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    半导体装置及其制造方法以及半导体封装
    2.
    发明公开
    半导体装置及其制造方法以及半导体封装 审中-实审

    公开(公告)号：CN116762164A

    公开(公告)日：2023-09-15

    申请号：CN202180090637.2

    申请日：2021-01-15

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 门脇和丈 ,  原田耕三 ,  六分一穗隆

    IPC: H01L23/28

    Abstract: 本公开的半导体装置(1)具备：半导体元件(9)；多个导电部件(5)，与半导体元件(9)电连接，朝向上方延伸；密封树脂(6)，密封半导体元件(9)和导电部件(5)，并且形成覆盖多个导电部件(5)的顶端部(5a)的周围的突出部(6a)；控制基板(7)，形成有突出部(6a)被插入的贯通孔(7a)，具有控制电极(7b)；以及可挠性布线(8)，连接控制电极(7b)和导电部件(5)的顶端部(5a)，具有可挠性，通过这样的结构，能够得到防止由于在半导体装置(1)或者半导体封装(4)产生的外力或者应力引起的不良现象、耐久性优良的半导体装置(1)或者半导体封装(4)。

    半导体封装、半导体装置以及电力变换装置
    3.
    发明公开
    半导体封装、半导体装置以及电力变换装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN116325135A

    公开(公告)日：2023-06-23

    申请号：CN202080106393.8

    申请日：2020-10-29

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 原田耕三 ,  六分一穗隆

    IPC: H01L23/36

    Abstract: 半导体封装(100)具备半导体元件(1)、第1绝缘层(5)、第1布线层(6)、第2绝缘层(7)以及第2布线层(8)。第1绝缘层(5)覆盖半导体元件(1)。第1布线层(6)包括第1层部(61)。第1层部(61)覆盖第1绝缘层(5)。第2绝缘层(7)覆盖第1绝缘层(5)以及第1布线层(6)。第2布线层(8)通过第2贯通孔(TH2)以及第3贯通孔(TH3)与半导体元件(1)电连接。第2布线层(8)包括第2层部(81)。第2层部(81)覆盖第2绝缘层(7)。第2布线层(8)的第2层部(81)具有在夹着第2绝缘层(7)的状态下叠加于第1布线层(6)的第1层部(61)的部分。

    半导体装置及其制造方法
    5.
    发明授权
    半导体装置及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN108431950B

    公开(公告)日：2021-06-29

    申请号：CN201680074803.9

    申请日：2016-12-14

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 山本圭 ,  六分一穗隆 ,  西村隆 ,  北井清文

    IPC: H01L23/36 ,  H01L23/373 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

    Abstract: 在半导体装置(100)中，绝缘层(3)被夹在金属基座板(1)与引线框(5)之间，包含树脂材料(34)。封装树脂(9)对金属基座板(1)、绝缘层(3)、引线框(5)进行封装。在绝缘层(3)中填充有大于或等于20体积％而小于或等于75体积％的无机粉末填料(33)。在绝缘层(3)内，作为无机粉末填料(33)，包含最大尺寸小于或等于20μm的第1填料(32)和由多个第1填料(32)凝聚而成的第2填料(31)。绝缘层(3)内的绝缘层(3)的一个主表面(3A)侧的表层部(35)处的第1填料(32)的填充比例小于绝缘层(3)内的除了表层部以外的区域(36)的第1填料(32)的填充比例。表层部(35)的第2填料(31)的填充比例与绝缘层(3)内的除了表层部以外的区域(36)的第2填料(31)的填充比例相同。

    半导体装置及其制造方法、以及电力转换装置
    6.
    发明公开
    半导体装置及其制造方法、以及电力转换装置 有权

    公开(公告)号：CN110462817A

    公开(公告)日：2019-11-15

    申请号：CN201780089092.7

    申请日：2017-12-06

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 梶勇辅 ,  六分一穗隆 ,  近藤聪

    IPC: H01L23/28 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

    Abstract: 本发明提供一种能够抑制在树脂注入工序中产生的微小气泡的残留、并且使密封材料容易向想要利用树脂密封的区域流入的半导体装置及其制造方法、以及具有这样的半导体装置的电力转换装置。半导体装置(101)具备绝缘基板(2)、半导体元件(4)、导体基板(3P)、以及壳体材料(1)。半导体元件(4)连接在绝缘基板(2)的上方，导体基板(3P)连接在半导体元件(4)的上方。壳体材料(1)以避开与绝缘基板(2)、半导体元件(4)以及导体基板(3P)在俯视观察时重叠的区域的方式进行包围。在绝缘层(2D)的主表面配置多个金属图案(2P)。在多个金属图案(2P)中的相邻的一对金属图案(2P)之间形成槽(2G)。在导体基板(3P)上，在与槽(2G)在俯视观察时重叠的位置形成贯通孔(7)。

    半导体装置和其制造方法
    7.
    发明公开
    半导体装置和其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN108140621A

    公开(公告)日：2018-06-08

    申请号：CN201680055591.X

    申请日：2016-09-20

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 山本圭 ,  六分一穗隆 ,  中岛泰 ,  北井清文 ,  五藤洋一

    IPC: H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L23/36

    Abstract: 得到一种半导体装置，该半导体装置通过减少由传递模塑成型时的压力引起的金属基座的变形，从而抑制在绝缘层产生裂纹，电可靠性高。具有：金属部件(2)，其在下表面设置有凹凸部(8)和凸状的周缘部(7)，该凸状的周缘部(7)将凹凸部(8)包围，且高度比凹凸部(8)的凸部(81)高或者与该凸部(81)相同；绝缘层(3)，其形成于金属部件(2)的上表面；金属层(4)，其形成于绝缘层(3)的上表面；半导体元件(1)，其与金属层(4)的上表面接合；以及封装树脂(5)，其对半导体元件(1)、金属层(4)、绝缘层(39)和金属部件(2)进行封装。

    半导体装置及电力转换装置
    8.
    发明公开
    半导体装置及电力转换装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN117242569A

    公开(公告)日：2023-12-15

    申请号：CN202180097878.X

    申请日：2021-05-11

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 六分一穗隆 ,  三田泰之 ,  山本圭

    IPC: H01L23/48

    Abstract: 半导体装置(100)具有：引线框(20)，其具有安装面(20a)；半导体元件(30)，其配置于安装面之上；电路基板(50)，其在半导体装置的厚度方向上与安装面分离地配置，并且电路基板与引线框电连接；封装树脂(70)，其将引线框、半导体元件及电路基板封装；以及连接器(80)。引线框具有从封装树脂露出的引线(22)。电路基板具有从封装树脂露出的至少1个露出部(52)。在至少1个露出部中的1者电连接有连接器。

    半导体装置及其制造方法、以及电力转换装置
    10.
    发明授权
    半导体装置及其制造方法、以及电力转换装置 有权

    公开(公告)号：CN110462817B

    公开(公告)日：2023-11-28

    申请号：CN201780089092.7

    申请日：2017-12-06

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 梶勇辅 ,  六分一穗隆 ,  近藤聪

    IPC: H01L23/28 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

    Abstract: 本发明提供一种能够抑制在树脂注入工序中产生的微小气泡的残留、并且使密封材料容易向想要利用树脂密封的区域流入的半导体装置及其制造方法、以及具有这样的半导体装置的电力转换装置。半导体装置(101)具备绝缘基板料(1)。半导体元件(4)连接在绝缘基板(2)的上方，导体基板(3P)连接在半导体元件(4)的上方。壳体材料(1)以避开与绝缘基板(2)、半导体元件(4)以及导体基板(3P)在俯视观察时重叠的区域的方式进行包围。在绝缘层(2D)的主表面配置多个金属图案(2P)。在多个金属图案(2P)中的相邻的一对金属图案(2P)之间形成槽(2G)。在导体基板(3P)上，在与槽(2G)在俯视观察时重叠的位置形成贯通孔(7)。(2)、半导体元件(4)、导体基板(3P)、以及壳体材

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