部主体相连,在俯视观察时该下部凸出部延伸至该绝缘板之外;第2下部导体,其形成于该绝缘板的下表面,与该多个半导体芯片中的任意者焊接;上部导体,其具有上部主体和上部凸出部,该上部主体形成于该绝缘板的上表面,该上部凸出部与该上部主体相连,在俯视观察时该上部凸出部延伸至该绝缘板之外;连接部,其设置于该贯穿孔,将该上部主体和该第2下部导体连接;第1外部电极,其与该下部凸出部连接;以及第2外部电极,其与该上部凸出部连接。

    半导体装置
    6.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN119384721A

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202280097138.0

    申请日:2022-06-28

    Abstract: 半导体装置(100)具有绝缘层(4)和第1电极图案(1)。第1电极图案(1)具有第1主体部(21)和第1台阶部(31)。第1主体部(21)具有第1面(11)、第2面(12)以及第1侧面(41)。第1面(11)与绝缘层(4)相对。第2面(12)处于第1面(11)的相反侧。第1台阶部(31)具有第3面(13)和第1台阶面(25)。第3面(13)与绝缘层(4)相对。第1台阶面(25)处于第3面(13)的相反侧。第2面(12)和第1侧面(41)的边界为第1边界(91)。第1侧面(41)和第1台阶面(25)的边界为第2边界(92)。在与第2面(12)垂直的剖面中,第1侧面(41)的长度比连接第1边界(91)和第2边界(92)的线段的长度长。

    半导体装置及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN118522702A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202410177136.3

    申请日:2024-02-08

    Abstract: 提供能够抑制生产性的降低,并且防止TIM的泵出的半导体装置。还涉及半导体装置的制造方法。半导体装置(100)具有安装散热鳍片(10)的散热面(1a)、接合于散热面(1a)的至少1处的散热面导线(8)。散热面导线(8)的从散热面(1a)算起的凸出量大于或等于10μm且小于或等于200μm。散热鳍片(10)经由散热面导线(8)和热界面材料即TIM(9)被安装于半导体装置(100)的散热面(1a)。

    半导体模块
    8.
    发明公开
    半导体模块 审中-公开

    公开(公告)号:CN112447700A

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN202010888621.3

    申请日:2020-08-28

    Abstract: 本发明得到一种半导体模块,其能够提高绝缘性和构造可靠性。半导体元件(3、4)安装于绝缘电路基板(1)。印刷配线板(5)配置于绝缘电路基板(1)以及半导体元件(3、4)的上方,具有通孔(6a、6b、6c)。金属桩(9、10)的下端与半导体元件(3、4)的上表面接合。金属桩(9、10)具有将通孔(6a、6b、6c)贯通而接合的圆柱部(9b、9c、10b)。壳体(13)将绝缘电路基板(1)、半导体元件(3、4)、印刷配线板(5)以及金属桩(9、10)包围。封装材料(14)将壳体(13)的内部封装。

    功率半导体装置的制造方法及功率半导体装置

    公开(公告)号:CN110235243A

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201780084722.1

    申请日:2017-01-30

    Abstract: 向铜基座板(3)配置金属掩模(51)。在金属掩模(51)的多个开口部(53)填充焊膏(15),由此,在铜基座板(3)的铜板(5b、5c、5d)的每一者形成焊膏(15)的图案。在焊膏(15)的图案载置半导体元件(9、11)以及导电部件(13)。向铜基座板(3)配置金属掩模(55)。接下来,在金属掩模(55)的多个开口部(57)填充焊膏(17),由此,形成覆盖半导体元件(9、11)以及导电部件(13)这两者的焊膏(17)的图案。以与对应的焊膏(17)的图案接触的方式配置大容量中继基板(21)。通过在大于或等于200℃的温度条件下进行热处理,功率半导体装置(1)完成。

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